Samsung versnelt de ontwikkeling van 160-laags 3D NAND-geheugen

Deze week het Chinese bedrijf YMTC gerapporteerd over de ontwikkeling van een recordbrekend 128-laags 3D NAND-flashgeheugen. De Chinezen zullen de productiefase van geheugen met 96 lagen overslaan en aan het einde van het jaar onmiddellijk beginnen met de productie van geheugen met 128 lagen. Zo zullen ze het niveau van marktleiders bereiken, wat gelijk staat aan het zwaaien met een rode lap voor een stier. En de “stieren” reageerden zoals verwacht.

Samsung versnelt de ontwikkeling van 160-laags 3D NAND-geheugen

Zuid-Koreaanse site ETNews vandaag сообщилdat Samsung de ontwikkeling van 160-laags 3D NAND (of V-NAND, zoals het bedrijf multi-layer flash-geheugen noemt) heeft versneld. Samsung noemt het een ‘super gap’-strategie, of vooruit spelen, die de Zuid-Koreaanse technologieleiders zou moeten helpen de concurrentie voor te blijven. Omdat het succes van Samsung de kern vormt van de Zuid-Koreaanse economie, is het een kwestie van welvaart voor het hele land, dus neemt het bedrijf zijn werk serieus.

Samsung introduceerde geheugen met meer dan 100 lagen erin Augustus vorig jaar. We kunnen aannemen dat het bedrijf voor het derde kwartaal op rij conventioneel geheugen met 128 lagen heeft uitgebracht (het exacte aantal lagen blijft met zekerheid onbekend). Het volgende op de scène zou Samsung-geheugen moeten zijn met 160 of zelfs meer lagen. Het zal tot de 7e generatie VNAND-geheugen behoren. Volgens geruchten heeft het bedrijf aanzienlijke vooruitgang geboekt in zijn ontwikkeling. Er wordt aangenomen dat Samsung de eerste zal zijn die de grens van 160 lagen zal bereiken, zoals gebeurde met alle voorgaande generaties 3D NAND-geheugen.



Bron: 3dnews.ru

Voeg een reactie