Vermogenshalfgeleiders gaan nog een stap verder. In plaats van silicium wordt galliumnitride (GaN) gebruikt. GaN-omvormers en voedingen werken met een efficiëntie tot 99% en leveren de hoogste efficiëntie aan energiesystemen, van energiecentrales tot elektriciteitsopslag- en gebruikssystemen. De leiders van de nieuwe markt zijn bedrijven uit de VS, Europa en Japan. Nu naar dit gebied het eerste bedrijf uit China.
Onlangs bracht de Chinese gadgetfabrikant ROCK de eerste oplader uit die snel opladen op een ‘Chinese chip’ ondersteunt. De doorgaans conventionele oplossing is gebaseerd op de GaN-stroommodule uit de InnoGaN-serie van Inno Science. De chip is gemaakt in de standaard DFN 8x8-vormfactor voor compacte voedingen.
De 2W ROCK 1C65AGaN-oplader is compacter en functioneler dan de Apple 61W PD-oplader (vergelijking op de foto hierboven). De Chinese oplader kan drie apparaten tegelijkertijd opladen via twee USB Type-C- en één USB Type-A-interfaces. ROCK is van plan om in de toekomst versies van snelladers met een vermogen van 100 en 120 W op Chinese GaN-assemblages uit te brengen. Daarnaast werken ongeveer tien andere Chinese fabrikanten van opladers en voedingen samen met de fabrikant van GaN-stroomelementen, Inno Science.
Het onderzoek van Chinese bedrijven en in het bijzonder het bedrijf Inno Science op het gebied van GaN-stroomcomponenten moet ertoe leiden dat China onafhankelijk wordt van buitenlandse leveranciers van soortgelijke oplossingen. Inno Science beschikt over een eigen ontwikkelingscentrum en laboratorium voor een volledige cyclus van testoplossingen. Maar belangrijker nog: het beschikt over twee productielijnen om GaN-oplossingen te produceren op wafers van 200 mm. Voor de wereld en zelfs voor de Chinese markt is dit een druppel op een gloeiende plaat. Maar je moet ergens beginnen.
Bron: 3dnews.ru