På slutten av året vil den kinesiske produsenten ChangXin Memory begynne å produsere 8-Gbit LPDDR4-brikker

Ifølge industrikilder i Taiwan, som refererer Internettressurs DigiTimes, den kinesiske minneprodusenten ChangXin Memory Technologies (CXMT) er i full gang med å forberede linjer for masseproduksjon av LPDDR4-minne. ChangXin, også kjent som Innotron Memory, sies å ha utviklet sin egen DRAM-produksjonsprosess ved bruk av 19nm-teknologi.

For kommersiell produksjon av minne ved sin første 300 mm-bedrift måtte ChangXin start i første halvdel av 2019. Akk, dette har ikke skjedd ennå. Men starten på produksjonen av 8-Gbit DDR4 LPDDR4-brikker vil bli ledsaget av en utvidelse av kapasiteten til 20 tusen 300-nm silisiumskiver per måned. Maksimal kapasitet på linjene ved ChangXin-bedriften når 125 tusen 300 mm wafere per måned. Men dette er heller ikke grensen. Selskapet sa at det vil begynne å bygge et andre anlegg neste år for å behandle 300 mm minneskiver.

Samtidig kan denne kinesiske produsenten møte problemer av et annet slag. La oss huske at det første kinesiske selskapet som skulle begynne masseproduksjon av DRAM-minne var Fujian Jinhua. ble tatt med på sanksjonslisten USA med forbud mot å kjøpe produksjonsutstyr fra amerikanske partnere. I Taiwan tror de at ChangXin vil møte de samme problemene som Fujian. I tillegg rekrutterte det kvalifiserte ingeniører fra det tidligere taiwanske datterselskapet til japanske Elpida, hvis virksomhet ble absorbert av amerikanske Micron. Analytikere forventer krav mot ChangXin fra Micron og sanksjoner dersom kinesisk side ikke svarer.

Parallelt utvikler ChangXin en teknisk prosess for å produsere minne med 17 nm-standarder. Utbyggingen forventes ferdigstilt i 2021. Sannsynligvis vil det andre ChangXin-anlegget begynne arbeidet med produksjon av DRAM-krystaller med disse standardene. Med mindre, selvfølgelig, amerikanske sanksjoner og Microns innspill blir et uoverkommelig hinder på hennes vei.

Kilde: 3dnews.ru