इंटेलले 144-लेयर QLC NAND तयार गर्छ र पाँच-बिट PLC NAND विकास गर्छ

आज बिहान सियोल, दक्षिण कोरियामा, इंटेलले मेमोरी र ठोस-राज्य ड्राइभ बजारमा भविष्यका योजनाहरूलाई समर्पित "मेमोरी र भण्डारण दिवस 2019" कार्यक्रम आयोजना गर्‍यो। त्यहाँ, कम्पनीका प्रतिनिधिहरूले भविष्यका Optane मोडेलहरू, पाँच-बिट PLC NAND (पेन्टा लेभल सेल) को विकासमा भएको प्रगति र आगामी वर्षहरूमा प्रवर्द्धन गर्ने योजना रहेको अन्य आशाजनक प्रविधिहरूको बारेमा कुरा गरे। Intel ले लामो अवधिमा डेस्कटप कम्प्यूटरहरूमा गैर-अस्थिर RAM र यस खण्डको लागि परिचित SSDs को नयाँ मोडेलहरू परिचय गर्ने इच्छाको बारेमा पनि कुरा गर्यो।

चलिरहेको घटनाक्रमहरूको बारेमा इंटेलको प्रस्तुतीकरणको सबैभन्दा अप्रत्याशित अंश PLC NAND को बारेमा कथा थियो - फ्ल्याश मेमोरीको अझ घना प्रकार। कम्पनीले जोड दिन्छ कि विगत दुई वर्षमा, विश्वमा उत्पादित डाटाको कुल मात्रा दोब्बर भएको छ, त्यसैले चार-बिट QLC NAND मा आधारित ड्राइभहरू अब यो समस्याको लागि राम्रो समाधान जस्तो देखिँदैन - उद्योगलाई उच्चसँग केही विकल्पहरू चाहिन्छ। भण्डारण घनत्व। आउटपुट पेन्टा-लेभल सेल (PLC) फ्ल्यास मेमोरी हुनुपर्छ, जसको प्रत्येक सेलले एकै पटक पाँच बिट डेटा भण्डारण गर्दछ। यसरी, फ्ल्यास मेमोरी प्रकारहरूको पदानुक्रम चाँडै SLC-MLC-TLC-QLC-PLC जस्तो देखिनेछ। नयाँ PLC NAND ले SLC को तुलनामा पाँच गुणा बढी डाटा भण्डारण गर्न सक्षम हुनेछ, तर निस्सन्देह, कम कार्यसम्पादन र विश्वसनीयताका साथ, किनकि नियन्त्रकले पाँच बिटहरू लेख्न र पढ्नको लागि सेलको चार्जको 32 विभिन्न अवस्थाहरू बीच छुट्याउनुपर्नेछ। ।

यो ध्यान दिन लायक छ कि इंटेल आफ्नो खोजमा अझ सघन फ्ल्यास मेमोरी बनाउन एक्लै छैन। तोशिबाले अगस्टमा भएको फ्ल्यास मेमोरी शिखर सम्मेलनमा PLC NAND सिर्जना गर्ने योजनाहरूको बारेमा पनि बताए। यद्यपि, इन्टेलको प्रविधि एकदमै फरक छ: कम्पनीले फ्लोटिंग-गेट मेमोरी सेलहरू प्रयोग गर्दछ, जबकि तोशिबाको डिजाइनहरू चार्ज ट्र्याप-आधारित सेलहरू वरिपरि बनाइन्छ। बढ्दो जानकारी भण्डारण घनत्वको साथ, फ्लोटिंग गेट उत्तम समाधान जस्तो देखिन्छ, किनकि यसले कक्षहरूमा पारस्परिक प्रभाव र शुल्कको प्रवाहलाई कम गर्छ र कम त्रुटिहरूसँग डाटा पढ्न सम्भव बनाउँछ। अन्य शब्दहरूमा, इन्टेलको डिजाइन घनत्व बढाउनको लागि राम्रोसँग उपयुक्त छ, जुन विभिन्न प्रविधिहरू प्रयोग गरेर व्यावसायिक रूपमा उपलब्ध QLC NAND को परीक्षण परिणामहरूद्वारा पुष्टि हुन्छ। त्यस्ता परीक्षणहरूले फ्लोटिंग गेटमा आधारित QLC मेमोरी कक्षहरूमा डाटा डिग्रेडेसन चार्ज ट्र्यापको साथ QLC NAND कक्षहरूमा भन्दा दुई देखि तीन गुणा ढिलो हुन्छ भनेर देखाउँदछ।

यस पृष्ठभूमिको विरुद्धमा, माइक्रोनले इन्टेलसँग यसको फ्ल्याश मेमोरी विकास साझा गर्ने निर्णय गरेको जानकारी, अन्य चीजहरू बीच, चार्ज ट्र्याप सेलहरू प्रयोग गर्न स्विच गर्ने इच्छाको कारण, धेरै रोचक देखिन्छ। Intel मौलिक प्रविधिमा प्रतिबद्ध रहन्छ र यसलाई व्यवस्थित रूपमा सबै नयाँ समाधानहरूमा लागू गर्दछ।

PLC NAND को अतिरिक्त, जुन अझै विकास अन्तर्गत छ, Intel ले अन्य, अधिक किफायती प्रविधिहरू प्रयोग गरेर फ्ल्यास मेमोरीमा जानकारीको भण्डारण घनत्व बढाउन चाहन्छ। विशेष गरी, कम्पनीले 96-लेयर QLC 3D NAND को ठूलो उत्पादनमा आसन्न संक्रमण पुष्टि गर्‍यो: यसलाई नयाँ उपभोक्ता ड्राइभमा प्रयोग गरिनेछ। इंटेल SSD 665p.

यो 144-लेयर QLC 3D NAND को उत्पादनमा निपुणता हासिल गरेर पछ्याइनेछ - यसले अर्को वर्ष उत्पादन ड्राइभमा हिट गर्नेछ। यो उत्सुक छ कि इंटेलले अहिलेसम्म मोनोलिथिक क्रिस्टलको ट्रिपल सोल्डरिंग प्रयोग गर्ने कुनै पनि इरादा अस्वीकार गरेको छ, त्यसैले 96-तहको डिजाइनमा दुई 48-तह क्रिस्टलहरूको ठाडो एसेम्बली समावेश छ, 144-तह प्रविधि स्पष्ट रूपमा 72-तहमा आधारित हुनेछ। "अर्ध-समाप्त उत्पादनहरू"।

QLC 3D NAND क्रिस्टलहरूमा तहहरूको संख्यामा वृद्धिसँगै, इंटेल विकासकर्ताहरूले अझै क्रिस्टलहरूको क्षमता बढाउने इरादा राखेका छैनन्। 96- र 144-लेयर प्रविधिहरूमा आधारित, उही टेराबिट क्रिस्टलहरू पहिलो पुस्ताको 64-लेयर QLC 3D NAND को रूपमा उत्पादन गरिनेछ। यो प्रदर्शनको स्वीकार्य स्तरको साथमा आधारित SSDs प्रदान गर्ने इच्छाको कारणले हो। 144-तह मेमोरी प्रयोग गर्ने पहिलो SSDs Arbordale+ सर्भर ड्राइभहरू हुनेछन्।

स्रोत: 3dnews.ru