ਲੀ-ਫਾਈ ਦਾ ਭਵਿੱਖ: ਪੋਲਰੀਟੋਨਸ, ਐਕਸੀਟਨ, ਫੋਟੌਨ ਅਤੇ ਥੋੜ੍ਹਾ ਜਿਹਾ ਟੰਗਸਟਨ ਡਾਈਸਲਫਾਈਡ

ਕਈ ਸਾਲਾਂ ਤੋਂ, ਦੁਨੀਆ ਭਰ ਦੇ ਵਿਗਿਆਨੀ ਦੋ ਕੰਮ ਕਰ ਰਹੇ ਹਨ - ਖੋਜ ਅਤੇ ਸੁਧਾਰ। ਅਤੇ ਕਈ ਵਾਰ ਇਹ ਸਪੱਸ਼ਟ ਨਹੀਂ ਹੁੰਦਾ ਕਿ ਕਿਹੜਾ ਵਧੇਰੇ ਮੁਸ਼ਕਲ ਹੈ. ਉਦਾਹਰਨ ਲਈ, ਸਾਧਾਰਨ LEDs ਨੂੰ ਲਓ, ਜੋ ਸਾਡੇ ਲਈ ਇੰਨੇ ਸਰਲ ਅਤੇ ਸਾਧਾਰਨ ਲੱਗਦੇ ਹਨ ਕਿ ਅਸੀਂ ਉਹਨਾਂ ਵੱਲ ਧਿਆਨ ਵੀ ਨਹੀਂ ਦਿੰਦੇ। ਪਰ ਜੇ ਤੁਸੀਂ ਸੁਆਦ ਲਈ ਕੁਝ ਐਕਸੀਟਨਸ, ਪੋਲੀਟੋਨਸ ਦੀ ਇੱਕ ਚੁਟਕੀ ਅਤੇ ਟੰਗਸਟਨ ਡਾਈਸਲਫਾਈਡ ਜੋੜਦੇ ਹੋ, ਤਾਂ ਐਲਈਡੀ ਹੁਣ ਇੰਨੇ ਵਿਅੰਗਾਤਮਕ ਨਹੀਂ ਰਹਿਣਗੇ। ਇਹ ਸਾਰੇ ਅਮੂਰਤ ਸ਼ਬਦ ਬਹੁਤ ਹੀ ਅਸਾਧਾਰਨ ਹਿੱਸਿਆਂ ਦੇ ਨਾਮ ਹਨ, ਜਿਨ੍ਹਾਂ ਦੇ ਸੁਮੇਲ ਨੇ ਨਿਊਯਾਰਕ ਦੇ ਸਿਟੀ ਕਾਲਜ ਦੇ ਵਿਗਿਆਨੀਆਂ ਨੂੰ ਰੌਸ਼ਨੀ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਕੇ ਬਹੁਤ ਤੇਜ਼ੀ ਨਾਲ ਜਾਣਕਾਰੀ ਸੰਚਾਰਿਤ ਕਰਨ ਦੇ ਸਮਰੱਥ ਇੱਕ ਨਵੀਂ ਪ੍ਰਣਾਲੀ ਬਣਾਉਣ ਦੀ ਇਜਾਜ਼ਤ ਦਿੱਤੀ। ਇਹ ਵਿਕਾਸ ਲੀ-ਫਾਈ ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਨੂੰ ਬਿਹਤਰ ਬਣਾਉਣ ਵਿੱਚ ਮਦਦ ਕਰੇਗਾ। ਨਵੀਂ ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਦੀਆਂ ਕਿਹੜੀਆਂ ਸਹੀ ਸਮੱਗਰੀਆਂ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕੀਤੀ ਗਈ ਸੀ, ਇਸ "ਪਕਵਾਨ" ਲਈ ਵਿਅੰਜਨ ਕੀ ਹੈ ਅਤੇ ਨਵੀਂ ਐਕਸੀਟੋਨ-ਪੋਲਾਰੀਟਨ LED ਦੀ ਕਾਰਜਸ਼ੀਲਤਾ ਕੀ ਹੈ? ਇਸ ਬਾਰੇ ਵਿਗਿਆਨੀਆਂ ਦੀ ਰਿਪੋਰਟ ਹੀ ਦੱਸੇਗੀ। ਜਾਣਾ.

ਖੋਜ ਆਧਾਰ

ਜੇ ਅਸੀਂ ਹਰ ਚੀਜ਼ ਨੂੰ ਇੱਕ ਸ਼ਬਦ ਤੱਕ ਸਰਲ ਬਣਾ ਦਿੰਦੇ ਹਾਂ, ਤਾਂ ਇਹ ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਰੌਸ਼ਨੀ ਹੈ ਅਤੇ ਇਸ ਨਾਲ ਜੁੜੀ ਹਰ ਚੀਜ਼ ਹੈ. ਸਭ ਤੋਂ ਪਹਿਲਾਂ, ਪੋਲੀਟੋਨ, ਜੋ ਉਦੋਂ ਪੈਦਾ ਹੁੰਦੇ ਹਨ ਜਦੋਂ ਫੋਟੌਨ ਮਾਧਿਅਮ (ਫੋਨੌਨ, ਐਕਸੀਟੌਨ, ਪਲਾਜ਼ਮੋਨ, ਮੈਗਨੌਨ, ਆਦਿ) ਦੇ ਉਤੇਜਨਾ ਨਾਲ ਪਰਸਪਰ ਪ੍ਰਭਾਵ ਪਾਉਂਦੇ ਹਨ। ਦੂਜਾ, ਐਕਸੀਟੋਨ ਇੱਕ ਡਾਈਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ, ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਜਾਂ ਧਾਤੂ ਵਿੱਚ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਉਤਸਾਹ ਹੁੰਦੇ ਹਨ ਜੋ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਵਿੱਚ ਮਾਈਗਰੇਟ ਹੁੰਦੇ ਹਨ ਅਤੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੀਕਲ ਚਾਰਜ ਅਤੇ ਪੁੰਜ ਦੇ ਟ੍ਰਾਂਸਫਰ ਨਾਲ ਸੰਬੰਧਿਤ ਨਹੀਂ ਹੁੰਦੇ ਹਨ।

ਇਹ ਨੋਟ ਕਰਨਾ ਮਹੱਤਵਪੂਰਨ ਹੈ ਕਿ ਇਹ quasiparticles ਠੰਡੇ ਨੂੰ ਬਹੁਤ ਪਸੰਦ ਕਰਦੇ ਹਨ, ਯਾਨੀ. ਉਹਨਾਂ ਦੀ ਗਤੀਵਿਧੀ ਨੂੰ ਸਿਰਫ ਬਹੁਤ ਘੱਟ ਤਾਪਮਾਨਾਂ 'ਤੇ ਦੇਖਿਆ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ, ਜੋ ਉਹਨਾਂ ਦੇ ਵਿਹਾਰਕ ਉਪਯੋਗ ਨੂੰ ਬਹੁਤ ਹੱਦ ਤੱਕ ਸੀਮਤ ਕਰਦਾ ਹੈ। ਪਰ ਇਹ ਪਹਿਲਾਂ ਸੀ. ਇਸ ਕੰਮ ਵਿਚ, ਵਿਗਿਆਨੀ ਤਾਪਮਾਨ ਦੀ ਸੀਮਾ ਨੂੰ ਦੂਰ ਕਰਨ ਅਤੇ ਕਮਰੇ ਦੇ ਤਾਪਮਾਨ 'ਤੇ ਇਨ੍ਹਾਂ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਨ ਦੇ ਯੋਗ ਸਨ।

ਪੋਲਰੀਟੋਨਸ ਦੀ ਮੁੱਖ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾ ਫੋਟੌਨਾਂ ਨੂੰ ਇੱਕ ਦੂਜੇ ਨਾਲ ਬੰਨ੍ਹਣ ਦੀ ਯੋਗਤਾ ਹੈ। ਰੂਬੀਡੀਅਮ ਪਰਮਾਣੂਆਂ ਨਾਲ ਟਕਰਾਉਣ ਵਾਲੇ ਫੋਟੌਨ ਪੁੰਜ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਦੇ ਹਨ। ਵਾਰ-ਵਾਰ ਟਕਰਾਉਣ ਦੀ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਵਿੱਚ, ਫੋਟੌਨ ਇੱਕ ਦੂਜੇ ਤੋਂ ਉਛਾਲਦੇ ਹਨ, ਪਰ ਦੁਰਲੱਭ ਮਾਮਲਿਆਂ ਵਿੱਚ ਉਹ ਜੋੜੇ ਅਤੇ ਤੀਹਰੀ ਬਣਾਉਂਦੇ ਹਨ, ਜਦੋਂ ਕਿ ਰੂਬੀਡੀਅਮ ਪਰਮਾਣੂ ਦੁਆਰਾ ਦਰਸਾਏ ਪਰਮਾਣੂ ਹਿੱਸੇ ਨੂੰ ਗੁਆ ਦਿੰਦੇ ਹਨ।

ਪਰ ਰੋਸ਼ਨੀ ਨਾਲ ਕੁਝ ਕਰਨ ਲਈ, ਤੁਹਾਨੂੰ ਇਸਨੂੰ ਫੜਨ ਦੀ ਜ਼ਰੂਰਤ ਹੈ. ਇਸਦੇ ਲਈ, ਇੱਕ ਆਪਟੀਕਲ ਰੈਜ਼ੋਨੇਟਰ ਦੀ ਲੋੜ ਹੁੰਦੀ ਹੈ, ਜੋ ਪ੍ਰਤੀਬਿੰਬਤ ਤੱਤਾਂ ਦਾ ਇੱਕ ਸਮੂਹ ਹੈ ਜੋ ਇੱਕ ਖੜ੍ਹੀ ਰੋਸ਼ਨੀ ਤਰੰਗ ਬਣਾਉਂਦੇ ਹਨ।

ਇਸ ਅਧਿਐਨ ਵਿੱਚ, ਸਭ ਤੋਂ ਮਹੱਤਵਪੂਰਨ ਭੂਮਿਕਾ ਹੋਰ ਵੀ ਅਸਾਧਾਰਨ ਕਵਾਸੀਪਾਰਟੀਕਲਾਂ ਦੁਆਰਾ ਖੇਡੀ ਜਾਂਦੀ ਹੈ - ਐਕਸੀਟਨ-ਪੋਲਾਰੀਟੋਨਸ, ਜੋ ਕਿ ਇੱਕ ਆਪਟੀਕਲ ਕੈਵਿਟੀ ਵਿੱਚ ਫਸੇ ਹੋਏ ਐਕਸੀਟਨ ਅਤੇ ਫੋਟੌਨਾਂ ਦੇ ਮਜ਼ਬੂਤ ​​​​ਜੋੜੇ ਕਾਰਨ ਬਣਦੇ ਹਨ।

ਹਾਲਾਂਕਿ, ਇਹ ਕਾਫ਼ੀ ਨਹੀਂ ਹੈ, ਕਿਉਂਕਿ ਇੱਕ ਭੌਤਿਕ ਅਧਾਰ ਦੀ ਲੋੜ ਹੈ, ਇਸ ਲਈ ਬੋਲਣ ਲਈ. ਅਤੇ ਪਰਿਵਰਤਨ ਮੈਟਲ ਡਾਈਕਲਕੋਜੀਨਾਈਡ (ਟੀਐਮਡੀ) ਤੋਂ ਬਿਹਤਰ ਕੌਣ ਇਹ ਭੂਮਿਕਾ ਨਿਭਾਏਗਾ? ਵਧੇਰੇ ਸਪਸ਼ਟ ਤੌਰ 'ਤੇ, ਇੱਕ ਡਬਲਯੂਐਸ2 (ਟੰਗਸਟਨ ਡਾਈਸਲਫਾਈਡ) ਮੋਨੋਲਾਇਰ ਨੂੰ ਉਤਸਰਜਨ ਕਰਨ ਵਾਲੀ ਸਮੱਗਰੀ ਵਜੋਂ ਵਰਤਿਆ ਗਿਆ ਸੀ, ਜਿਸ ਵਿੱਚ ਪ੍ਰਭਾਵਸ਼ਾਲੀ ਐਕਸੀਟਨ ਬਾਈਡਿੰਗ ਊਰਜਾ ਹੁੰਦੀ ਹੈ, ਜੋ ਕਿ ਸਮੱਗਰੀ ਅਧਾਰ ਦੀ ਚੋਣ ਕਰਨ ਲਈ ਮੁੱਖ ਮਾਪਦੰਡਾਂ ਵਿੱਚੋਂ ਇੱਕ ਬਣ ਗਈ ਸੀ।

ਉੱਪਰ ਦੱਸੇ ਗਏ ਸਾਰੇ ਤੱਤਾਂ ਦੇ ਸੁਮੇਲ ਨੇ ਕਮਰੇ ਦੇ ਤਾਪਮਾਨ 'ਤੇ ਕੰਮ ਕਰਨ ਵਾਲੀ ਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕਲੀ ਨਿਯੰਤਰਿਤ ਪੋਲਰੀਟਨ LED ਬਣਾਉਣਾ ਸੰਭਵ ਬਣਾਇਆ।

ਇਸ ਯੰਤਰ ਨੂੰ ਸਾਕਾਰ ਕਰਨ ਲਈ, WS2 ਦਾ ਇੱਕ ਮੋਨੋਲਾਇਰ ਪਤਲੇ ਹੈਕਸਾਗੋਨਲ ਬੋਰਾਨ ਨਾਈਟ੍ਰਾਈਡ (hBN) ਸੁਰੰਗ ਦੀਆਂ ਰੁਕਾਵਟਾਂ ਦੇ ਵਿਚਕਾਰ ਸੈਂਡਵਿਚ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਹੈ ਜਿਸ ਵਿੱਚ ਗ੍ਰਾਫੀਨ ਪਰਤਾਂ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ ਵਜੋਂ ਕੰਮ ਕਰਦੀਆਂ ਹਨ।

ਖੋਜ ਨਤੀਜੇ

WS2, ਇੱਕ ਪਰਿਵਰਤਨ ਧਾਤੂ ਡਾਇਕਲਕੋਜੀਨਾਈਡ ਹੋਣ ਦੇ ਨਾਤੇ, ਇੱਕ ਪ੍ਰਮਾਣੂ ਤੌਰ 'ਤੇ ਪਤਲੀ ਵੈਨ ਡੇਰ ਵਾਲਜ਼ (vdW) ਸਮੱਗਰੀ ਵੀ ਹੈ। ਇਹ ਇਸਦੀਆਂ ਵਿਲੱਖਣ ਇਲੈਕਟ੍ਰੀਕਲ, ਆਪਟੀਕਲ, ਮਕੈਨੀਕਲ ਅਤੇ ਥਰਮਲ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਨਾਲ ਗੱਲ ਕਰਦਾ ਹੈ।

ਹੋਰ ਵੀਡੀਡਬਲਯੂ ਸਮੱਗਰੀ, ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਗ੍ਰਾਫੀਨ (ਇੱਕ ਕੰਡਕਟਰ ਵਜੋਂ) ਅਤੇ ਹੈਕਸਾਗੋਨਲ ਬੋਰਾਨ ਨਾਈਟਰਾਈਡ (ਐਚਬੀਐਨ, ਇੱਕ ਇੰਸੂਲੇਟਰ ਦੇ ਤੌਰ ਤੇ) ਦੇ ਨਾਲ, ਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕਲੀ ਨਿਯੰਤਰਿਤ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਯੰਤਰਾਂ ਦੀ ਇੱਕ ਪੂਰੀ ਮੇਜ਼ਬਾਨੀ, ਜਿਸ ਵਿੱਚ ਐਲਈਡੀ ਸ਼ਾਮਲ ਹਨ, ਨੂੰ ਸਾਕਾਰ ਕੀਤਾ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ। ਵੈਨ ਡੇਰ ਵਾਲਜ਼ ਸਮੱਗਰੀ ਅਤੇ ਪੋਲੀਟੋਨ ਦੇ ਸਮਾਨ ਸੰਜੋਗ ਪਹਿਲਾਂ ਹੀ ਪਹਿਲਾਂ ਹੀ ਮਹਿਸੂਸ ਕੀਤੇ ਜਾ ਚੁੱਕੇ ਹਨ, ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਖੋਜਕਰਤਾਵਾਂ ਨੇ ਖੁੱਲ੍ਹ ਕੇ ਕਿਹਾ ਹੈ। ਹਾਲਾਂਕਿ, ਪਿਛਲੇ ਕੰਮਾਂ ਵਿੱਚ, ਨਤੀਜੇ ਵਜੋਂ ਸਿਸਟਮ ਗੁੰਝਲਦਾਰ ਅਤੇ ਅਪੂਰਣ ਸਨ, ਅਤੇ ਹਰੇਕ ਹਿੱਸੇ ਦੀ ਪੂਰੀ ਸਮਰੱਥਾ ਨੂੰ ਪ੍ਰਗਟ ਨਹੀਂ ਕਰਦੇ ਸਨ।

ਪੂਰਵਜਾਂ ਦੁਆਰਾ ਪ੍ਰੇਰਿਤ ਵਿਚਾਰਾਂ ਵਿੱਚੋਂ ਇੱਕ ਦੋ-ਅਯਾਮੀ ਸਮੱਗਰੀ ਪਲੇਟਫਾਰਮ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਸੀ। ਇਸ ਸਥਿਤੀ ਵਿੱਚ, ਪਰਮਾਣੂ ਤੌਰ 'ਤੇ ਪਤਲੀਆਂ ਨਿਕਾਸੀ ਪਰਤਾਂ ਵਾਲੇ ਉਪਕਰਣਾਂ ਨੂੰ ਮਹਿਸੂਸ ਕਰਨਾ ਸੰਭਵ ਹੈ, ਜਿਨ੍ਹਾਂ ਨੂੰ ਸੰਪਰਕ (ਗ੍ਰਾਫੀਨ) ਅਤੇ ਸੁਰੰਗ ਰੁਕਾਵਟਾਂ (ਐਚਬੀਐਨ) ਵਜੋਂ ਕੰਮ ਕਰਨ ਵਾਲੀਆਂ ਹੋਰ ਵੀਡੀਡਬਲਯੂ ਸਮੱਗਰੀਆਂ ਨਾਲ ਜੋੜਿਆ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ। ਇਸ ਤੋਂ ਇਲਾਵਾ, ਅਜਿਹੀ ਦੋ-ਅਯਾਮੀਤਾ ਪੋਲਰੀਟਨ LEDs ਨੂੰ vdW ਸਮੱਗਰੀਆਂ ਨਾਲ ਜੋੜਨਾ ਸੰਭਵ ਬਣਾਉਂਦੀ ਹੈ ਜਿਸ ਵਿੱਚ ਅਸਾਧਾਰਨ ਚੁੰਬਕੀ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ, ਮਜ਼ਬੂਤ ​​ਸੁਪਰਕੰਡਕਟੀਵਿਟੀ ਅਤੇ/ਜਾਂ ਗੈਰ-ਸਟੈਂਡਰਡ ਟੌਪੋਲੋਜੀਕਲ ਟ੍ਰਾਂਸਫਰ ਹੁੰਦੇ ਹਨ। ਅਜਿਹੇ ਸੁਮੇਲ ਦੇ ਨਤੀਜੇ ਵਜੋਂ, ਇੱਕ ਬਿਲਕੁਲ ਨਵੀਂ ਕਿਸਮ ਦੀ ਡਿਵਾਈਸ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕੀਤੀ ਜਾ ਸਕਦੀ ਹੈ, ਜਿਸ ਦੀਆਂ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਕਾਫ਼ੀ ਅਸਾਧਾਰਨ ਹੋ ਸਕਦੀਆਂ ਹਨ. ਪਰ, ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਵਿਗਿਆਨੀ ਕਹਿੰਦੇ ਹਨ, ਇਹ ਇੱਕ ਹੋਰ ਅਧਿਐਨ ਲਈ ਇੱਕ ਵਿਸ਼ਾ ਹੈ।

ਚਿੱਤਰ #1

ਚਿੱਤਰ 'ਤੇ 1 ਏ ਇੱਕ ਡਿਵਾਈਸ ਦਾ ਇੱਕ ਤਿੰਨ-ਅਯਾਮੀ ਮਾਡਲ ਦਿਖਾਉਂਦਾ ਹੈ ਜੋ ਇੱਕ ਲੇਅਰ ਕੇਕ ਵਰਗਾ ਹੁੰਦਾ ਹੈ। ਆਪਟੀਕਲ ਰੈਜ਼ੋਨੇਟਰ ਦਾ ਉਪਰਲਾ ਸ਼ੀਸ਼ਾ ਚਾਂਦੀ ਦੀ ਇੱਕ ਪਰਤ ਹੈ, ਅਤੇ ਹੇਠਲਾ ਸ਼ੀਸ਼ਾ ਵੰਡਿਆ ਹੋਇਆ 12-ਪਰਤ ਹੈ ਬ੍ਰੈਗ ਰਿਫਲੈਕਟਰ*. ਕਿਰਿਆਸ਼ੀਲ ਖੇਤਰ ਵਿੱਚ ਇੱਕ ਸੁਰੰਗ ਜ਼ੋਨ ਸ਼ਾਮਲ ਹੈ।

ਵਿਤਰਿਤ ਬ੍ਰੈਗ ਰਿਫਲੈਕਟਰ* - ਕਈ ਲੇਅਰਾਂ ਦੀ ਇੱਕ ਬਣਤਰ ਜਿਸ ਵਿੱਚ ਸਮਗਰੀ ਦਾ ਰਿਫ੍ਰੈਕਟਿਵ ਇੰਡੈਕਸ ਸਮੇਂ-ਸਮੇਂ ਤੇ ਲੇਅਰਾਂ ਦੇ ਲੰਬਵਤ ਬਦਲਦਾ ਹੈ।

ਸੁਰੰਗ ਜ਼ੋਨ ਵਿੱਚ ਇੱਕ vdW heterostructure ਸ਼ਾਮਲ ਹੁੰਦਾ ਹੈ ਜਿਸ ਵਿੱਚ ਇੱਕ WS2 ਮੋਨੋਲੇਅਰ (ਲਾਈਟ ਐਮੀਟਰ), ਮੋਨੋਲੇਅਰ (ਸੁਰੰਗ ਬੈਰੀਅਰ) ਦੇ ਦੋਵੇਂ ਪਾਸੇ hBN ਦੀਆਂ ਪਤਲੀਆਂ ਪਰਤਾਂ ਅਤੇ ਗ੍ਰਾਫੀਨ (ਇਲੈਕਟਰੋਨਾਂ ਅਤੇ ਛੇਕਾਂ ਨੂੰ ਪੇਸ਼ ਕਰਨ ਲਈ ਪਾਰਦਰਸ਼ੀ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ) ਸ਼ਾਮਲ ਹੁੰਦੇ ਹਨ।

ਔਸਿਲੇਟਰ ਦੀ ਸਮੁੱਚੀ ਤਾਕਤ ਨੂੰ ਵਧਾਉਣ ਲਈ ਡਬਲਯੂ.ਐੱਸ.2 ਦੀਆਂ ਦੋ ਹੋਰ ਪਰਤਾਂ ਜੋੜੀਆਂ ਗਈਆਂ ਸਨ ਅਤੇ ਇਸਲਈ ਪੋਲਰੀਟੋਨ ਅਵਸਥਾਵਾਂ ਦੇ ਵਧੇਰੇ ਸਪੱਸ਼ਟ ਰਾਬੀ ਸਪਲਿਟਿੰਗ ਪੈਦਾ ਕਰਨ ਲਈ।

ਰੈਜ਼ੋਨੇਟਰ ਦੇ ਓਪਰੇਟਿੰਗ ਮੋਡ ਨੂੰ PMMA ਪਰਤ (ਪੌਲੀਮਾਈਥਾਈਲ ਮੇਥਾਕਰੀਲੇਟ, ਯਾਨੀ ਪਲੇਕਸੀਗਲਾਸ) ਦੀ ਮੋਟਾਈ ਨੂੰ ਬਦਲ ਕੇ ਐਡਜਸਟ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ।

ਚਿੱਤਰ ਨੂੰ ਚਿੱਤਰ 1b ਇਹ ਇੱਕ ਵਿਤਰਿਤ ਬ੍ਰੈਗ ਰਿਫਲੈਕਟਰ ਦੀ ਸਤ੍ਹਾ 'ਤੇ ਇੱਕ vdW heterostructure ਦਾ ਇੱਕ ਸਨੈਪਸ਼ਾਟ ਹੈ। ਡਿਸਟ੍ਰੀਬਿਊਟਡ ਬ੍ਰੈਗ ਰਿਫਲੈਕਟਰ ਦੀ ਉੱਚ ਪ੍ਰਤੀਬਿੰਬਤਾ ਦੇ ਕਾਰਨ, ਜੋ ਕਿ ਹੇਠਲੀ ਪਰਤ ਹੈ, ਚਿੱਤਰ ਵਿੱਚ ਸੁਰੰਗ ਜ਼ੋਨ ਵਿੱਚ ਬਹੁਤ ਘੱਟ ਰਿਫਲੈਕਟੈਂਸ ਕੰਟਰਾਸਟ ਹੁੰਦਾ ਹੈ, ਨਤੀਜੇ ਵਜੋਂ ਸਿਰਫ ਉੱਪਰੀ ਮੋਟੀ hBN ਪਰਤ ਦੇਖੀ ਜਾਂਦੀ ਹੈ।

ਗਰਾਫ਼ 1c ਡਿਸਪਲੇਸਮੈਂਟ ਅਧੀਨ ਸੁਰੰਗ ਜਿਓਮੈਟਰੀ ਵਿੱਚ ਹੇਟਰੋਸਟ੍ਰਕਚਰ ਦਾ vdW ਜ਼ੋਨ ਚਿੱਤਰ ਹੈ। ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਲੂਮਿਨਿਸੈਂਸ (EL) ਨੂੰ ਥ੍ਰੈਸ਼ਹੋਲਡ ਵੋਲਟੇਜ ਤੋਂ ਉੱਪਰ ਦੇਖਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ ਜਦੋਂ ਉੱਪਰ (ਹੇਠਲੇ) ਗ੍ਰਾਫੀਨ ਦੇ ਫਰਮੀ ਪੱਧਰ ਨੂੰ WS2 ਦੇ ਸੰਚਾਲਨ (ਵੈਲੈਂਸ) ਬੈਂਡ ਤੋਂ ਉੱਪਰ (ਹੇਠਾਂ) ਸ਼ਿਫਟ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਜਿਸ ਨਾਲ ਇੱਕ ਇਲੈਕਟ੍ਰੌਨ (ਮੋਰੀ) ਸੰਚਾਲਨ (ਵੈਲੈਂਸ) ਵਿੱਚ ਸੁਰੰਗ ਹੋ ਜਾਂਦੀ ਹੈ। WS2 ਦਾ ਬੈਂਡ। ਇਹ ਅਗਲੇ ਰੇਡੀਏਟਿਵ (ਰੇਡੀਏਟਿਵ) ਇਲੈਕਟ੍ਰੌਨ-ਹੋਲ ਪੁਨਰ-ਸੰਯੋਜਨ ਦੇ ਨਾਲ WS2 ਪਰਤ ਵਿੱਚ ਐਕਸੀਟੋਨ ਦੇ ਗਠਨ ਲਈ ਅਨੁਕੂਲ ਸਥਿਤੀਆਂ ਬਣਾਉਂਦਾ ਹੈ।

pn ਜੰਕਸ਼ਨ ਲਾਈਟ ਐਮੀਟਰਾਂ ਦੇ ਉਲਟ, ਜਿਨ੍ਹਾਂ ਨੂੰ ਸੰਚਾਲਿਤ ਕਰਨ ਲਈ ਡੋਪਿੰਗ ਦੀ ਲੋੜ ਹੁੰਦੀ ਹੈ, ਸੁਰੰਗ ਉਪਕਰਨਾਂ ਤੋਂ EL ਪੂਰੀ ਤਰ੍ਹਾਂ ਸੁਰੰਗ ਦੇ ਕਰੰਟ 'ਤੇ ਨਿਰਭਰ ਕਰਦਾ ਹੈ, ਆਪਟੀਕਲ ਨੁਕਸਾਨਾਂ ਤੋਂ ਬਚਦਾ ਹੈ ਅਤੇ ਤਾਪਮਾਨ ਵਿੱਚ ਤਬਦੀਲੀਆਂ ਕਾਰਨ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧਕਤਾ ਵਿੱਚ ਕਿਸੇ ਵੀ ਤਬਦੀਲੀ ਤੋਂ ਬਚਦਾ ਹੈ। ਇਸ ਦੇ ਨਾਲ ਹੀ, ਸੁਰੰਗ ਆਰਕੀਟੈਕਚਰ pn ਜੰਕਸ਼ਨ 'ਤੇ ਅਧਾਰਤ ਡਾਇਕਲਕੋਜੀਨਾਈਡ ਯੰਤਰਾਂ ਦੀ ਤੁਲਨਾ ਵਿੱਚ ਬਹੁਤ ਵੱਡੇ ਨਿਕਾਸ ਖੇਤਰ ਦੀ ਆਗਿਆ ਦਿੰਦਾ ਹੈ।

ਚਿੱਤਰ ਨੂੰ ਚਿੱਤਰ 1d ਟਨਲਿੰਗ ਮੌਜੂਦਾ ਘਣਤਾ (J) ਪੱਖਪਾਤ ਵੋਲਟੇਜ ਦੇ ਇੱਕ ਫੰਕਸ਼ਨ ਵਜੋਂ (V) ਗ੍ਰਾਫੀਨ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ ਵਿਚਕਾਰ. ਦੋਨਾਂ ਸਕਾਰਾਤਮਕ ਅਤੇ ਨਕਾਰਾਤਮਕ ਵੋਲਟੇਜਾਂ ਲਈ ਕਰੰਟ ਵਿੱਚ ਇੱਕ ਤਿੱਖੀ ਵਾਧਾ ਸੰਰਚਨਾ ਦੁਆਰਾ ਟਨਲਿੰਗ ਕਰੰਟ ਦੀ ਮੌਜੂਦਗੀ ਨੂੰ ਦਰਸਾਉਂਦਾ ਹੈ। hBN ਲੇਅਰਾਂ (~2 nm) ਦੀ ਸਰਵੋਤਮ ਮੋਟਾਈ 'ਤੇ, ਇੱਕ ਮਹੱਤਵਪੂਰਨ ਟਨਲਿੰਗ ਕਰੰਟ ਅਤੇ ਰੇਡੀਏਟਿਵ ਪੁਨਰ-ਸੰਯੋਜਨ ਲਈ ਏਮਬੇਡਡ ਕੈਰੀਅਰਾਂ ਦੇ ਜੀਵਨ ਕਾਲ ਵਿੱਚ ਵਾਧਾ ਦੇਖਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ।

ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਲੂਮਿਨਿਸੈਂਸ ਪ੍ਰਯੋਗ ਕਰਨ ਤੋਂ ਪਹਿਲਾਂ, ਮਜ਼ਬੂਤ ​​​​ਐਕਸੀਟੋਨਿਕ ਕਪਲਿੰਗ ਦੀ ਮੌਜੂਦਗੀ ਦੀ ਪੁਸ਼ਟੀ ਕਰਨ ਲਈ ਡਿਵਾਈਸ ਨੂੰ ਕੋਣ-ਹੱਲ ਕੀਤੇ ਚਿੱਟੇ ਪ੍ਰਕਾਸ਼ ਪ੍ਰਤੀਬਿੰਬ ਦੁਆਰਾ ਦਰਸਾਇਆ ਗਿਆ ਸੀ।

ਚਿੱਤਰ #2

ਚਿੱਤਰ 'ਤੇ 2 ਏ ਯੰਤਰ ਦੇ ਸਰਗਰਮ ਖੇਤਰ ਤੋਂ ਕੋਣ-ਹੱਲ ਰਿਫਲੈਕਟੈਂਸ ਸਪੈਕਟਰਾ ਦਿਖਾਇਆ ਗਿਆ ਹੈ, ਐਂਟੀ-ਕਰਾਸਿੰਗ ਵਿਵਹਾਰ ਦਾ ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਨ ਕਰਦੇ ਹੋਏ। ਫੋਟੋਲੂਮਿਨਿਸੈਂਸ (PL) ਨੂੰ ਗੈਰ-ਰਜ਼ੋਨੈਂਟ ਐਕਸਾਈਟੇਸ਼ਨ (460 nm) ਦੇ ਅਧੀਨ ਵੀ ਦੇਖਿਆ ਗਿਆ ਸੀ, ਜੋ ਕਿ ਹੇਠਲੇ ਪੋਲਰੀਟੋਨ ਸ਼ਾਖਾ ਤੋਂ ਤੀਬਰ ਨਿਕਾਸ ਅਤੇ ਉੱਪਰੀ ਪੋਲਰੀਟਨ ਸ਼ਾਖਾ ਤੋਂ ਕਮਜ਼ੋਰ ਨਿਕਾਸ ਨੂੰ ਦਰਸਾਉਂਦਾ ਹੈ (2b).

'ਤੇ 2c 0.1 μA/μm2 ਦੀ ਇੰਜੈਕਸ਼ਨ ਦਰ 'ਤੇ ਪੋਲਰੀਟਨ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਲੂਮਿਨਿਸੈਂਸ ਦੇ ਫੈਲਾਅ ਨੂੰ ਦਿਖਾਉਂਦਾ ਹੈ। EL ਪ੍ਰਯੋਗ ਵਿੱਚ ਔਸਿਲੇਟਰ ਮੋਡ (ਠੋਸ ਅਤੇ ਡੈਸ਼ਡ ਸਫੈਦ ਲਾਈਨ) ਨੂੰ ਫਿੱਟ ਕਰਕੇ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕੀਤੀ ਰਾਬੀ ਸਪਲਿਟਿੰਗ ਅਤੇ ਕੈਵਿਟੀ ਡਿਟੂਨਿੰਗ ਕ੍ਰਮਵਾਰ ～33 meV ਅਤੇ ～-13 meV ਹਨ। ਕੈਵਿਟੀ ਡਿਟਿਊਨਿੰਗ ਨੂੰ δ = Ec − Ex ਦੇ ਤੌਰ 'ਤੇ ਪਰਿਭਾਸ਼ਿਤ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਹੈ, ਜਿੱਥੇ Ex ਐਕਸਾਈਟਨ ਊਰਜਾ ਹੈ ਅਤੇ Ec ਇਨ-ਪਲੇਨ ਜ਼ੀਰੋ-ਮੋਮੈਂਟਮ ਕੈਵਿਟੀ ਫੋਟੌਨ ਊਰਜਾ ਨੂੰ ਦਰਸਾਉਂਦਾ ਹੈ। ਸਮਾਸੂਚੀ, ਕਾਰਜ - ਕ੍ਰਮ 2d ਇਹ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਲੂਮਿਨਸੈਂਟ ਫੈਲਾਅ ਤੋਂ ਵੱਖ-ਵੱਖ ਕੋਣਾਂ 'ਤੇ ਇੱਕ ਕੱਟ ਹੈ। ਇੱਥੇ, ਐਕਸਾਈਟੋਨ ਰੈਜ਼ੋਨੈਂਸ ਜ਼ੋਨ ਵਿੱਚ ਹੋਣ ਵਾਲੇ ਐਂਟੀਕਰੌਸਿੰਗ ਦੇ ਨਾਲ ਉਪਰਲੇ ਅਤੇ ਹੇਠਲੇ ਪੋਲਰੀਟੋਨ ਮੋਡਾਂ ਦਾ ਫੈਲਾਅ ਸਪੱਸ਼ਟ ਤੌਰ 'ਤੇ ਦਿਖਾਈ ਦਿੰਦਾ ਹੈ।

ਚਿੱਤਰ #3

ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਟਨਲਿੰਗ ਕਰੰਟ ਵਧਦਾ ਹੈ, ਸਮੁੱਚੀ EL ਤੀਬਰਤਾ ਵਧਦੀ ਹੈ। ਪੋਲੀਟੋਨਸ ਤੋਂ ਕਮਜ਼ੋਰ EL ਥ੍ਰੈਸ਼ਹੋਲਡ ਸ਼ਿਫਟ ਦੇ ਨੇੜੇ ਦੇਖਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ (3 ਏ), ਜਦੋਂ ਕਿ ਥ੍ਰੈਸ਼ਹੋਲਡ ਤੋਂ ਉੱਪਰ ਕਾਫ਼ੀ ਵੱਡੇ ਵਿਸਥਾਪਨ 'ਤੇ, ਪੋਲਰੀਟਨ ਨਿਕਾਸ ਵੱਖਰਾ ਬਣ ਜਾਂਦਾ ਹੈ (3b).

ਚਿੱਤਰ 'ਤੇ 3c ਕੋਣ ਦੇ ਇੱਕ ਫੰਕਸ਼ਨ ਦੇ ਰੂਪ ਵਿੱਚ EL ਤੀਬਰਤਾ ਦਾ ਇੱਕ ਧਰੁਵੀ ਪਲਾਟ ਦਿਖਾਉਂਦਾ ਹੈ, ±15° ਦੇ ਇੱਕ ਤੰਗ ਐਮਿਸ਼ਨ ਕੋਨ ਨੂੰ ਦਰਸਾਉਂਦਾ ਹੈ। ਰੇਡੀਏਸ਼ਨ ਪੈਟਰਨ ਘੱਟੋ-ਘੱਟ (ਹਰੇ ਵਕਰ) ਅਤੇ ਅਧਿਕਤਮ (ਸੰਤਰੀ ਵਕਰ) ਉਤੇਜਨਾ ਕਰੰਟ ਦੋਵਾਂ ਲਈ ਲਗਭਗ ਬਦਲਿਆ ਨਹੀਂ ਰਹਿੰਦਾ ਹੈ। 'ਤੇ 3d ਵੱਖ-ਵੱਖ ਮੂਵਿੰਗ ਟਨਲ ਕਰੰਟਸ ਲਈ ਏਕੀਕ੍ਰਿਤ ਤੀਬਰਤਾ ਦਿਖਾਉਂਦਾ ਹੈ, ਜੋ ਕਿ ਗ੍ਰਾਫ ਤੋਂ ਦੇਖਿਆ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ, ਕਾਫ਼ੀ ਰੇਖਿਕ ਹੈ। ਇਸਲਈ, ਕਰੰਟ ਨੂੰ ਉੱਚੇ ਮੁੱਲਾਂ ਤੱਕ ਵਧਾਉਣ ਨਾਲ ਹੇਠਲੇ ਸ਼ਾਖਾ ਦੇ ਨਾਲ ਪੋਲਰੀਟੋਨ ਦੇ ਸਫਲ ਖਿੰਡੇ ਜਾ ਸਕਦੇ ਹਨ ਅਤੇ ਪੋਲਰੀਟੋਨ ਉਤਪੱਤੀ ਦੇ ਕਾਰਨ ਇੱਕ ਬਹੁਤ ਹੀ ਤੰਗ ਨਿਕਾਸ ਪੈਟਰਨ ਬਣ ਸਕਦਾ ਹੈ। ਹਾਲਾਂਕਿ, ਇਸ ਪ੍ਰਯੋਗ ਵਿੱਚ hBN ਸੁਰੰਗ ਰੁਕਾਵਟ ਦੇ ਡਾਈਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਟੁੱਟਣ ਨਾਲ ਜੁੜੀ ਸੀਮਾ ਦੇ ਕਾਰਨ ਇਸ ਨੂੰ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਨਾ ਸੰਭਵ ਨਹੀਂ ਸੀ।

ਲਾਲ ਬਿੰਦੀਆਂ ਚਾਲੂ ਹਨ 3d ਕਿਸੇ ਹੋਰ ਸੂਚਕ ਦੇ ਮਾਪ ਦਿਖਾਓ - ਬਾਹਰੀ ਕੁਆਂਟਮ ਕੁਸ਼ਲਤਾ*.

ਕੁਆਂਟਮ ਕੁਸ਼ਲਤਾ* — ਫੋਟੌਨਾਂ ਦੀ ਸੰਖਿਆ ਦਾ ਅਨੁਪਾਤ, ਜਿਸ ਦੇ ਅਵਸ਼ੋਸ਼ਣ ਕਾਰਨ ਅਵਸ਼ੋਸ਼ਿਤ ਫੋਟੌਨਾਂ ਦੀ ਕੁੱਲ ਸੰਖਿਆ ਵਿੱਚ ਕਵਾਸੀਪਾਰਟਿਕਲ ਬਣਦੇ ਹਨ।

ਨਿਰੀਖਣ ਕੀਤੀ ਕੁਆਂਟਮ ਕੁਸ਼ਲਤਾ ਦੂਜੇ ਪੋਲੀਟੋਨ ਐਲਈਡੀ (ਜੈਵਿਕ ਪਦਾਰਥਾਂ, ਕਾਰਬਨ ਟਿਊਬਾਂ, ਆਦਿ 'ਤੇ ਆਧਾਰਿਤ) ਦੇ ਮੁਕਾਬਲੇ ਹੈ। ਇਹ ਧਿਆਨ ਦੇਣ ਯੋਗ ਹੈ ਕਿ ਅਧਿਐਨ ਅਧੀਨ ਡਿਵਾਈਸ ਵਿੱਚ ਰੋਸ਼ਨੀ-ਨਿਕਾਸ ਕਰਨ ਵਾਲੀ ਪਰਤ ਦੀ ਮੋਟਾਈ ਸਿਰਫ 0.7 nm ਹੈ, ਜਦੋਂ ਕਿ ਹੋਰ ਡਿਵਾਈਸਾਂ ਵਿੱਚ ਇਹ ਮੁੱਲ ਬਹੁਤ ਜ਼ਿਆਦਾ ਹੈ. ਵਿਗਿਆਨੀ ਇਸ ਤੱਥ ਨੂੰ ਛੁਪਾਉਂਦੇ ਨਹੀਂ ਹਨ ਕਿ ਉਹਨਾਂ ਦੀ ਡਿਵਾਈਸ ਦੀ ਕੁਆਂਟਮ ਕੁਸ਼ਲਤਾ ਸਭ ਤੋਂ ਉੱਚੀ ਨਹੀਂ ਹੈ, ਪਰ ਇਸ ਨੂੰ hBN ਦੀਆਂ ਪਤਲੀਆਂ ਪਰਤਾਂ ਦੁਆਰਾ ਵੱਖ ਕੀਤੇ, ਸੁਰੰਗ ਜ਼ੋਨ ਦੇ ਅੰਦਰ ਵੱਡੀ ਗਿਣਤੀ ਵਿੱਚ ਮੋਨੋਲੇਅਰ ਰੱਖ ਕੇ ਵਧਾਇਆ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ।

ਖੋਜਕਰਤਾਵਾਂ ਨੇ ਇਕ ਹੋਰ ਯੰਤਰ ਬਣਾ ਕੇ ਪੋਲਰੀਟੋਨ ਈਐਲ 'ਤੇ ਰੈਜ਼ੋਨੇਟਰ ਡਿਟੂਨਿੰਗ ਦੇ ਪ੍ਰਭਾਵ ਦੀ ਵੀ ਪਰਖ ਕੀਤੀ, ਪਰ ਇੱਕ ਮਜ਼ਬੂਤ ​​​​ਡਿਟੂਨਿੰਗ (-43 meV) ਨਾਲ।

ਚਿੱਤਰ #4

ਚਿੱਤਰ 'ਤੇ 4 ਏ ਅਜਿਹੇ ਯੰਤਰ ਦੇ ਐਂਗੁਲਰ ਰੈਜ਼ੋਲਿਊਸ਼ਨ ਵਾਲਾ EL ਸਪੈਕਟਰਾ 0.2 μA/μm2 ਦੀ ਮੌਜੂਦਾ ਘਣਤਾ 'ਤੇ ਦਿਖਾਇਆ ਗਿਆ ਹੈ। ਮਜ਼ਬੂਤ ​​​​ਡਿਟਿਊਨਿੰਗ ਦੇ ਕਾਰਨ, ਡਿਵਾਈਸ EL ਵਿੱਚ ਇੱਕ ਸਪੱਸ਼ਟ ਰੁਕਾਵਟ ਪ੍ਰਭਾਵ ਨੂੰ ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਿਤ ਕਰਦੀ ਹੈ ਜਿਸ ਵਿੱਚ ਵੱਧ ਤੋਂ ਵੱਧ ਨਿਕਾਸ ਇੱਕ ਵੱਡੇ ਕੋਣ 'ਤੇ ਹੁੰਦਾ ਹੈ। ਚਿੱਤਰ ਵਿੱਚ ਇਸਦੀ ਹੋਰ ਪੁਸ਼ਟੀ ਕੀਤੀ ਗਈ ਹੈ 4b, ਜਿੱਥੇ ਇਸ ਯੰਤਰ ਦੇ ਧਰੁਵੀ ਗ੍ਰਾਫਾਂ ਦੀ ਤੁਲਨਾ ਪਹਿਲੇ ਇੱਕ ਨਾਲ ਕੀਤੀ ਜਾਂਦੀ ਹੈ (2c).

ਅਧਿਐਨ ਦੀਆਂ ਬਾਰੀਕੀਆਂ ਨਾਲ ਵਧੇਰੇ ਵਿਸਤ੍ਰਿਤ ਜਾਣੂ ਹੋਣ ਲਈ, ਮੈਂ ਦੇਖਣ ਦੀ ਸਿਫਾਰਸ਼ ਕਰਦਾ ਹਾਂ ਵਿਗਿਆਨੀ ਰਿਪੋਰਟ.

ਏਪੀਲਾਗ

ਇਸ ਤਰ੍ਹਾਂ, ਉੱਪਰ ਦੱਸੇ ਗਏ ਸਾਰੇ ਨਿਰੀਖਣ ਅਤੇ ਮਾਪ ਇੱਕ ਆਪਟੀਕਲ ਮਾਈਕ੍ਰੋਕੈਵਿਟੀ ਵਿੱਚ ਬਣੇ ਇੱਕ vdW ਹੇਟਰੋਸਟ੍ਰਕਚਰ ਵਿੱਚ ਪੋਲਰੀਟਨ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਲੂਮਿਨਿਸੈਂਸ ਦੀ ਮੌਜੂਦਗੀ ਦੀ ਪੁਸ਼ਟੀ ਕਰਦੇ ਹਨ। ਅਧਿਐਨ ਅਧੀਨ ਯੰਤਰ ਦੀ ਸੁਰੰਗ ਆਰਕੀਟੈਕਚਰ WS2 ਮੋਨੋਲੇਅਰ ਵਿੱਚ ਇਲੈਕਟ੍ਰੌਨਾਂ/ਹੋਲਜ਼ ਅਤੇ ਪੁਨਰ-ਸੰਯੋਜਨ ਨੂੰ ਯਕੀਨੀ ਬਣਾਉਂਦਾ ਹੈ, ਜੋ ਕਿ ਇੱਕ ਲਾਈਟ ਐਮੀਟਰ ਦਾ ਕੰਮ ਕਰਦਾ ਹੈ। ਇਹ ਮਹੱਤਵਪੂਰਨ ਹੈ ਕਿ ਡਿਵਾਈਸ ਦੀ ਸੁਰੰਗ ਵਿਧੀ ਨੂੰ ਕੰਪੋਨੈਂਟਸ ਦੇ ਮਿਸ਼ਰਣ ਦੀ ਲੋੜ ਨਹੀਂ ਹੈ, ਜੋ ਨੁਕਸਾਨਾਂ ਅਤੇ ਤਾਪਮਾਨ-ਸਬੰਧਤ ਵੱਖ-ਵੱਖ ਤਬਦੀਲੀਆਂ ਨੂੰ ਘੱਟ ਕਰਦਾ ਹੈ।

ਇਹ ਪਾਇਆ ਗਿਆ ਕਿ EL ਦੀ ਰੈਜ਼ੋਨੇਟਰ ਦੇ ਫੈਲਾਅ ਕਾਰਨ ਇੱਕ ਉੱਚ ਡਾਇਰੈਕਟਿਵਿਟੀ ਹੈ. ਇਸਲਈ, ਕੈਵਿਟੀ ਕੁਆਲਿਟੀ ਫੈਕਟਰ ਅਤੇ ਉੱਚ ਮੌਜੂਦਾ ਸਪੁਰਦਗੀ ਵਿੱਚ ਸੁਧਾਰ ਕਰਨ ਨਾਲ ਮਾਈਕ੍ਰੋਕੈਵਿਟੀ ਐਲਈਡੀ ਦੀ ਕੁਸ਼ਲਤਾ ਵਿੱਚ ਸੁਧਾਰ ਹੋਵੇਗਾ, ਨਾਲ ਹੀ ਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕਲੀ ਨਿਯੰਤਰਿਤ ਮਾਈਕ੍ਰੋਕੈਵਿਟੀ ਪੋਲਰੀਟੋਨਸ ਅਤੇ ਫੋਟੋਨਿਕ ਲੇਜ਼ਰ।

ਇਸ ਕੰਮ ਨੇ ਇੱਕ ਵਾਰ ਫਿਰ ਪੁਸ਼ਟੀ ਕੀਤੀ ਹੈ ਕਿ ਪਰਿਵਰਤਨ ਧਾਤੂ ਡਾਇਕਲਕੋਜੀਨਾਈਡਸ ਵਿੱਚ ਅਸਲ ਵਿੱਚ ਵਿਲੱਖਣ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਅਤੇ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨਾਂ ਦੀ ਇੱਕ ਬਹੁਤ ਵਿਆਪਕ ਲੜੀ ਹੈ।

ਅਜਿਹੀਆਂ ਖੋਜਾਂ ਅਤੇ ਨਵੀਨਤਾਕਾਰੀ ਕਾਢਾਂ LEDs ਅਤੇ ਰੌਸ਼ਨੀ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਦੇ ਹੋਏ ਡੇਟਾ ਟ੍ਰਾਂਸਮਿਸ਼ਨ ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਦੇ ਵਿਕਾਸ ਅਤੇ ਫੈਲਣ ਨੂੰ ਬਹੁਤ ਪ੍ਰਭਾਵਿਤ ਕਰ ਸਕਦੀਆਂ ਹਨ। ਅਜਿਹੀਆਂ ਭਵਿੱਖਮੁਖੀ ਤਕਨੀਕਾਂ ਵਿੱਚ ਲੀ-ਫਾਈ ਸ਼ਾਮਲ ਹੈ, ਜੋ ਵਰਤਮਾਨ ਵਿੱਚ ਉਪਲਬਧ ਵਾਈ-ਫਾਈ ਨਾਲੋਂ ਕਾਫ਼ੀ ਜ਼ਿਆਦਾ ਸਪੀਡ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰ ਸਕਦੀ ਹੈ।

ਤੁਹਾਡੇ ਧਿਆਨ ਲਈ ਤੁਹਾਡਾ ਧੰਨਵਾਦ, ਉਤਸੁਕ ਰਹੋ ਅਤੇ ਸਾਰਿਆਂ ਦਾ ਹਫ਼ਤਾ ਵਧੀਆ ਰਹੇ! 🙂

ਸਾਡੇ ਨਾਲ ਰਹਿਣ ਲਈ ਤੁਹਾਡਾ ਧੰਨਵਾਦ। ਕੀ ਤੁਹਾਨੂੰ ਸਾਡੇ ਲੇਖ ਪਸੰਦ ਹਨ? ਹੋਰ ਦਿਲਚਸਪ ਸਮੱਗਰੀ ਦੇਖਣਾ ਚਾਹੁੰਦੇ ਹੋ? ਆਰਡਰ ਦੇ ਕੇ ਜਾਂ ਦੋਸਤਾਂ ਨੂੰ ਸਿਫਾਰਸ਼ ਕਰਕੇ ਸਾਡਾ ਸਮਰਥਨ ਕਰੋ, ਪ੍ਰਵੇਸ਼-ਪੱਧਰ ਦੇ ਸਰਵਰਾਂ ਦੇ ਇੱਕ ਵਿਲੱਖਣ ਐਨਾਲਾਗ 'ਤੇ ਹੈਬਰ ਉਪਭੋਗਤਾਵਾਂ ਲਈ 30% ਦੀ ਛੂਟ, ਜਿਸਦੀ ਖੋਜ ਸਾਡੇ ਦੁਆਰਾ ਤੁਹਾਡੇ ਲਈ ਕੀਤੀ ਗਈ ਸੀ: VPS (KVM) E5-2650 v4 (6 ਕੋਰ) 10GB DDR4 240GB SSD 1Gbps ਤੋਂ $20 ਜਾਂ ਸਰਵਰ ਨੂੰ ਕਿਵੇਂ ਸਾਂਝਾ ਕਰਨਾ ਹੈ ਬਾਰੇ ਪੂਰੀ ਸੱਚਾਈ? (RAID1 ਅਤੇ RAID10 ਦੇ ਨਾਲ ਉਪਲਬਧ, 24 ਕੋਰ ਤੱਕ ਅਤੇ 40GB DDR4 ਤੱਕ)।

Dell R730xd 2 ਗੁਣਾ ਸਸਤਾ? ਇੱਥੇ ਹੀ 2 x Intel TetraDeca-Core Xeon 2x E5-2697v3 2.6GHz 14C 64GB DDR4 4x960GB SSD 1Gbps 100 ਟੀਵੀ $199 ਤੋਂ ਨੀਦਰਲੈਂਡ ਵਿੱਚ! Dell R420 - 2x E5-2430 2.2Ghz 6C 128GB DDR3 2x960GB SSD 1Gbps 100TB - $99 ਤੋਂ! ਬਾਰੇ ਪੜ੍ਹੋ ਬੁਨਿਆਦੀ ਢਾਂਚਾ ਕਾਰਪੋਰੇਸ਼ਨ ਕਿਵੇਂ ਬਣਾਇਆ ਜਾਵੇ ਡੇਲ R730xd E5-2650 v4 ਸਰਵਰਾਂ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਨਾਲ ਕਲਾਸ 9000 ਯੂਰੋ ਦੀ ਕੀਮਤ ਦੇ ਇੱਕ ਪੈਸੇ ਲਈ?

ਸਰੋਤ: www.habr.com