सैमसंगले 100-लेयर 3D NAND को ठूलो उत्पादन सुरु गरेको छ र 300-तहको वाचा गर्दछ

Samsung Electronics बाट एक ताजा प्रेस विज्ञप्ति रिपोर्ट गरियोयसले 3 भन्दा बढी तहहरूसँग 100D NAND को ठूलो उत्पादन सुरु गरेको छ। उच्चतम सम्भावित कन्फिगरेसनले 136 तहहरू भएका चिपहरूका लागि अनुमति दिन्छ, जसले 3D NAND फ्ल्यास मेमोरीको सघन मार्गमा नयाँ माइलस्टोन चिन्ह लगाउँछ। स्पष्ट मेमोरी कन्फिगरेसनको अभावले संकेत गर्दछ कि 100 भन्दा बढी तहहरू भएको चिप दुई वा, सम्भवतः, तीन मोनोलिथिक 3D NAND मर्छन् (उदाहरणका लागि, 48-तह)। सोल्डरिङ क्रिस्टलको प्रक्रियामा, केही सीमा तहहरू नष्ट हुन्छन्, र यसले क्रिस्टलमा तहहरूको संख्यालाई सही रूपमा संकेत गर्न असम्भव बनाउँछ, जसले गर्दा सैमसंग पछि अशुद्धताको आरोप लाग्दैन।

यद्यपि, सामसुङले अनौठो च्यानल होल इचिङमा जोड दिन्छ, जसले मोनोलिथिक संरचनाको मोटाईमा छेड्ने र तेर्सो फ्ल्यास मेमोरी एरेहरूलाई एउटै मेमोरी चिपमा जोड्ने सम्भावना खोल्छ। पहिलो 100-तह उत्पादनहरू 3 Gbit क्षमताको 256D NAND TLC चिपहरू थिए। कम्पनीले यो आउँदो गिरावटमा 512(+) लेयरहरूसँग 100-Gbit चिपहरू उत्पादन गर्न सुरु गर्नेछ।

उच्च क्षमता मेमोरी रिलिज गर्न अस्वीकार तथ्य (सम्भवतः) द्वारा निर्देशित गरिएको छ कि नयाँ उत्पादनहरू जारी गर्दा त्रुटिहरूको स्तर कम क्षमताको मेमोरीको अवस्थामा नियन्त्रण गर्न सजिलो छ। "फ्लोरहरूको संख्या बढाएर" सामसुङले क्षमता नगुमाइकन सानो क्षेत्रफलमा चिप उत्पादन गर्न सक्षम भयो। यसबाहेक, चिप केही तरिकामा सरल भएको छ, किनकि अब मोनोलिथमा 930 मिलियन ठाडो प्वालहरूको सट्टा, यो केवल 670 मिलियन प्वालहरू खोद्न पर्याप्त छ। सामसुङका अनुसार यसले उत्पादन चक्रलाई सरल र छोटो पारेको छ र श्रम उत्पादकतामा २०% वृद्धि भएको छ, जसको अर्थ बढी र कम लागत भएको छ।

100-लेयर मेमोरीमा आधारित, सैमसंगले SATA इन्टरफेसको साथ 256 GB SSD उत्पादन गर्न थाल्यो। उत्पादनहरू PC OEMs लाई आपूर्ति गरिनेछ। यसमा कुनै शङ्का छैन कि सामसुङले चाँडै भरपर्दो र अपेक्षाकृत सस्तो सॉलिड-स्टेट ड्राइभहरू प्रस्तुत गर्नेछ।

100-तह संरचनामा संक्रमणले हामीलाई प्रदर्शन वा शक्ति खपत त्याग गर्न बाध्य पारेन। नयाँ 256Gbit 3D NAND TLC 10-लेयर मेमोरी भन्दा 96% छिटो थियो। चिपको नियन्त्रण इलेक्ट्रोनिक्सको सुधारिएको डिजाइनले डेटा स्थानान्तरण दरलाई 450 μs भन्दा कम र पढ्ने मोडमा 45 μs भन्दा कम राख्न सम्भव बनायो। एकै समयमा, खपत 15% द्वारा घटाइएको थियो। सबैभन्दा चाखलाग्दो कुरा यो हो कि 100-लेयर 3D NAND मा आधारित, कम्पनीले 300-लेयर 3D NAND जारी गर्ने वाचा गर्छ, केवल तीनवटा परम्परागत रूपमा मोनोलिथिक 100-लेयर क्रिस्टलहरू जोडेर। यदि सामसुङले अर्को वर्ष ३००-लेयर थ्रीडी नान्डको ठूलो उत्पादन सुरु गर्न सक्छ भने, यो प्रतिस्पर्धीहरूका लागि पीडादायी हुनेछ। चीनमा उदीयमान फ्लैश मेमोरी उद्योग।

स्रोत: 3dnews.ru