Samsung ले 12 GB प्रति स्ट्याकको रेकर्ड क्षमताको साथ 3-लेयर HBM36E मेमोरी विकास गरेको छ

Сегмент памяти типа HBM сейчас развивается очень динамично, поскольку именно ею оснащаются востребованные рынком ускорители вычислений для систем искусственного интеллекта. Компания Samsung Electronics заявила о разработке первого в мире 12-ярусного стека HBM3E совокупной ёмкостью 36 Гбайт, который обеспечивает передачу информации со скоростью 1280 Гбайт/с. Источник изображения: Samsung Electronics
स्रोत: 3dnews.ru

एक टिप्पणी थप्न