Amerikaanse onderzoekers een geheugencel die gegevens vastlegt door metaallagen van drie atomen dik mechanisch te verplaatsen. Een dergelijke geheugencel belooft de hoogste opnamedichtheid en vereist een minimum aan energie voor de implementatie ervan.
De ontwikkeling werd gerapporteerd door een gezamenlijke groep wetenschappers van het SLAC-laboratorium van Stanford University, de University of California in Berkeley en Texas A&M University. Gegevens gepubliceerd in het tijdschrift .
De wetenschappers voerden een reeks experimenten uit met stapels van een 2D-metaal genaamd wolfraamditelluride. Elke laag 2D-metaal in de stapel was drie atomen dik, wat een zeer dichte opname beloofde vergeleken met siliciumgeheugencellen. Experimenten hebben aangetoond dat een kleine hoeveelheid energie die op de stapel wordt toegepast, het verschuiven (verplaatsen) van elke oneven laag in een stapel lagen veroorzaakt. Dit gebeurt zo snel dat de ontdekking zou kunnen leiden tot de creatie van extreem krachtig computergeheugen, dat informatie kan opslaan zonder stroomvoorziening (niet-vluchtig).
Het registreren van informatie (nul of één) vindt plaats tijdens het verplaatsen van een laag metaal in een stapel. Laagverplaatsing veroorzaakt veranderingen in de beweging van elektronen in de bovenste en onderste lagen van 2D-metalen ten opzichte van de verplaatste laag. Om deze informatie te lezen, stellen wetenschappers voor een kwantumeffect te gebruiken, genaamd . Dit is een magnetische flux die in het materiaal wordt gegenereerd en die optreedt wanneer geladen deeltjes binnen het kristalrooster bewegen.
Afgaande op de beschrijving van het experiment is geheugen op verschuifbare lagen in stapels 2D-metalen een heel, heel ver vooruitzicht. Maar het vooruitzicht is zeer verleidelijk en belooft een honderd keer snellere gegevensregistratie voor langdurige opslag. Onderweg moeten er veel experimenten worden gedaan en moet de beste combinatie van materialen worden geselecteerd.
Bron:
Bron: 3dnews.ru