Kineserne vil begynne å ha en merkbar innflytelse på NAND-markedet neste år

Som vi gjentatte ganger har rapportert, vil masseproduksjon av 64-lags 3D NAND-minne begynne i Kina mot slutten av dette året. Minneprodusenten Yangtze Memory Technologies (YMTC) og dens overordnede struktur, Tsinghua Unigroup, har snakket om dette mer enn én eller to ganger. Av uoffisielle data, kan masseproduksjon av 64-lags 128-Gbit YMTC-brikker begynne i tredje kvartal. Distribusjon av prøver av slikt minne, avklare DRAMeXchange-analytikere fra TrendForce, startet selskapet i første kvartal i år. Nå produserer Wuhan-anlegget, hvor YMTCs første 300 mm silisiumwafer-prosessanlegg ligger, begrensede mengder 32-lags 64Gbit 3D NAND.

Den kinesiske produsenten startet ikke masseproduksjon av 32-lags 3D NAND og fokuserte på målet om å gå over til produksjon av mer eller mindre konkurrerende 128-Gbit 64-lags NAND-blits så snart som mulig. Dette vil åpne veien til produksjonsvolumer ved det første YMTC-anlegget neste år på nivået 60 tusen 300 mm wafere per måned. Slike volumer kan ikke sammenlignes med egenskapene til Samsung, SK Hynix eller Micron, som hver behandler opptil 200 tusen substrater per måned. Men disse volumene av kinesisk 3D NAND kan forverre negative markedstrender for produsenter, og som DRAMeXchange er sikker på, vil de definitivt ha en betydelig innvirkning på markedet for NAND-minne og produkter basert på slikt minne neste år.

For øvrig gir erfarne konkurrenter selv YMTC et forsprang. I år, for å dempe overproduksjon, reduserer markedsledere investeringene i utviklingen av industrilinjer og til og med delvis - med 5-15 % - reduserer volumet av dagens produksjon av 3D NAND-brikker. Dette betyr at overgangen til masseproduksjon av 92-96-lags 3D NAND i stedet for 64-72-lags vil bremses og utsettes til neste år. Dette vil også forsinke overgangen til ledere til utgivelsen av 128-lags 3D NAND. YMTC, tvert imot, reduserer ikke bare investeringer, den vil bevisst hoppe over utgivelsen av 96-lags 3D NAND og umiddelbart begynne å produsere 128-lags minne neste år. Dette teknologiske gjennombruddet vil redusere gapet mellom kineserne og deres amerikanske og sørkoreanske konkurrenter til et år eller to, noe som heller ikke lover godt for industriveteraner.

Kilde: 3dnews.ru