सैमसंगले 8Gbit तेस्रो पुस्ताको 4nm-वर्ग DDR10 चिप्सको विकास पूरा गरेको छ

Samsung Electronics ले 10 nm प्रक्रिया प्रविधिमा डुब्न जारी राखेको छ। यस पटक, दोस्रो पुस्ताको 16nm क्लास (4y-nm) प्रक्रिया प्रविधि प्रयोग गरेर DDR10 मेमोरीको ठूलो उत्पादन सुरु भएको १६ महिनापछि, दक्षिण कोरियाली निर्माताले 1nm वर्गको तेस्रो पुस्ताको प्रयोग गरेर DDR4 मेमोरीको विकास पूरा गरेको छ। 10z-nm) प्रक्रिया प्रविधि। के महत्त्वपूर्ण छ कि तेस्रो-पुस्ताको 1nm वर्ग प्रक्रियाले अझै पनि 10nm लिथोग्राफी स्क्यानरहरू प्रयोग गर्दछ र कम-कार्यक्षमता EUV स्क्यानरहरूमा भर पर्दैन। यसको मतलब यो हो कि नवीनतम 193z-nm प्रक्रिया प्रविधि प्रयोग गरेर मेमोरीको ठूलो उत्पादनमा संक्रमण तुलनात्मक रूपमा छिटो र लाइनहरू पुन: सुसज्जित गर्नको लागि महत्त्वपूर्ण वित्तीय लागत बिना हुनेछ।

कम्पनीले यस वर्षको दोस्रो छमाहीमा 8 एनएम वर्गको 4z-nm प्रक्रिया प्रविधि प्रयोग गरेर 1-Gbit DDR10 चिपहरूको ठूलो उत्पादन सुरु गर्नेछ। 20nm प्रक्रिया टेक्नोलोजीमा संक्रमण पछि सामान्य भएको जस्तै, सैमसंगले प्रक्रिया प्रविधिको सही विशिष्टताहरू खुलासा गर्दैन। कम्पनीको 1x-nm 10-nm वर्गको प्राविधिक प्रक्रियाले 18 nm मापदण्डहरू पूरा गर्छ, 1y-nm प्रक्रियाले 17- वा 16-nm मापदण्डहरू पूरा गर्छ, र पछिल्लो 1z-nm 16- वा 15-nm मापदण्डहरू पूरा गर्छ, र हुनसक्छ 13 एनएम सम्म। जे भए पनि, प्राविधिक प्रक्रियाको मापन घटाउँदा फेरि एक वेफरबाट क्रिस्टलको उपज बढ्यो, जस्तै सैमसंगले स्वीकार गर्दछ, २०% ले। भविष्यमा, यसले कम्पनीलाई नयाँ मेमोरी सस्तो वा राम्रो मार्जिनमा बेच्न अनुमति दिनेछ जबसम्म प्रतिस्पर्धीहरूले उत्पादनमा समान परिणामहरू प्राप्त गर्दैनन्। यद्यपि, यो थोरै डरलाग्दो छ कि सैमसंग 20z-nm 1 Gbit DDR16 क्रिस्टल सिर्जना गर्न असमर्थ थियो। यसले उत्पादनमा दोष दर बढ्ने आशामा संकेत गर्न सक्छ।

10nm क्लास प्रोसेस टेक्नोलोजीको तेस्रो पुस्ताको प्रयोग गरेर, कम्पनी उच्च-अन्त पीसीहरूको लागि सर्भर मेमोरी र मेमोरी उत्पादन गर्ने पहिलो हुनेछ। भविष्यमा, 1z-nm 10nm वर्ग प्रक्रिया प्रविधि DDR5, LPDDR5 र GDDR6 मेमोरीको उत्पादनको लागि अनुकूलित हुनेछ। सर्भरहरू, मोबाइल उपकरणहरू र ग्राफिक्सहरूले छिटो र कम मेमोरी-भोक मेमोरीको पूर्ण फाइदा लिन सक्षम हुनेछन्, जुन पातलो उत्पादन मापदण्डहरूमा संक्रमणद्वारा सहज हुनेछ।

स्रोत: 3dnews.ru