फ्रान्सेलीले भोलिको सात-स्तर GAA ट्रान्जिस्टर प्रस्तुत गर्यो

धेरै समय सम्म गोप्य छैन, कि 3nm प्रक्रिया टेक्नोलोजीबाट, ट्रान्जिस्टरहरू ठाडो "फिन" FinFET च्यानलहरूबाट तेर्सो नानोपेज च्यानलहरूमा गेटहरू वा GAA (गेट-अल-अराउन्ड) ले घेरिएका हुन्छन्। आज, फ्रान्सेली संस्थान CEA-Leti ले कसरी FinFET ट्रान्जिस्टर निर्माण प्रक्रियाहरू बहु-स्तर GAA ट्रान्जिस्टरहरू उत्पादन गर्न प्रयोग गर्न सकिन्छ भनेर देखायो। र प्राविधिक प्रक्रियाहरूको निरन्तरता कायम राख्नु द्रुत रूपान्तरणको लागि भरपर्दो आधार हो।

VLSI टेक्नोलोजी र सर्किट 2020 संगोष्ठीका लागि CEA-Leti विशेषज्ञहरू प्रतिवेदन तयार गरे सात-स्तर GAA ट्रान्जिस्टरको उत्पादनको बारेमा (कोरोनाभाइरस महामारीको लागि विशेष धन्यवाद, जसको लागि धन्यवाद प्रस्तुतीकरणका कागजातहरू अन्ततः तुरुन्तै देखा पर्न थाले, र सम्मेलनहरू पछि महिनौं पछि होइन)। फ्रान्सेली अन्वेषकहरूले प्रमाणित गरेका छन् कि उनीहरूले तथाकथित RMG प्रक्रिया (रिप्लेसमेन्ट मेटल गेट वा, रूसीमा, प्रतिस्थापन (अस्थायी) धातुको व्यापक रूपमा प्रयोग गरिएको प्रविधि प्रयोग गरेर नानोपेजहरूको सम्पूर्ण "स्ट्याक" को रूपमा च्यानलहरूसँग GAA ट्रान्जिस्टरहरू उत्पादन गर्न सक्छन्। गेट)। एक समयमा, RMG प्राविधिक प्रक्रिया FinFET ट्रान्जिस्टरहरूको उत्पादनको लागि अनुकूलित गरिएको थियो र, हामीले देख्यौं, नानोपेज च्यानलहरूको बहु-स्तरीय व्यवस्थाको साथ GAA ट्रान्जिस्टरहरूको उत्पादनमा विस्तार गर्न सकिन्छ।

सैमसंग, जहाँसम्म हामीलाई थाहा छ, 3-nm चिप्सको उत्पादनको सुरुवातसँगै, दुई-स्तर GAA ट्रान्जिस्टरहरू उत्पादन गर्ने योजना दुईवटा फ्ल्याट च्यानलहरू (न्यानोपेजहरू) एक अर्को माथि अवस्थित छ, चारैतिर गेटले घेरिएको छ। CEA-Leti विशेषज्ञहरूले सात न्यानोपेज च्यानलहरूसँग ट्रान्जिस्टरहरू उत्पादन गर्न र एकै समयमा आवश्यक चौडाइमा च्यानलहरू सेट गर्न सम्भव छ भनेर देखाएका छन्। उदाहरण को लागी, सात च्यानलहरु संग एक प्रयोगात्मक GAA ट्रान्जिस्टर 15 nm देखि 85 nm को चौडाई संग संस्करण मा जारी गरिएको थियो। यो स्पष्ट छ कि यसले तपाईंलाई ट्रान्जिस्टरहरूको लागि सटीक विशेषताहरू सेट गर्न र तिनीहरूको पुनरावृत्तिको ग्यारेन्टी गर्न अनुमति दिन्छ (प्यारामिटरहरूको फैलावट घटाउनुहोस्)।

फ्रान्सेलीका अनुसार, GAA ट्रान्जिस्टरमा जति धेरै च्यानल स्तरहरू, कुल च्यानलको प्रभावकारी चौडाइ बढी हुन्छ र त्यसैले, ट्रान्जिस्टरको राम्रो नियन्त्रण। साथै, बहुस्तरीय संरचनामा कम चुहावट प्रवाह हुन्छ। उदाहरणका लागि, सात-स्तर GAA ट्रान्जिस्टरमा दुई-स्तरको (सामान्यतया, सैमसंग GAA जस्तै) भन्दा तीन गुणा कम रिसाव वर्तमान हुन्छ। ठीक छ, उद्योगले अन्ततः एउटा बाटो फेला पारेको छ, चिपमा तत्वहरूको तेर्सो प्लेसमेन्टबाट ठाडोमा सर्दै। यस्तो देखिन्छ कि माइक्रोसर्किटहरूले अझ छिटो, अधिक शक्तिशाली र ऊर्जा कुशल बन्नको लागि क्रिस्टलको क्षेत्र बढाउनु पर्दैन।

स्रोत: 3dnews.ru