{"id":100281,"date":"2021-05-26T04:22:47","date_gmt":"2021-05-26T02:22:48","guid":{"rendered":"https:\/\/prohoster.info\/blog\/novosti-interneta\/novaya-tehnika-ataki-rowhammer-na-dram-pamyat"},"modified":"2021-05-26T04:22:47","modified_gmt":"2021-05-26T02:22:48","slug":"novaya-tehnika-ataki-rowhammer-na-dram-pamyat","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/prohoster.info\/nl\/blog\/news\/novaya-tehnika-ataki-rowhammer-na-dram-pamyat","title":{"rendered":"Nieuwe aanvalstechniek RowHammer op DRAM-geheugen","gt_translate_keys":[{"key":"rendered","format":"text"}]},"content":{"rendered":"
Google heeft de techniek «Half-Double» ge\u00efntroduceerd, een nieuwe aanvalsmethode van de RowHammer-klasse, die het mogelijk maakt om de inhoud van individuele bits in dynamisch random-access geheugen (DRAM) te wijzigen. De aanval kan worden uitgevoerd op enkele moderne DRAM-chips van fabrikanten die de geometrie van cellen hebben verminderd. <\/p>\n
Ter herinnering, RowHammer-aanvallen maken het mogelijk om de inhoud van afzonderlijke bits in het geheugen te vervormen door gegevens uit aangrenzende geheugencellen cyclisch te lezen. Aangezien DRAM-geheugen een tweedimensionale array van cellen vormt, waarbij elke cel bestaat uit een condensator en een transistor, leidt het continu lezen van dezelfde geheugenruimte tot spanningsfluctuaties en anomalie\u00ebn die een kleine verlies van lading in aangrenzende cellen veroorzaken. Als de leesintensiteit hoog genoeg is, kan een aangrenzende cel een aanzienlijke hoeveelheid lading verliezen, waardoor de volgende regeneratiecyclus niet in staat is om de oorspronkelijke staat te herstellen, wat zal leiden tot veranderingen in de waarde van de in de cel opgeslagen gegevens. <\/p>\n
Om zich te beschermen tegen RowHammer hebben chipfabrikanten het TRR-mechanisme (Target Row Refresh) ge\u00efmplementeerd, dat voorkomt dat cellen in aangrenzende rijen worden vervormd. De Half-Double-methode kan deze bescherming omzeilen door te manipuleren dat vervormingen niet beperkt zijn tot aangrenzende rijen en zich ook verspreiden naar andere geheugenrijen, zij het in mindere mate. Ingenieurs van Google hebben aangetoond dat het mogelijk is om rij «C» aan te vallen bij zeer intensieve toegang tot rij «A» en een beperkte activiteit die rij «B» betreft. Toegangen tot rij «B» tijdens de aanval activeert niet-lineaire ladinglekkage en stelt rij «B» in staat om te fungeren als transport voor het overdragen van het RowHammer-effect van rij «A» naar rij «C».
<\/center> <\/p>\n
In tegenstelling tot de TRRespass-aanval, die profiteert van tekortkomingen in verschillende implementaties van het mechanisme ter voorkoming van celvervorming, is de Half-Double-aanval gebaseerd op de fysische eigenschappen van het silicium substraat. Half-Double laat zien dat de effecten die waarschijnlijk leiden tot Rowhammer een eigenschap van afstand zijn en niet van directe nabijheid van cellen. Bij het verkleinen van de geometrie van cellen in moderne chips neemt ook de straal van invloed van de vervormingen toe. Het is niet uitgesloten dat het effect op meer dan twee rijen afstand waarneembaar zal zijn. <\/p>\n
Er wordt opgemerkt dat samen met de JEDEC-vereniging verschillende voorstellen zijn ontwikkeld met een analyse van mogelijke manieren om dergelijke aanvallen te blokkeren. De informatie over de methode is vrijgegeven, omdat Google van mening is dat het uitgevoerde onderzoek het begrip van het Rowhammer-fenomeen aanzienlijk vergroot en het belang onderstreept van samenwerking tussen onderzoekers, chipfabrikanten en andere belanghebbenden bij de ontwikkeling van een volledig en langdurig beveiligingsoplossing. \n Bron: opennet.ru<\/a> <\/p>","protected":false,"gt_translate_keys":[{"key":"rendered","format":"html"}]},"excerpt":{"rendered":"
![\"Nieuwe](\"\/wp-content\/uploads\/2021\/05\/3b26e2f816dd022ccaaf8928c4660360.png\")
<\/center> <\/p>\n