सैमसंगले 160-लेयर 3D NAND मेमोरीको विकासलाई गति दिन्छ

यो हप्ता चिनियाँ कम्पनी YMTC रिपोर्ट गरियो रेकर्ड तोड्ने 128-तह 3D NAND फ्लैश मेमोरीको विकासमा। चिनियाँहरूले 96-तह मेमोरीको उत्पादन चरण छोड्नेछ र वर्षको अन्त्यमा तिनीहरूले तुरुन्तै 128-तह मेमोरी उत्पादन गर्न सुरु गर्नेछन्। यसरी, तिनीहरू उद्योगका नेताहरूको स्तरमा पुग्नेछन्, जुन साँढेको अगाडि रातो र्याग हल्लाउनु बराबर हो। र "बुलहरू" ले अपेक्षित रूपमा प्रतिक्रिया गरे।

दक्षिण कोरियाली साइट ETNews आज रिपोर्ट गरियोकि सामसुङले 160-लेयर 3D NAND (वा V-NAND, जसलाई कम्पनीले बहु-तह फ्ल्यास मेमोरी भन्छ) को विकासलाई गति दिएको छ। सामसुङले यसलाई "सुपर ग्याप" रणनीति वा अगाडि खेल्ने भनेको छ, जसले दक्षिण कोरियाली प्राविधिक नेताहरूलाई प्रतिस्पर्धामा अगाडि रहन मद्दत गर्नुपर्छ। सामसुङको सफलता दक्षिण कोरियाको अर्थतन्त्रको केन्द्रविन्दुमा रहेको हुनाले यो सम्पूर्ण राष्ट्रको समृद्धिको विषय भएकोले कम्पनीले आफ्नो कामलाई गम्भीरताका साथ लिन्छ।

सैमसंगले 100+ लेयरहरूसँग मेमोरी प्रस्तुत गर्‍यो गत वर्ष अगस्ट। हामी मान्न सक्छौं कि कम्पनीले लगातार तेस्रो क्वाटरको लागि परम्परागत रूपमा 128-लेयर मेमोरी जारी गरिरहेको छ (तहहरूको सही संख्या निश्चितको लागि अज्ञात रहन्छ)। दृश्यमा अर्को 160 वा अझ धेरै तहहरूसँग Samsung मेमोरी हुनुपर्छ। यो V-NAND मेमोरीको 7 औं पुस्ताको हुनेछ। अफवाहहरू अनुसार, कम्पनीले यसको विकासमा महत्त्वपूर्ण प्रगति गरेको छ। त्यहाँ एक राय छ कि सैमसंग 160-तह मार्कमा पुग्ने पहिलो हुनेछ, जस्तै 3D NAND मेमोरीको सबै अघिल्लो पुस्ताहरूमा भएको थियो।

स्रोत: 3dnews.ru