Google heeft de techniek 'Half-Double' gepresenteerd, een nieuwe aanvalstechniek van de RowHammer-klasse die in staat is om de inhoud van afzonderlijke bits in dynamisch werkgeheugen (DRAM) te veranderen. De aanval kan worden gereproduceerd op sommige moderne DRAM-chips, waarvan de fabrikanten erin zijn geslaagd de geometrie van de cellen te verkleinen.
Ter herinnering, RowHammer-aanvallen maken het mogelijk om de inhoud van afzonderlijke bits in het geheugen te vervormen door gegevens uit aangrenzende geheugencellen cyclisch te lezen. Aangezien DRAM-geheugen een tweedimensionale array van cellen vormt, waarbij elke cel bestaat uit een condensator en een transistor, leidt het continu lezen van dezelfde geheugenruimte tot spanningsfluctuaties en anomalieƫn die een kleine verlies van lading in aangrenzende cellen veroorzaken. Als de leesintensiteit hoog genoeg is, kan een aangrenzende cel een aanzienlijke hoeveelheid lading verliezen, waardoor de volgende regeneratiecyclus niet in staat is om de oorspronkelijke staat te herstellen, wat zal leiden tot veranderingen in de waarde van de in de cel opgeslagen gegevens.
Om zich te beschermen tegen RowHammer hebben chipfabrikanten het TRR-mechanisme (Target Row Refresh) geĆÆmplementeerd, dat beschermt tegen de vervorming van cellen in aangrenzende rijen. De Half-Double-methode maakt het mogelijk deze bescherming te omzeilen door te manipuleren dat vervormingen niet beperkt blijven tot aangrenzende rijen en zich ook naar andere rijen van het geheugen verspreiden, zij het in mindere mate. Ingenieurs van Google hebben aangetoond dat voor opeenvolgende rijen geheugen 'A', 'B' en 'C', het mogelijk is om rij 'C' aan te vallen bij zeer intensieve toegang tot rij 'A' en een geringe activiteit die rij 'B' aanraakt. Toegang tot rij 'B' tijdens de aanval activeert niet-lineaire ladinglekkages en maakt het mogelijk rij 'B' te gebruiken als transport voor de translatieve effecten van Rowhammer van rij 'A' naar 'C'.
In tegenstelling tot de TRRespass-aanval, die profiteert van tekortkomingen in verschillende implementaties van het mechanisme ter voorkoming van celvervorming, is de Half-Double-aanval gebaseerd op de fysische eigenschappen van het silicium substraat. Half-Double laat zien dat de effecten die waarschijnlijk leiden tot Rowhammer een eigenschap van afstand zijn en niet van directe nabijheid van cellen. Bij het verkleinen van de geometrie van cellen in moderne chips neemt ook de straal van invloed van de vervormingen toe. Het is niet uitgesloten dat het effect op meer dan twee rijen afstand waarneembaar zal zijn.
Er wordt opgemerkt dat samen met de JEDEC-vereniging verschillende voorstellen zijn ontwikkeld met een analyse van mogelijke manieren om dergelijke aanvallen te blokkeren. De informatie over de methode is vrijgegeven, omdat Google van mening is dat het uitgevoerde onderzoek het begrip van het Rowhammer-fenomeen aanzienlijk vergroot en het belang onderstreept van samenwerking tussen onderzoekers, chipfabrikanten en andere belanghebbenden bij de ontwikkeling van een volledig en langdurig beveiligingsoplossing.
Bron: opennet.ru
