Franskmennene presenterte morgendagens GAA-transistor med syv nivåer
Det har lenge ikke vært noen hemmelighet at med 3nm-prosessteknologien vil transistorer bevege seg fra vertikale "fin" FinFET-kanaler til horisontale nanopage-kanaler fullstendig omgitt av porter eller GAA (gate-all-around). I dag viste det franske instituttet CEA-Leti hvordan produksjonsprosesser for FinFET-transistorer kan brukes til å produsere flernivås GAA-transistorer. Og å opprettholde kontinuiteten i tekniske prosesser er et pålitelig grunnlag for rask transformasjon. For VLSI Technology & Circuits Symposium […]