De Fransen presenteerden de GAA-transistor met zeven niveaus van morgen
Het is lange tijd geen geheim geweest dat met de 3nm-procestechnologie transistors van verticale ‘fin’ FinFET-kanalen naar horizontale nanopaginakanalen zullen gaan die volledig omgeven zijn door poorten of GAA (gate-all-around). Vandaag heeft het Franse instituut CEA-Leti laten zien hoe FinFET-transistorproductieprocessen kunnen worden gebruikt om GAA-transistoren met meerdere niveaus te produceren. En het behoud van de continuïteit van technische processen is een betrouwbare basis voor snelle transformatie. Voor het VLSI Technology & Circuits Symposium […]