ਯੂਐਸ ਲੇਜ਼ਰ ਬੈਲਜੀਅਮ ਦੇ ਵਿਗਿਆਨੀਆਂ ਦੀ 3nm ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਅਤੇ ਇਸ ਤੋਂ ਅੱਗੇ ਨੂੰ ਤੋੜਨ ਵਿੱਚ ਮਦਦ ਕਰਨ ਲਈ

ਆਈਈਈਈ ਸਪੈਕਟ੍ਰਮ ਵੈਬਸਾਈਟ ਦੇ ਅਨੁਸਾਰ, ਫਰਵਰੀ ਦੇ ਅਖੀਰ ਤੋਂ ਮਾਰਚ ਦੇ ਸ਼ੁਰੂ ਤੱਕ, ਈਯੂਵੀ ਰੇਡੀਏਸ਼ਨ (ਅਤਿ-ਹਾਰਡ ਵਿੱਚ) ਦੇ ਪ੍ਰਭਾਵ ਅਧੀਨ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਫੋਟੋਲਿਥੋਗ੍ਰਾਫੀ ਦੀਆਂ ਸਮੱਸਿਆਵਾਂ ਦਾ ਅਧਿਐਨ ਕਰਨ ਲਈ ਅਮਰੀਕੀ ਕੰਪਨੀ ਕੇਐਮਲੈਬਜ਼ ਦੇ ਨਾਲ ਮਿਲ ਕੇ ਬੈਲਜੀਅਨ ਸੈਂਟਰ ਆਈਮੇਕ ਦੇ ਅਧਾਰ ਤੇ ਇੱਕ ਪ੍ਰਯੋਗਸ਼ਾਲਾ ਬਣਾਈ ਗਈ ਸੀ। ਅਲਟਰਾਵਾਇਲਟ ਰੇਂਜ)। ਜਾਪਦਾ ਹੈ, ਇੱਥੇ ਅਧਿਐਨ ਕਰਨ ਲਈ ਕੀ ਹੈ? ਨਹੀਂ, ਅਧਿਐਨ ਦਾ ਵਿਸ਼ਾ ਹੈ, ਪਰ ਇਸ ਲਈ ਨਵੀਂ ਪ੍ਰਯੋਗਸ਼ਾਲਾ ਦੀ ਸਥਾਪਨਾ ਕਿਉਂ? ਸੈਮਸੰਗ ਨੇ ਅੱਧਾ ਸਾਲ ਪਹਿਲਾਂ EUV ਰੇਂਜ ਸਕੈਨਰਾਂ ਦੀ ਅੰਸ਼ਕ ਵਰਤੋਂ ਨਾਲ 7nm ਚਿਪਸ ਦਾ ਉਤਪਾਦਨ ਸ਼ੁਰੂ ਕੀਤਾ ਸੀ। TSMC ਜਲਦੀ ਹੀ ਸ਼ਾਮਲ ਹੋ ਜਾਵੇਗਾ। ਸਾਲ ਦੇ ਅੰਤ ਤੱਕ, ਇਹ ਦੋਵੇਂ 5 nm ਮਾਪਦੰਡਾਂ ਦੇ ਨਾਲ ਜੋਖਮ ਭਰਪੂਰ ਉਤਪਾਦਨ ਸ਼ੁਰੂ ਕਰਨਗੇ, ਅਤੇ ਇਸ ਤਰ੍ਹਾਂ ਹੀ. ਅਤੇ ਫਿਰ ਵੀ ਸਮੱਸਿਆਵਾਂ ਹਨ, ਅਤੇ ਉਹ ਪ੍ਰਯੋਗਸ਼ਾਲਾਵਾਂ ਵਿੱਚ ਪ੍ਰਸ਼ਨਾਂ ਦੇ ਜਵਾਬ ਲੱਭਣ ਲਈ ਕਾਫ਼ੀ ਗੰਭੀਰ ਹਨ, ਨਾ ਕਿ ਉਤਪਾਦਨ ਵਿੱਚ.

ਅੱਜ EUV ਲਿਥੋਗ੍ਰਾਫੀ ਵਿੱਚ ਮੁੱਖ ਸਮੱਸਿਆ ਫੋਟੋਰੇਸਿਸਟ ਦੀ ਗੁਣਵੱਤਾ ਬਣੀ ਹੋਈ ਹੈ। EUV ਰੇਡੀਏਸ਼ਨ ਦਾ ਸਰੋਤ ਪਲਾਜ਼ਮਾ ਹੈ, ਲੇਜ਼ਰ ਨਹੀਂ, ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਪੁਰਾਣੇ 193nm ਸਕੈਨਰਾਂ ਦੇ ਨਾਲ ਹੁੰਦਾ ਹੈ। ਲੇਜ਼ਰ ਇੱਕ ਗੈਸੀ ਮਾਧਿਅਮ ਵਿੱਚ ਲੀਡ ਦੀ ਇੱਕ ਬੂੰਦ ਨੂੰ ਵਾਸ਼ਪੀਕਰਨ ਕਰਦਾ ਹੈ ਅਤੇ ਨਤੀਜੇ ਵਜੋਂ ਰੇਡੀਏਸ਼ਨ ਫੋਟੌਨਾਂ ਨੂੰ ਛੱਡਦੀ ਹੈ, ਜਿਸਦੀ ਊਰਜਾ ਅਲਟਰਾਵਾਇਲਟ ਰੇਡੀਏਸ਼ਨ ਵਾਲੇ ਸਕੈਨਰਾਂ ਵਿੱਚ ਫੋਟੌਨਾਂ ਦੀ ਊਰਜਾ ਨਾਲੋਂ 14 ਗੁਣਾ ਵੱਧ ਹੈ। ਨਤੀਜੇ ਵਜੋਂ, ਫੋਟੋਰੇਸਿਸਟ ਨਾ ਸਿਰਫ਼ ਉਹਨਾਂ ਥਾਵਾਂ 'ਤੇ ਨਸ਼ਟ ਹੋ ਜਾਂਦਾ ਹੈ ਜਿੱਥੇ ਇਹ ਫੋਟੌਨਾਂ ਦੁਆਰਾ ਬੰਬਾਰੀ ਕੀਤੀ ਜਾਂਦੀ ਹੈ, ਸਗੋਂ ਬੇਤਰਤੀਬ ਗਲਤੀਆਂ ਵੀ ਹੁੰਦੀਆਂ ਹਨ, ਜਿਸ ਵਿੱਚ ਅਖੌਤੀ ਭਿੰਨਾਤਮਕ ਸ਼ੋਰ ਪ੍ਰਭਾਵ ਵੀ ਸ਼ਾਮਲ ਹੈ। ਫੋਟੌਨਾਂ ਦੀ ਊਰਜਾ ਬਹੁਤ ਜ਼ਿਆਦਾ ਹੈ। EUV ਸਕੈਨਰਾਂ ਦੇ ਨਾਲ ਪ੍ਰਯੋਗ ਦਰਸਾਉਂਦੇ ਹਨ ਕਿ ਫੋਟੋਰੇਸਿਸਟ, ਜੋ ਅਜੇ ਵੀ 7 nm ਮਾਪਦੰਡਾਂ ਨਾਲ ਕੰਮ ਕਰਨ ਦੇ ਸਮਰੱਥ ਹਨ, 5 nm ਸਰਕਟਾਂ ਵਿੱਚ ਘੜੇ ਜਾਣ 'ਤੇ ਅਸਵੀਕਾਰਨ ਦੇ ਉੱਚ ਪੱਧਰ ਦਾ ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਨ ਕਰਦੇ ਹਨ। ਸਮੱਸਿਆ ਇੰਨੀ ਗੰਭੀਰ ਹੈ ਕਿ ਬਹੁਤ ਸਾਰੇ ਮਾਹਰ 5nm ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਦੀ ਸ਼ੁਰੂਆਤੀ ਸਫਲ ਸ਼ੁਰੂਆਤ ਵਿੱਚ ਵਿਸ਼ਵਾਸ ਨਹੀਂ ਕਰਦੇ ਹਨ, 3nm ਅਤੇ ਹੇਠਾਂ ਤਬਦੀਲੀ ਦਾ ਜ਼ਿਕਰ ਨਹੀਂ ਕਰਦੇ ਹਨ।

Imec ਅਤੇ KMLabs ਦੀ ਸਾਂਝੀ ਪ੍ਰਯੋਗਸ਼ਾਲਾ ਵਿੱਚ ਨਵੀਂ ਪੀੜ੍ਹੀ ਦੇ ਫੋਟੋਰੇਸਿਸਟ ਬਣਾਉਣ ਦੀ ਸਮੱਸਿਆ ਦਾ ਹੱਲ ਕੀਤਾ ਜਾਵੇਗਾ। ਅਤੇ ਉਹ ਇਸਨੂੰ ਵਿਗਿਆਨਕ ਪਹੁੰਚ ਦੇ ਦ੍ਰਿਸ਼ਟੀਕੋਣ ਤੋਂ ਹੱਲ ਕਰਨਗੇ, ਨਾ ਕਿ ਰੀਐਜੈਂਟਸ ਦੀ ਚੋਣ ਕਰਕੇ, ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਪਿਛਲੇ ਤੀਹ-ਕੁਝ ਸਾਲਾਂ ਵਿੱਚ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਹੈ। ਅਜਿਹਾ ਕਰਨ ਲਈ, ਵਿਗਿਆਨਕ ਭਾਈਵਾਲ ਫੋਟੋਰੇਸਿਸਟ ਵਿੱਚ ਭੌਤਿਕ ਅਤੇ ਰਸਾਇਣਕ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆਵਾਂ ਦੇ ਵਿਸਤ੍ਰਿਤ ਅਧਿਐਨ ਲਈ ਇੱਕ ਸਾਧਨ ਤਿਆਰ ਕਰਨਗੇ। ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ, ਸਿੰਕ੍ਰੋਟ੍ਰੋਨ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਅਣੂ ਦੇ ਪੱਧਰ 'ਤੇ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆਵਾਂ ਦਾ ਅਧਿਐਨ ਕਰਨ ਲਈ ਕੀਤੀ ਜਾਂਦੀ ਹੈ, ਪਰ Imec ਅਤੇ KMLabs ਇਨਫਰਾਰੈੱਡ ਲੇਜ਼ਰਾਂ ਦੇ ਅਧਾਰ ਤੇ ਪ੍ਰੋਜੈਕਸ਼ਨ ਅਤੇ ਮਾਪ EUV ਉਪਕਰਣ ਬਣਾਉਣ ਜਾ ਰਹੇ ਹਨ। KMLabs ਲੇਜ਼ਰ ਪ੍ਰਣਾਲੀਆਂ ਵਿੱਚ ਸਿਰਫ਼ ਇੱਕ ਮਾਹਰ ਹੈ।

 

KMLabs ਲੇਜ਼ਰ ਸਹੂਲਤ ਦੇ ਅਧਾਰ 'ਤੇ, ਉੱਚ ਹਾਰਮੋਨਿਕਸ ਬਣਾਉਣ ਲਈ ਇੱਕ ਪਲੇਟਫਾਰਮ ਬਣਾਇਆ ਜਾਵੇਗਾ। ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ, ਇਸਦੇ ਲਈ, ਇੱਕ ਉੱਚ-ਤੀਬਰਤਾ ਵਾਲੇ ਲੇਜ਼ਰ ਪਲਸ ਨੂੰ ਇੱਕ ਗੈਸੀ ਮਾਧਿਅਮ ਵਿੱਚ ਨਿਰਦੇਸ਼ਿਤ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਜਿਸ ਵਿੱਚ ਨਿਰਦੇਸ਼ਿਤ ਨਬਜ਼ ਦੇ ਬਹੁਤ ਉੱਚ ਫ੍ਰੀਕੁਐਂਸੀ ਹਾਰਮੋਨਿਕਸ ਹੁੰਦੇ ਹਨ। ਅਜਿਹੇ ਇੱਕ ਪਰਿਵਰਤਨ ਦੇ ਨਾਲ, ਇੱਕ ਮਹੱਤਵਪੂਰਣ ਸ਼ਕਤੀ ਦਾ ਨੁਕਸਾਨ ਹੁੰਦਾ ਹੈ, ਤਾਂ ਜੋ EUV ਰੇਡੀਏਸ਼ਨ ਪੈਦਾ ਕਰਨ ਦੇ ਸਮਾਨ ਸਿਧਾਂਤ ਨੂੰ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਲਿਥੋਗ੍ਰਾਫੀ ਲਈ ਸਿੱਧੇ ਤੌਰ 'ਤੇ ਨਹੀਂ ਵਰਤਿਆ ਜਾ ਸਕਦਾ। ਪਰ ਇਹ ਪ੍ਰਯੋਗਾਂ ਲਈ ਕਾਫ਼ੀ ਹੈ. ਸਭ ਤੋਂ ਮਹੱਤਵਪੂਰਨ ਤੌਰ 'ਤੇ, ਨਤੀਜੇ ਵਜੋਂ ਨਿਕਲਣ ਵਾਲੀ ਰੇਡੀਏਸ਼ਨ ਨੂੰ ਪਲਸ ਅਵਧੀ ਦੁਆਰਾ ਪਿਕੋਸਕਿੰਡ (10-12) ਤੋਂ ਲੈ ਕੇ ਐਟੋਸਿਕੰਡ (10-18) ਤੱਕ, ਅਤੇ 6,5 nm ਤੋਂ 47 nm ਤੱਕ ਤਰੰਗ-ਲੰਬਾਈ ਦੁਆਰਾ ਨਿਯੰਤਰਿਤ ਕੀਤਾ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ। ਇੱਕ ਮਾਪਣ ਵਾਲੇ ਸਾਧਨ ਲਈ, ਇਹ ਕੀਮਤੀ ਗੁਣ ਹਨ. ਉਹ ਫੋਟੋਰੇਸਿਸਟ, ਆਇਓਨਾਈਜ਼ੇਸ਼ਨ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆਵਾਂ ਅਤੇ ਉੱਚ ਊਰਜਾ ਫੋਟੌਨਾਂ ਦੇ ਸੰਪਰਕ ਵਿੱਚ ਅਤਿ-ਫਾਸਟ ਅਣੂ ਤਬਦੀਲੀਆਂ ਦੀਆਂ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆਵਾਂ ਦਾ ਅਧਿਐਨ ਕਰਨ ਵਿੱਚ ਮਦਦ ਕਰਨਗੇ। ਇਸ ਤੋਂ ਬਿਨਾਂ, 3 ਅਤੇ ਇੱਥੋਂ ਤੱਕ ਕਿ 5 nm ਤੋਂ ਘੱਟ ਮਾਪਦੰਡਾਂ ਵਾਲੀ ਉਦਯੋਗਿਕ ਫੋਟੋਲਿਥੋਗ੍ਰਾਫੀ ਵੀ ਸਵਾਲ ਵਿੱਚ ਰਹਿੰਦੀ ਹੈ।

ਸਰੋਤ: 3dnews.ru