De overstap van silicium naar breedbandhalfgeleiders (galliumnitride, siliciumcarbide en anderen) maakt het mogelijk om de werkfrequenties aanzienlijk te verhogen en de effectiviteit van oplossingen te verbeteren. Daarom is Ć©Ć©n van de veelbelovende toepassingsgebieden van breedbandchips en transistors communicatie en radar. Elektronica met GaN-oplossingen levert een toename in vermogen en uitbreiding van de bereik van radar, wat de militaire instanties meteen hebben benut.
Lockheed Martin , dat de eerste mobiele radarinstallaties (RLS) op basis van elektronica met galliumnitride-elementen zijn geleverd aan het Amerikaanse leger. Het bedrijf heeft niets nieuws uitgevonden. De bestaande tegenbatterijradars AN/TPQ-53 zijn vanaf 2010 omgezet naar de GaN-basis. Dit is de eerste en tot nu toe enige radar ter wereld die gebruik maakt van breedbandhalfgeleiders.
Door over te schakelen naar actieve GaN-componenten heeft de AN/TPQ-53 radar het bereik van het detecteren van verborgen artillerieposities vergroot en de mogelijkheid gekregen om tegelijkertijd luchtdoelen te volgen. In het bijzonder wordt de AN/TPQ-53 radar gebruikt tegen drones, inclusief kleine apparaten. Identificatie van verborgen artillerieposities kan plaatsvinden in een sector van 90 graden, evenals met een 360-graden panoramisch overzicht.
Lockheed Martin is de enige leverancier van radars met een actieve fasegeleide antenne (FAR) aan het Amerikaanse leger. De overstap naar een GaN-elementenbasis stelt het bedrijf in staat om langdurig leiderschap te behalen op het gebied van verbetering en productie van radarinstallaties.
Bron: 3dnews.ru
