सानो तर बोल्ड: एउटा सानो रैखिक कण एक्सेलेरेटर जसले नयाँ रेकर्ड सेट गर्यो

विज्ञान र प्रविधि सहित समाजका धेरै क्षेत्रहरूमा "अधिक शक्तिशाली छ" भन्ने परिचित सिद्धान्त लामो समयदेखि स्थापित भएको छ। यद्यपि, आधुनिक वास्तविकताहरूमा, प्रायः "सानो, तर साहसी" भनाइको व्यावहारिक कार्यान्वयन छ। यो दुबै कम्प्युटरहरूमा प्रकट हुन्छ जसले पहिले पूरै कोठा लिन्छ, र अब बच्चाको हत्केलामा फिट हुन्छ, र कण एक्सेलेटरहरूमा। हो, हो, लार्ज ह्याड्रन कोलाइडर (LHC) सम्झनुहोस्, जसको प्रभावशाली आयाम (लम्बाइमा २६,६५९ मिटर) शाब्दिक रूपमा यसको नाममा संकेत गरिएको छ? ठीक छ, यो पहिले नै विगतमा हो, DESY का वैज्ञानिकहरूका अनुसार, जसले एक्सेलेटरको एक लघु संस्करण विकास गरेका छन्, जुन प्रदर्शनको हिसाबले यसको पूर्ण आकारको पूर्ववर्ती भन्दा कम छैन। यसबाहेक, मिनी एक्सीलरेटरले इम्प्लान्टेड इलेक्ट्रोनको ऊर्जा दोब्बर गरेर टेराहर्ट्ज एक्सेलेटरहरूमा नयाँ विश्व कीर्तिमान पनि कायम गरेको छ। लघु एक्सेलेरेटर कसरी विकसित भयो, यसको सञ्चालनका मुख्य सिद्धान्तहरू के हुन् र व्यावहारिक प्रयोगहरूले के देखाएको छ? अनुसन्धान समूहको प्रतिवेदनले हामीलाई यसबारे जान्न मद्दत गर्नेछ। जानुहोस्।

अनुसन्धानको आधार

DESY (जर्मन इलेक्ट्रोन सिन्क्रोट्रोन) मा Dongfang Zhang र उनका सहकर्मीहरूका अनुसार, जसले मिनी-एक्सिलेटरको विकास गरे, अल्ट्राफास्ट इलेक्ट्रोन स्रोतहरूले आधुनिक समाजमा अविश्वसनीय रूपमा महत्त्वपूर्ण भूमिका खेल्छन्। तिनीहरूमध्ये धेरै चिकित्सा, इलेक्ट्रोनिक्स विकास र वैज्ञानिक अनुसन्धानमा प्रकट हुन्छन्। RF ओसिलेटरहरू प्रयोग गर्ने हालको लिनाकहरूसँग सबैभन्दा ठूलो समस्या तिनीहरूको उच्च लागत, पूर्वाधार जटिलता, र ऊर्जा खपतको लागि ठूलो भूख हो। र त्यस्ता कमजोरीहरूले प्रयोगकर्ताहरूको फराकिलो दायरामा त्यस्ता प्रविधिहरूको उपलब्धतालाई गम्भीर रूपमा सीमित गर्दछ।

यी स्पष्ट समस्याहरू यन्त्रहरू विकास गर्नको लागि ठूलो प्रोत्साहन हो जुन साइजको सर्तमा डरलाग्दो हुनेछैन, साथै शक्ति खपतको डिग्री।

यस उद्योगमा सापेक्ष नवीनताहरू मध्ये, टेराहर्ट्ज एक्सेलेटरहरू छुट्याउन सकिन्छ, जसमा धेरै "गुडीहरू" छन्:

• यो आशा गरिएको छ कि छोटो छालहरू र टेराहर्ट्ज विकिरणको छोटो पल्सले थ्रेसहोल्डमा उल्लेखनीय वृद्धि गर्न अनुमति दिनेछ। ब्रेकडाउन*, फिल्डको कारणले गर्दा, जसले त्वरण ढाँचा बढाउनेछ;

विद्युत बिग्रन* - महत्वपूर्ण भन्दा माथि भोल्टेज लागू गर्दा हालको शक्तिमा तीव्र वृद्धि।

• उच्च-क्षेत्र टेराहर्ट्ज विकिरण उत्पन्न गर्नका लागि कुशल विधिहरूको उपलब्धताले इलेक्ट्रोनहरू र उत्तेजना क्षेत्रहरू बीचको आन्तरिक सिंक्रोनाइजेसन गर्न सम्भव बनाउँछ;
• यस्ता यन्त्रहरू सिर्जना गर्न शास्त्रीय विधिहरू प्रयोग गर्न सकिन्छ, तर तिनीहरूको लागत, उत्पादन समय र आकार धेरै कम हुनेछ।

वैज्ञानिकहरू विश्वास गर्छन् कि तिनीहरूको मिलिमिटर-स्केल टेराहर्ट्ज एक्सेलेरेटर हाल उपलब्ध रहेका परम्परागत एक्सेलेटरहरू र विकास भइरहेको माइक्रो-एक्सिलेटरहरू बीचको सम्झौता हो, तर तिनीहरूको पहिले नै धेरै सानो आयामहरू भएका कारण धेरै बेफाइदाहरू छन्।

शोधकर्ताहरूले इन्कार गर्दैनन् कि टेराहर्ट्ज एक्सेलेरेशन टेक्नोलोजी केही समयको लागि विकासमा छ। यद्यपि, उनीहरूको विचारमा, यस क्षेत्रमा अझै पनि धेरै पक्षहरू छन् जुन अध्ययन, परीक्षण वा कार्यान्वयन गरिएको छैन।

तिनीहरूको काममा, जुन हामी आज विचार गर्दैछौं, वैज्ञानिकहरूले STEAM को सम्भावनाहरू देखाउँछन् (खण्डित terahertz इलेक्ट्रोन एक्सेलेरेटर र हेरफेर) एक सेग्मेन्टेड टेराहर्ट्ज इलेक्ट्रोन एक्सेलेरेटर र हेरफेर हो। STEAM ले इलेक्ट्रोन बीमको लम्बाइलाई सब-पिकोसेकेन्ड अवधिमा घटाउन सम्भव बनाउँछ, यसरी प्रवेग चरणमा फेमटोसेकेन्ड नियन्त्रण प्रदान गर्दछ।

200 MV/m (MV - मेगाभोल्ट) को एक एक्सेलेरेशन फिल्ड हासिल गर्न सम्भव थियो, जसले 70 keV को ऊर्जाको साथ प्रत्यारोपित इलेक्ट्रोन बीमबाट> 55 keV (किलोइलेक्ट्रोनभोल्ट) को रेकर्ड टेराहर्ट्ज एक्सेलेरेशनमा पुर्‍याउँछ। यस तरिकाले, 125 keV सम्मको द्रुत इलेक्ट्रोनहरू प्राप्त गरियो।

उपकरण संरचना र कार्यान्वयन

छवि #1: अध्ययन अन्तर्गत उपकरणको योजना।

छवि नम्बर 1-2: a - विकसित 5-तह सेग्मेन्ट संरचनाको रेखाचित्र, b - गणना गरिएको प्रवेगको अनुपात र इलेक्ट्रोन प्रसारको दिशा।

इलेक्ट्रोन बीम (५५ केभी) बाट उत्पन्न हुन्छ इलेक्ट्रोन बन्दुक* र terahertz STEAM-buncher (बीम कम्प्रेसर) मा प्रस्तुत गरिन्छ, त्यसपछि तिनीहरू STEAM-linac (रैखिक गतिवर्धक*).

इलेक्ट्रोन बन्दुक* - आवश्यक कन्फिगरेसन र ऊर्जाको इलेक्ट्रोन बीम उत्पन्न गर्नको लागि एक उपकरण।

रैखिक गतिवर्धक* - एक एक्सेलेरेटर जसमा चार्ज गरिएको कणहरू संरचनाबाट एक पटक मात्र जान्छ, जसले रैखिक गतिवर्धकलाई चक्रीय (उदाहरणका लागि, LHC) बाट छुट्याउँछ।

दुबै STEAM यन्त्रहरूले एकल नियर इन्फ्रारेड (NIR) लेजरबाट टेराहर्ट्ज पल्सहरू प्राप्त गर्दछ, जसले इलेक्ट्रोन बन्दुकको फोटोकाथोडलाई पनि फायर गर्दछ, परिणामस्वरूप इलेक्ट्रोनहरू र प्रवेग क्षेत्रहरू बीचको आन्तरिक सिंक्रोनाइजेसन हुन्छ। फोटोकाथोडमा फोटो उत्सर्जनका लागि पराबैंगनी दालहरू लगातार दुई चरणहरूमा उत्पन्न हुन्छन्। Gvg* अवरक्त प्रकाशको आधारभूत तरंगदैर्ध्य। यो प्रक्रियाले 1020 एनएम लेजर पल्सलाई पहिले 510 एनएम र त्यसपछि 255 एनएममा रूपान्तरण गर्छ।

Gvg* (दोस्रो हार्मोनिक जेनेरेशन) - ननलाइनर सामग्रीसँग अन्तर्क्रियाको क्रममा समान फ्रिक्वेन्सीसँग फोटोनहरू संयोजन गर्ने प्रक्रिया, जसले दुई गुणा उर्जा र फ्रिक्वेन्सी, साथै आधा तरंगदैर्ध्यका साथ नयाँ फोटोनहरूको गठनमा नेतृत्व गर्दछ।

NIR लेजर बीमको बाँकी भागलाई 4 बीमहरूमा विभाजन गरिएको छ, जुन इन्ट्रा-पल्स फ्रिक्वेन्सी भिन्नता उत्पन्न गरेर चार एकल-चक्र टेराहर्ट्ज पल्सहरू उत्पन्न गर्न प्रयोग गरिन्छ।

त्यसपछि दुई टेराहर्ट्ज पल्सहरू सममित हर्न संरचनाहरू मार्फत प्रत्येक स्टीम यन्त्रमा प्रवेश गर्छन् जसले टेराहर्ट्ज ऊर्जालाई इलेक्ट्रोन प्रसारको दिशामा अन्तरक्रिया क्षेत्रमा निर्देशित गर्दछ।

इलेक्ट्रोनहरू प्रत्येक STEAM यन्त्रहरूमा प्रवेश गर्दा, तिनीहरू विद्युतीय र चुम्बकीय घटकहरूमा उजागर हुन्छन्। लोरेन्ट्ज बल*.

लोरेन्ट्ज बल* विद्युत चुम्बकीय क्षेत्रले चार्ज गरिएको कणमा कार्य गर्ने बल हो।

यस अवस्थामा, विद्युतीय क्षेत्र प्रवेग र मन्दीको लागि जिम्मेवार छ, जबकि चुम्बकीय क्षेत्रले पार्श्व विचलन निम्त्याउँछ।

छवि #2

जसरी हामी चित्रहरूमा देख्छौं 2 и 2b, प्रत्येक STEAM यन्त्र भित्र, terahertz बीमहरू पातलो धातुको पानाहरूद्वारा विभिन्न मोटाइका धेरै तहहरूमा अलग हुन्छन्, जसमध्ये प्रत्येकले वेभगाइडको रूपमा कार्य गर्दछ, कुल ऊर्जाको अंश अन्तरक्रिया क्षेत्रमा स्थानान्तरण गर्दछ। साथै, प्रत्येक तहमा टेराहर्ट्ज सिग्नलको आगमन समयसँग मेल खाने डाइलेक्ट्रिक प्लेटहरू छन्। लहर अगाडि* एक इलेक्ट्रोन अगाडि संग।

वेभफ्रन्ट* छाल पुगेको सतह हो।

दुबै STEAM यन्त्रहरू विद्युतीय मोडमा काम गर्छन्, अर्थात्, अन्तरक्रिया क्षेत्रको केन्द्रमा विद्युतीय क्षेत्र र चुम्बकीय क्षेत्रको दमन उत्पादन गर्ने तरिकामा।

पहिलो उपकरणमा, इलेक्ट्रोनहरू पार गर्नको लागि समय मिलाइएको छ शून्य पार* terahertz फिल्ड, जहाँ बिजुली क्षेत्रको टेम्पोरल ढाँचालाई अधिकतम बनाइन्छ र औसत क्षेत्र न्यूनतम हुन्छ।

शून्य क्रसिङ* - बिन्दु जहाँ कुनै तनाव छैन।

यो कन्फिगरेसनले इलेक्ट्रोन बीमको पुच्छरलाई गति दिन्छ र यसको टाउकोलाई कम गर्न दिन्छ, परिणामस्वरूप ब्यालिस्टिक अनुदैर्ध्य फोकस (2 и 2.०с).

दोस्रो उपकरणमा, इलेक्ट्रोन र टेराहर्ट्ज विकिरणको सिङ्क्रोनाइजेसन सेट गरिएको छ ताकि इलेक्ट्रोन बीमले टेराहर्ट्ज विद्युतीय क्षेत्रको नकारात्मक चक्र मात्र अनुभव गर्दछ। यो कन्फिगरेसनले शुद्ध निरन्तर प्रवेगमा परिणाम दिन्छ (2b и 2d).

NIR लेजर क्रायोजेनिकली कूल्ड Yb:YLF प्रणालीसँग मिल्दोजुल्दो छ जसले 1.2 पीएसको अवधि र 50 एनएमको तरंग लम्बाइ र 1020 हर्ट्जको पुनरावृत्ति दरमा 10 mJ ऊर्जाको साथ अप्टिकल पल्स उत्पादन गर्दछ। र 0.29 terahertz (3.44 ps को अवधि) को केन्द्र आवृत्ति संग terahertz पल्स झुकाव पल्स अगाडि विधि द्वारा उत्पन्न गरिन्छ।

STEAM-बन्चर (बीम कम्प्रेसर) लाई पावर गर्न केवल 2 x 50 nJ terahertz ऊर्जा प्रयोग गरिएको थियो, जबकि 2 x 15 mJ STEAM-linac (रैखिक गतिवर्धक) को लागि आवश्यक थियो।

दुबै STEAM यन्त्रहरूको इनलेट र आउटलेटको व्यास 120 µm छ।

बीम कम्प्रेसर एउटै उचाइ (०.२२५ मिमी) को तीन तहहरूसँग डिजाइन गरिएको छ, जुन समय नियन्त्रणको लागि ०.४२ र ०.८४ मिमी लम्बाइको फ्युज्ड सिलिका प्लेटहरू (ϵr = ४.४१) संग सुसज्जित छन्। कम्प्रेसर तहहरूको समान उचाइहरूले कुनै त्वरण उत्पन्न हुँदैन भन्ने तथ्यलाई प्रतिबिम्बित गर्दछ (2.०с).

तर रेखीय गतिवर्धकमा, उचाइहरू पहिले नै फरक छन् - 0.225, 0.225 र 0.250 मिमी (+ फ्यूज क्वार्ट्ज प्लेटहरू 0.42 र 0.84 मिमी)। तहको उचाइमा भएको वृद्धिले प्रवेगको समयमा इलेक्ट्रोनको गतिमा भएको वृद्धिलाई बताउँछ।

वैज्ञानिकहरूले नोट गर्छन् कि तहहरूको संख्या प्रत्येक दुई यन्त्रहरूको कार्यक्षमताको लागि प्रत्यक्ष रूपमा जिम्मेवार छ। उच्च स्तरको प्रवेग प्राप्त गर्न, उदाहरणका लागि, अन्तरक्रियालाई अनुकूलन गर्न थप तहहरू र फरक उचाइ कन्फिगरेसन आवश्यक हुनेछ।

व्यावहारिक प्रयोगको नतिजा

सबैभन्दा पहिले, शोधकर्ताहरूले सम्झना गराउँछन् कि परम्परागत आरएफ-आधारित एक्सेलेटरहरूमा, प्रत्यारोपित इलेक्ट्रोन बीमको अस्थायी हदको प्रभाव एक्सेलेरेटेड बीमको गुणहरूमा विभिन्न इलेक्ट्रोनहरूद्वारा अन्तरक्रियाको क्रममा अनुभव भएको विद्युतीय क्षेत्रमा परिवर्तनसँग सम्बन्धित छ। बिम विभिन्न समयमा आइपुग्छ। तसर्थ, यो मान्न सकिन्छ कि ठूलो ग्रेडियन्ट भएको क्षेत्र र लामो अवधिको बीमहरूले ठूलो ऊर्जा फैलाउनेछ। लामो-अवधि इन्जेक्टेड बीमहरूले पनि उच्च मानहरू निम्त्याउन सक्छ उत्सर्जन*.

उत्सर्जन* चार्ज गरिएको कणहरूको द्रुत बीमले ओगटेको फेज स्पेस हो।

टेराहर्ट्ज एक्सेलेरेटरको अवस्थामा, उत्तेजना क्षेत्रको अवधि लगभग 200 गुणा कम हुन्छ। त्यसैले, तनाव* समर्थित क्षेत्र 10 गुणा माथि हुनेछ।

विद्युत क्षेत्र बल* - विद्युतीय क्षेत्रको सूचक, यस चार्जको परिमाणमा फिल्डमा दिइएको बिन्दुमा राखिएको निश्चित बिन्दु चार्जमा लागू गरिएको बलको अनुपात बराबर।

यसरी, टेराहर्ट्ज एक्सेलेरेटरमा, इलेक्ट्रोनहरूले अनुभव गरेको फिल्ड ग्रेडियन्टहरू परम्परागत उपकरणको तुलनामा धेरै परिमाणका अर्डरहरू हुन सक्छन्। यस अवस्थामा फिल्डको वक्रता देख्न सकिने समय मापन धेरै सानो हुनेछ। यो यसबाट पछ्याउँछ कि इंजेक्शन इलेक्ट्रोन बीम को अवधि एक अधिक स्पष्ट प्रभाव हुनेछ।

अभ्यासमा वैज्ञानिकहरूले यी सिद्धान्तहरू परीक्षण गर्ने निर्णय गरे। यो गर्नका लागि, तिनीहरूले विभिन्न अवधिको इलेक्ट्रोन बीमहरू प्रस्तुत गरे, जुन पहिलो STEAM उपकरण (STEAM-buncher) को कारण कम्प्रेसनद्वारा नियन्त्रित थियो।

छवि #3

कम्प्रेसर पावर स्रोतमा जडान नभएको अवस्थामा, ∼55 fC (femtocoulomb) को चार्ज भएको इलेक्ट्रोन बीम (1 keV) ले इलेक्ट्रोन बन्दुकबाट रेखीय गतिवर्धक उपकरण (STEAM-linac) सम्म लगभग 300 mm यात्रा गर्यो। यी इलेक्ट्रोनहरू स्पेस चार्ज फोर्सको कार्य अन्तर्गत 1000 fs (फेमटोसेकेन्ड) भन्दा बढीको अवधिसम्म विस्तार गर्न सक्छन्।

यस अवधिको साथ, इलेक्ट्रोन बीमले 60 पीएसको फ्रिक्वेन्सीको साथ एक्सेलेरेटिङ फिल्डको आधा-तरंगको लगभग 1,7% ओगटेको छ, जसले 115 keV मा शिखर र ऊर्जा वितरणको आधा-चौडाइको साथ एक्सेलेरेशन पछि ऊर्जा स्पेक्ट्रमको नेतृत्व गर्यो। ६० केभी भन्दा (3).

यी नतिजाहरूलाई अपेक्षित परिणामहरूसँग तुलना गर्न, इष्टतम इंजेक्शन समयको सन्दर्भमा इलेक्ट्रोनहरू सिङ्कबाट बाहिर हुँदा (जस्तै, मेल खाँदैन) रैखिक गतिवर्धक मार्फत इलेक्ट्रोन प्रचारको स्थिति सिमुलेट गरिएको थियो। यस्तो अवस्थाको गणनाले देखायो कि इलेक्ट्रोन उर्जामा भएको वृद्धि सबपिसेकेन्ड टाइम स्केल सम्मको परिचयको क्षणमा धेरै निर्भर हुन्छ।3b)। अर्थात्, इष्टतम ट्युनिङको साथ, इलेक्ट्रोनले प्रत्येक तहमा टेराहर्ट्ज विकिरण प्रवेगको पूर्ण आधा-चक्र अनुभव गर्नेछ (3.०с).

यदि इलेक्ट्रोनहरू फरक-फरक समयमा आइपुग्छन् भने, तिनीहरूले पहिलो तहमा कम प्रवेग अनुभव गर्छन्, जसबाट तिनीहरूलाई पार गर्न थप समय चाहिन्छ। डिसिंक्रोनाइजेसन त्यसपछि पछिल्ला तहहरूमा बढ्छ, अनावश्यक ढिलो निम्त्याउँछ (3d).

इलेक्ट्रोन बीमको अस्थायी लम्बाइको नकारात्मक प्रभावलाई कम गर्नको लागि, पहिलो STEAM यन्त्र कम्प्रेसन मोडमा सञ्चालन भयो। लिनाकमा इलेक्ट्रोन बीम अवधि कम्प्रेसरमा आपूर्ति गरिएको टेराहर्ट्ज ऊर्जा ट्युन गरेर र लिनाकलाई ह्याचिङ मोडमा स्विच गरेर न्यूनतम ~350 fs (आधा-चौडाइ) मा अनुकूलित गरिएको थियो।4b).

छवि #4

न्यूनतम बीम अवधि फोटोकाथोड UV पल्सको अवधि अनुसार सेट गरिएको थियो, जसको अवधि ~ 600 fs थियो। कम्प्रेसर र पट्टी बीचको दूरीले पनि महत्त्वपूर्ण भूमिका खेलेको छ, जसले मोटो बलको गतिलाई सीमित गर्यो। सँगै लिइएको, यी उपायहरूले त्वरण चरणमा इंजेक्शन चरणको फेमटोसेकेन्ड शुद्धता सुनिश्चित गर्न सम्भव बनाउँदछ।

छवि मा 4 यो देख्न सकिन्छ कि रैखिक त्वरकमा अनुकूलित त्वरण पछि संकुचित इलेक्ट्रोन बीमको ऊर्जा फैलावट असम्पीडितको तुलनामा ~ 4 को कारकले घट्छ। प्रवेगको कारण, संकुचित बीमको ऊर्जा स्पेक्ट्रम उच्च ऊर्जा तर्फ सारिएको छ, असम्पीडित बीमको विपरीत। एक्सेलेरेशन पछि ऊर्जा स्पेक्ट्रमको शिखर लगभग 115 केभी हुन्छ, र उच्च-ऊर्जा पुच्छर लगभग 125 केभी पुग्छ।

यी सूचकहरू, वैज्ञानिकहरूको मामूली कथन अनुसार, टेराहर्ट्ज दायरामा नयाँ त्वरण रेकर्ड (त्वरण अघि यो 70 keV थियो) हो।

तर ऊर्जा फैलावट कम गर्न (4), यो अझ छोटो बीम प्राप्त गर्न आवश्यक छ।

छवि #5

असम्पीडित इन्जेक्टेड बीमको अवस्थामा, बीम साइजको प्याराबोलिक वर्तमान निर्भरताले तेर्सो र ठाडो दिशाहरूमा ट्रान्सभर्स उत्सर्जन प्रकट गर्दछ: εx,n = 1.703 mm*mrad र εy,n = 1.491 mm*mrad (5).

कम्प्रेसनले, बदलामा, ट्रान्सभर्स उत्सर्जनलाई εx,n = ०.२८५ मिमी*mrad (तेर्सो) र εy,n = ०.२४६ मिमी*mrad (ठाडो) को कारकद्वारा सुधार गर्यो।

यो ध्यान दिन लायक छ कि उत्सर्जनमा कमीको डिग्री बीम अवधिमा घटेको डिग्री भन्दा लगभग दुई गुणा ठूलो छ, जुन समयको साथ अन्तरक्रियाको गतिशीलताको ननलाइनरिटीको मापन हो, जब इलेक्ट्रोनहरूले बलियो फोकस र डिफोकसिंग अनुभव गर्दछ। त्वरणको समयमा चुम्बकीय क्षेत्र (5b и 5.०с).

छवि मा 5b यो देख्न सकिन्छ कि इष्टतम समयमा प्रस्तुत गरिएका इलेक्ट्रोनहरूले विद्युतीय क्षेत्र प्रवेगको सम्पूर्ण आधा-चक्र अनुभव गर्दछ। तर इष्टतम समय बिन्दु अघि वा पछि आइपुगेका इलेक्ट्रोनहरूले कम प्रवेग र आंशिक ढिलाइको अनुभव गर्दछ। त्यस्ता इलेक्ट्रोनहरूले कम ऊर्जा प्राप्त गर्छन्, लगभग बोल्दै।

चुम्बकीय क्षेत्र को प्रभाव अन्तर्गत एक समान स्थिति अवलोकन गरिन्छ। इष्टतम समयमा इन्जेक्ट गरिएका इलेक्ट्रोनहरूले सकारात्मक र नकारात्मक चुम्बकीय क्षेत्रहरूको सममित मात्राको अनुभव गर्दछ। यदि इष्टतम समय भन्दा पहिले इलेक्ट्रोनहरूको परिचय भयो भने, त्यहाँ धेरै सकारात्मक क्षेत्रहरू र कम नकारात्मकहरू थिए। इष्टतम समय भन्दा ढिलो इलेक्ट्रोनहरूको परिचयको अवस्थामा, त्यहाँ कम सकारात्मक र अधिक नकारात्मक हुन्छन् (5.०с)। र त्यस्ता विचलनहरूले यस तथ्यलाई निम्त्याउँछ कि इलेक्ट्रोन अक्षको सापेक्ष स्थितिमा निर्भर गर्दै बाँया, दायाँ, माथि वा तल तिर विचलित हुन सक्छ, जसले किरणको फोकस वा डिफोकसिंगसँग सम्बन्धित ट्रान्सभर्स मोमेन्टममा वृद्धि हुन्छ।

अध्ययन को सूक्ष्मता संग एक अधिक विस्तृत परिचित को लागी, म हेर्न को लागी सिफारिस गर्दछु वैज्ञानिकहरु रिपोर्ट и अतिरिक्त सामग्री उहाँलाई।

Epilogue

संक्षेपमा, इलेक्ट्रोन बीमको अवधि घट्यो भने एक्सेलेरेटरको उत्पादकता बढ्नेछ। यस पेपरमा, प्राप्त योग्य बीम अवधि सेटअप ज्यामिति द्वारा सीमित थियो। तर, सिद्धान्तमा, किरण अवधि 100 fs भन्दा कम पुग्न सक्छ।

वैज्ञानिकहरूले यो पनि नोट गर्छन् कि तहहरूको उचाइ घटाएर र तिनीहरूको संख्या बढाएर बीमको गुणस्तर अझ सुधार गर्न सकिन्छ। यद्यपि, यो विधि समस्याहरू बिना छैन, विशेष गरी उपकरण निर्माणको बढ्दो जटिलता।

यो काम एक रैखिक गतिवर्धक को एक लघु संस्करण को एक अधिक व्यापक र विस्तृत अध्ययन को प्रारम्भिक चरण हो। यस तथ्यको बावजुद परीक्षण गरिएको संस्करणले पहिले नै उत्कृष्ट नतिजाहरू देखाउँछ, जुन सही रूपमा रेकर्ड भन्न सकिन्छ, त्यहाँ अझै धेरै काम छ।

तपाइँको ध्यान को लागी धन्यवाद, जिज्ञासु रहनुहोस् र सबैको एक राम्रो हप्ता हो! 🙂

हामीसँग रहनु भएकोमा धन्यवाद। के तपाईलाई हाम्रा लेखहरू मनपर्छ? थप रोचक सामग्री हेर्न चाहनुहुन्छ? हामीलाई अर्डर गरेर वा साथीहरूलाई सिफारिस गरेर समर्थन गर्नुहोस्, Habr प्रयोगकर्ताहरूको लागि 30% छुट प्रविष्टि-स्तर सर्भरहरूको एक अद्वितीय एनालगमा, जुन तपाईंको लागि हामीद्वारा आविष्कार गरिएको थियो: VPS (KVM) E5-2650 v4 (6 कोर) 10GB DDR4 240GB SSD 1Gbps $ 20 बाट वा कसरी सर्भर साझा गर्ने बारे सम्पूर्ण सत्य? (RAID1 र RAID10 सँग उपलब्ध, 24 कोर सम्म र 40GB DDR4 सम्म)।

डेल R730xd 2 गुणा सस्तो? यहाँ मात्र 2 x Intel TetraDeca-Core Xeon 2x E5-2697v3 2.6GHz 14C 64GB DDR4 4x960GB SSD 1Gbps 100 TV $199 बाट नेदरल्याण्ड मा! Dell R420 - 2x E5-2430 2.2Ghz 6C 128GB DDR3 2x960GB SSD 1Gbps 100TB - $99 बाट! बारे पढ्नुहोस् पूर्वाधार कर्पोरेशन कसरी निर्माण गर्ने। डेल R730xd E5-2650 v4 सर्भरहरूको प्रयोगको साथ एक पैसाको लागि 9000 यूरो मूल्यको वर्ग?

स्रोत: www.habr.com