वर्षको अन्त्यमा, चिनियाँ निर्माता ChangXin मेमोरीले 8-Gbit LPDDR4 चिपहरू उत्पादन गर्न सुरु गर्नेछ।

ताइवानमा उद्योग स्रोतहरूका अनुसार, जुन बुझाउँछ इन्टरनेट स्रोत DigiTimes, चिनियाँ मेमोरी निर्माता ChangXin Memory Technologies (CXMT) ले LPDDR4 मेमोरीको ठूलो उत्पादनको लागि लाइनहरू तयारी गरिरहेको छ। ChangXin, जसलाई इनोट्रोन मेमोरी पनि भनिन्छ, ले १९nm प्रविधि प्रयोग गरेर आफ्नै DRAM उत्पादन प्रक्रिया विकास गरेको भनिन्छ।

आफ्नो पहिलो 300 एमएम उद्यम मा मेमोरी को व्यावसायिक उत्पादन को लागी, ChangXin थियो सुरु 2019 को पहिलो हाफमा। अफसोस, यो अहिलेसम्म भएको छैन। तर 8-Gbit DDR4 LPDDR4 चिप्सको उत्पादन सुरु गर्दा प्रति महिना 20 हजार 300-nm सिलिकन वेफरको क्षमता विस्तार हुनेछ। ChangXin इन्टरप्राइजमा लाइनहरूको अधिकतम क्षमता प्रति महिना 125 हजार 300 मिमी वेफरहरूमा पुग्छ। तर यो पनि सीमा छैन। कम्पनीले अर्को वर्ष ३०० एमएम मेमोरी वेफर्स प्रशोधन गर्न दोस्रो प्लान्ट निर्माण सुरु गर्ने बताएको छ।

एकै समयमा, यो चिनियाँ निर्माताले फरक प्रकारको समस्या सामना गर्न सक्छ। याद गरौं कि पहिलो चिनियाँ कम्पनी जसले DRAM मेमोरीको ठूलो उत्पादन सुरु गर्न गइरहेको थियो फुजियान जिन्हुआ थियो। प्रतिबन्धको सूचीमा समावेश गरिएको थियो संयुक्त राज्य अमेरिकाले अमेरिकी साझेदारहरूबाट उत्पादन उपकरणहरू खरिद गर्न प्रतिबन्ध लगाएको छ। ताइवानमा, तिनीहरू विश्वास गर्छन् कि चाङजिनले फुजियान जस्तै समस्याहरू सामना गर्नेछन्। थप रूपमा, यसले जापानी एल्पिडाको पूर्व ताइवानी सहायक कम्पनीबाट योग्य इन्जिनियरहरू भर्ती गर्‍यो, जसको व्यवसाय अमेरिकी माइक्रोनले अवशोषित गरेको थियो। विश्लेषकहरूले माइक्रोनबाट ChangXin विरुद्ध दावी र चिनियाँ पक्षले प्रतिक्रिया नदिएमा प्रतिबन्धको अपेक्षा गर्छन्।

समानान्तरमा, ChangXin 17 nm मापदण्डहरूको साथ मेमोरी उत्पादन गर्न प्राविधिक प्रक्रिया विकास गर्दैछ। २०२१ मा विकास पूरा हुने अपेक्षा गरिएको छ। सम्भवतः, दोस्रो ChangXin प्लान्टले यी मानकहरूसँग DRAM क्रिस्टलको उत्पादनको साथ काम सुरु गर्नेछ। जबसम्म, निस्सन्देह, अमेरिकी प्रतिबन्धहरू र माइक्रोनको षड्यन्त्रहरू उनको बाटोमा एक दुर्गम अवरोध बन्छन्।

स्रोत: 3dnews.ru