Minnemoduler bygget på Samsung B-die-brikker er kanskje et av de mest populære alternativene blant entusiaster. Den sørkoreanske produsenten anser dem imidlertid som foreldet og stopper for tiden produksjonen, og tilbyr erstatninger med andre DDR4-minnebrikker, hvis produksjon bruker nyere tekniske prosesser. Dette betyr at Samsungs ubuffrede DDR4-minnemoduler basert på B-die-brikker nå har nådd slutten av livssyklusen og snart er utsolgt. Andre produsenter som bruker Samsung B-die-brikker i produktene sine, vil også slutte å levere lignende moduler.
Samsung B-die-brikker og minnemoduler basert på dem har vunnet bred anerkjennelse på grunn av deres allsidighet og overklokkingspotensial. De skalerer perfekt i frekvens, reagerer godt på økninger i forsyningsspenning og tillater drift med ekstremt aggressive timing. En egen viktig fordel med moduler basert på Samsung B-die-brikker er deres upretensiøsitet og brede kompatibilitet med forskjellige minnekontrollere, som de er spesielt elsket av eiere av systemer basert på Ryzen-prosessorer for.
For produksjon av B-die-brikker brukes imidlertid en ganske gammel teknologisk prosess med 20 nm-standarder, så Samsungs ønske om å forlate produksjonen av slike halvlederenheter til fordel for mer moderne alternativer er ganske forståelig. For ikke lenge siden kunngjorde selskapet produksjonsstart av DDR4 SDRAM-brikker ved bruk av 1z-nm-teknologi (tredje generasjon), og brikker produsert ved hjelp av 1y-nm-teknologien (andre generasjon) har blitt produsert i mer enn et og et halvt år. Det er disse produsenten oppfordrer deg til å bytte til. B-die-brikker er offisielt tildelt EOL-status (End of Life) - end of life cycle.
I stedet for de legendariske Samsung B-die-brikkene, vil andre tilbud nå bli distribuert. M-die-brikker, som er laget ved hjelp av en 1y nm prosessteknologi, har nådd masseproduksjonsstadiet. A-die-brikker, produsert ved hjelp av enda mer avansert teknologi med 1z nm-standarder, har også nådd kvalifiseringsproduksjonsstadiet. Dette betyr at minne på M-die-brikker kommer i salg i svært nær fremtid, og moduler bygget på A-die-brikker vil bli tilgjengelig for brukere innen seks måneder.
Hovedfordelen med nye minnebrikker med oppdaterte kjerner, i tillegg til moderne tekniske prosesser og potensielt høyere frekvenspotensial, er også deres økte kapasitet. De tillater produksjon av enkeltsidige DDR4-minnemoduler med en kapasitet på 16 GB og tosidige moduler med en kapasitet på 32 GB, noe som tidligere var umulig.
Det er verdt å minne om at denne sommeren kan vi forvente betydelige endringer i utvalget av DDR4 SDRAM-minnemoduler som er tilgjengelig på markedet. I tillegg til de nye Samsung-brikkene, bør det også brukes E-die-brikker fra Micron og C-die fra SK Hynix i minnestrips. Det er sannsynlig at alle disse endringene vil føre til en økning ikke bare i gjennomsnittsvolumet, men også i frekvenspotensialet til gjennomsnittlige DDR4 SDRAM-moduler.
Kilde: 3dnews.ru