ਦੋ-ਅਯਾਮੀ ਡੁਏਟ: ਬੋਰੋਫੀਨ-ਗ੍ਰਾਫੀਨ ਹੇਟਰੋਸਟ੍ਰਕਚਰ ਦੀ ਰਚਨਾ

“ਪਰਿਵਰਤਨ ਵਿਕਾਸਵਾਦ ਦੇ ਭੇਤ ਨੂੰ ਖੋਲ੍ਹਣ ਦੀ ਕੁੰਜੀ ਹੈ। ਸਰਲ ਜੀਵ ਤੋਂ ਪ੍ਰਮੁੱਖ ਜੈਵਿਕ ਪ੍ਰਜਾਤੀਆਂ ਤੱਕ ਵਿਕਾਸ ਦਾ ਮਾਰਗ ਹਜ਼ਾਰਾਂ ਸਾਲਾਂ ਤੱਕ ਚੱਲਦਾ ਹੈ। ਪਰ ਹਰ ਲੱਖ ਸਾਲਾਂ ਵਿੱਚ ਵਿਕਾਸਵਾਦ ਵਿੱਚ ਇੱਕ ਤਿੱਖੀ ਛਾਲ ਹੁੰਦੀ ਹੈ" (ਚਾਰਲਸ ਜ਼ੇਵੀਅਰ, ਐਕਸ-ਮੈਨ, 2000)। ਜੇ ਅਸੀਂ ਕਾਮਿਕਸ ਅਤੇ ਫਿਲਮਾਂ ਵਿੱਚ ਮੌਜੂਦ ਸਾਰੇ ਵਿਗਿਆਨ-ਕਥਾ ਤੱਤਾਂ ਨੂੰ ਰੱਦ ਕਰ ਦੇਈਏ, ਤਾਂ ਪ੍ਰੋਫੈਸਰ ਐਕਸ ਦੇ ਸ਼ਬਦ ਬਿਲਕੁਲ ਸੱਚ ਹਨ। ਕਿਸੇ ਚੀਜ਼ ਦਾ ਵਿਕਾਸ ਜ਼ਿਆਦਾਤਰ ਸਮਾਂ ਸਮਾਨ ਰੂਪ ਵਿੱਚ ਅੱਗੇ ਵਧਦਾ ਹੈ, ਪਰ ਕਦੇ-ਕਦਾਈਂ ਅਜਿਹੇ ਜੰਪ ਹੁੰਦੇ ਹਨ ਜੋ ਪੂਰੀ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ 'ਤੇ ਬਹੁਤ ਜ਼ਿਆਦਾ ਪ੍ਰਭਾਵ ਪਾਉਂਦੇ ਹਨ। ਇਹ ਨਾ ਸਿਰਫ਼ ਸਪੀਸੀਜ਼ ਦੇ ਵਿਕਾਸ 'ਤੇ ਲਾਗੂ ਹੁੰਦਾ ਹੈ, ਸਗੋਂ ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਦੇ ਵਿਕਾਸ 'ਤੇ ਵੀ ਲਾਗੂ ਹੁੰਦਾ ਹੈ, ਜਿਸਦਾ ਮੁੱਖ ਚਾਲਕ ਲੋਕ, ਉਨ੍ਹਾਂ ਦੀਆਂ ਖੋਜਾਂ ਅਤੇ ਕਾਢਾਂ ਹਨ। ਅੱਜ ਅਸੀਂ ਇੱਕ ਅਧਿਐਨ ਤੋਂ ਜਾਣੂ ਹੋਵਾਂਗੇ ਜੋ, ਇਸਦੇ ਲੇਖਕਾਂ ਦੇ ਅਨੁਸਾਰ, ਨੈਨੋ ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਵਿੱਚ ਇੱਕ ਅਸਲੀ ਵਿਕਾਸਵਾਦੀ ਛਾਲ ਹੈ। ਨਾਰਥਵੈਸਟਰਨ ਯੂਨੀਵਰਸਿਟੀ (ਅਮਰੀਕਾ) ਦੇ ਵਿਗਿਆਨੀਆਂ ਨੇ ਇੱਕ ਨਵਾਂ ਦੋ-ਅਯਾਮੀ ਹੇਟਰੋਸਟ੍ਰਕਚਰ ਬਣਾਉਣ ਦਾ ਪ੍ਰਬੰਧ ਕਿਵੇਂ ਕੀਤਾ, ਗ੍ਰਾਫੀਨ ਅਤੇ ਬੋਰੋਫੀਨ ਨੂੰ ਆਧਾਰ ਵਜੋਂ ਕਿਉਂ ਚੁਣਿਆ ਗਿਆ, ਅਤੇ ਅਜਿਹੀ ਪ੍ਰਣਾਲੀ ਵਿੱਚ ਕੀ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਹੋ ਸਕਦੀਆਂ ਹਨ? ਖੋਜ ਸਮੂਹ ਦੀ ਰਿਪੋਰਟ ਸਾਨੂੰ ਇਸ ਬਾਰੇ ਦੱਸੇਗੀ। ਜਾਣਾ.

ਖੋਜ ਆਧਾਰ

ਅਸੀਂ "ਗ੍ਰਾਫੀਨ" ਸ਼ਬਦ ਨੂੰ ਕਈ ਵਾਰ ਸੁਣਿਆ ਹੈ; ਇਹ ਕਾਰਬਨ ਦਾ ਦੋ-ਅਯਾਮੀ ਸੋਧ ਹੈ, ਜਿਸ ਵਿੱਚ ਕਾਰਬਨ ਪਰਮਾਣੂ 1 ਐਟਮ ਮੋਟੀ ਦੀ ਇੱਕ ਪਰਤ ਹੁੰਦੀ ਹੈ। ਪਰ "ਬੋਰੋਫੇਨ" ਬਹੁਤ ਘੱਟ ਹੁੰਦਾ ਹੈ। ਇਹ ਸ਼ਬਦ ਇੱਕ ਦੋ-ਅਯਾਮੀ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਨੂੰ ਦਰਸਾਉਂਦਾ ਹੈ ਜਿਸ ਵਿੱਚ ਸਿਰਫ਼ ਬੋਰਾਨ (ਬੀ) ਪਰਮਾਣੂ ਹੁੰਦੇ ਹਨ। ਬੋਰੋਫੀਨ ਦੀ ਹੋਂਦ ਦੀ ਸੰਭਾਵਨਾ ਪਹਿਲੀ ਵਾਰ 90 ਦੇ ਦਹਾਕੇ ਦੇ ਅੱਧ ਵਿੱਚ ਵਾਪਸ ਕੀਤੀ ਗਈ ਸੀ, ਪਰ ਅਭਿਆਸ ਵਿੱਚ ਇਹ ਢਾਂਚਾ ਸਿਰਫ 2015 ਦੁਆਰਾ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਸੀ।

ਬੋਰੋਫੀਨ ਦੀ ਪਰਮਾਣੂ ਬਣਤਰ ਵਿੱਚ ਤਿਕੋਣੀ ਅਤੇ ਹੈਕਸਾਗੋਨਲ ਤੱਤ ਸ਼ਾਮਲ ਹੁੰਦੇ ਹਨ ਅਤੇ ਇਹ ਦੋ-ਕੇਂਦਰ ਅਤੇ ਬਹੁ-ਕੇਂਦਰੀ ਇਨ-ਪਲੇਨ ਬਾਂਡਾਂ ਵਿਚਕਾਰ ਆਪਸੀ ਤਾਲਮੇਲ ਦਾ ਨਤੀਜਾ ਹੈ, ਜੋ ਕਿ ਇਲੈਕਟ੍ਰੌਨ ਦੀ ਘਾਟ ਵਾਲੇ ਤੱਤਾਂ ਲਈ ਬਹੁਤ ਖਾਸ ਹੈ, ਜਿਸ ਵਿੱਚ ਬੋਰੋਨ ਸ਼ਾਮਲ ਹਨ।

*ਦੋ-ਕੇਂਦਰੀ ਅਤੇ ਮਲਟੀਸੈਂਟਰ ਬਾਂਡਾਂ ਦੁਆਰਾ ਸਾਡਾ ਮਤਲਬ ਰਸਾਇਣਕ ਬੰਧਨ ਹੈ - ਪਰਮਾਣੂਆਂ ਦੀਆਂ ਪਰਸਪਰ ਕ੍ਰਿਆਵਾਂ ਜੋ ਇੱਕ ਅਣੂ ਜਾਂ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਦੀ ਸਥਿਰਤਾ ਨੂੰ ਇੱਕ ਸਿੰਗਲ ਬਣਤਰ ਵਜੋਂ ਦਰਸਾਉਂਦੀਆਂ ਹਨ। ਉਦਾਹਰਨ ਲਈ, ਇੱਕ ਦੋ-ਕੇਂਦਰੀ ਦੋ-ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਨ ਬਾਂਡ ਉਦੋਂ ਵਾਪਰਦਾ ਹੈ ਜਦੋਂ 2 ਪਰਮਾਣੂ 2 ਇਲੈਕਟ੍ਰੌਨਾਂ ਨੂੰ ਸਾਂਝਾ ਕਰਦੇ ਹਨ, ਅਤੇ ਇੱਕ ਦੋ-ਕੇਂਦਰੀ ਤਿੰਨ-ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਨ ਬਾਂਡ ਉਦੋਂ ਵਾਪਰਦਾ ਹੈ ਜਦੋਂ 2 ਪਰਮਾਣੂ ਅਤੇ 3 ਇਲੈਕਟ੍ਰੌਨ, ਆਦਿ।

ਭੌਤਿਕ ਦ੍ਰਿਸ਼ਟੀਕੋਣ ਤੋਂ, ਬੋਰੋਫੀਨ ਗ੍ਰਾਫੀਨ ਨਾਲੋਂ ਮਜ਼ਬੂਤ ​​ਅਤੇ ਵਧੇਰੇ ਲਚਕਦਾਰ ਹੋ ਸਕਦਾ ਹੈ। ਇਹ ਵੀ ਮੰਨਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ ਕਿ ਬੋਰੋਫੀਨ ਬਣਤਰ ਬੈਟਰੀਆਂ ਲਈ ਇੱਕ ਪ੍ਰਭਾਵਸ਼ਾਲੀ ਪੂਰਕ ਹੋ ਸਕਦਾ ਹੈ ਕਿਉਂਕਿ ਬੋਰੋਫੀਨ ਵਿੱਚ ਉੱਚ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ ਸਮਰੱਥਾ ਅਤੇ ਵਿਲੱਖਣ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਚਾਲਕਤਾ ਅਤੇ ਆਇਨ ਟ੍ਰਾਂਸਪੋਰਟ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਹੁੰਦੀਆਂ ਹਨ। ਹਾਲਾਂਕਿ, ਇਸ ਸਮੇਂ ਇਹ ਸਿਰਫ ਇੱਕ ਸਿਧਾਂਤ ਹੈ.

ਹੋਣਾ ਤਿਕੋਣੀ ਤੱਤ*, ਬੋਰਾਨ ਵਿੱਚ ਘੱਟੋ-ਘੱਟ 10 ਹੁੰਦੇ ਹਨ ਅਲੋਟ੍ਰੋਪ*. ਦੋ-ਅਯਾਮੀ ਰੂਪ ਵਿੱਚ, ਸਮਾਨ ਬਹੁਰੂਪਵਾਦ* ਵੀ ਦੇਖਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ।

ਤਿਕੋਣੀ ਤੱਤ* ਤਿੰਨ ਸਹਿ-ਸਹਿਯੋਗੀ ਬਾਂਡ ਬਣਾਉਣ ਦੇ ਸਮਰੱਥ, ਜਿਸ ਦੀ ਸਮਾਈ ਤਿੰਨ ਹੈ।

ਅਲੋਟ੍ਰੋਪੀ* - ਜਦੋਂ ਇੱਕ ਰਸਾਇਣਕ ਤੱਤ ਦੋ ਜਾਂ ਵਧੇਰੇ ਸਧਾਰਨ ਪਦਾਰਥਾਂ ਦੇ ਰੂਪ ਵਿੱਚ ਪੇਸ਼ ਕੀਤਾ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ। ਉਦਾਹਰਨ ਦੇ ਤੌਰ 'ਤੇ, ਕਾਰਬਨ - ਹੀਰਾ, ਗ੍ਰਾਫੀਨ, ਗ੍ਰੈਫਾਈਟ, ਕਾਰਬਨ ਨੈਨੋਟਿਊਬ, ਆਦਿ।

ਬਹੁਰੂਪਵਾਦ* - ਵੱਖ-ਵੱਖ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਬਣਤਰਾਂ (ਪੋਲੀਮੋਰਫਿਕ ਸੋਧਾਂ) ਵਿੱਚ ਮੌਜੂਦ ਹੋਣ ਲਈ ਇੱਕ ਪਦਾਰਥ ਦੀ ਸਮਰੱਥਾ। ਸਧਾਰਨ ਪਦਾਰਥਾਂ ਦੇ ਮਾਮਲੇ ਵਿੱਚ, ਇਹ ਸ਼ਬਦ ਅਲੋਟ੍ਰੋਪੀ ਦਾ ਸਮਾਨਾਰਥੀ ਹੈ।

ਇਸ ਵਿਆਪਕ ਪੋਲੀਮੋਰਫਿਜ਼ਮ ਦੇ ਮੱਦੇਨਜ਼ਰ, ਇਹ ਸੁਝਾਅ ਦਿੱਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ ਕਿ ਬੋਰੋਫਿਨ ਨਵੇਂ ਦੋ-ਅਯਾਮੀ ਹੇਟਰੋਸਟ੍ਰਕਚਰ ਬਣਾਉਣ ਲਈ ਇੱਕ ਵਧੀਆ ਉਮੀਦਵਾਰ ਹੋ ਸਕਦਾ ਹੈ, ਕਿਉਂਕਿ ਵੱਖ-ਵੱਖ ਬੋਰੋਨ ਬੰਧਨ ਸੰਰਚਨਾਵਾਂ ਨੂੰ ਜਾਲੀ ਨਾਲ ਮੇਲ ਖਾਂਦੀਆਂ ਲੋੜਾਂ ਨੂੰ ਢਿੱਲ ਦੇਣਾ ਚਾਹੀਦਾ ਹੈ। ਬਦਕਿਸਮਤੀ ਨਾਲ, ਇਸ ਮੁੱਦੇ ਨੂੰ ਪਹਿਲਾਂ ਸੰਸਲੇਸ਼ਣ ਵਿੱਚ ਮੁਸ਼ਕਲਾਂ ਦੇ ਕਾਰਨ ਸਿਧਾਂਤਕ ਪੱਧਰ 'ਤੇ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ ਤੌਰ 'ਤੇ ਅਧਿਐਨ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਸੀ।

ਬਲਕ ਲੇਅਰਡ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਤੋਂ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕੀਤੀ ਪਰੰਪਰਾਗਤ 2D ਸਮੱਗਰੀ ਲਈ, ਮਕੈਨੀਕਲ ਸਟੈਕਿੰਗ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਕੇ ਲੰਬਕਾਰੀ ਹੇਟਰੋਸਟ੍ਰਕਚਰ ਨੂੰ ਸਾਕਾਰ ਕੀਤਾ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ। ਦੂਜੇ ਪਾਸੇ, ਦੋ-ਅਯਾਮੀ ਲੇਟਰਲ ਹੇਟਰੋਸਟ੍ਰਕਚਰ ਤਲ-ਉੱਪਰ ਦੇ ਸੰਸਲੇਸ਼ਣ 'ਤੇ ਅਧਾਰਤ ਹਨ। ਪਰਮਾਣੂ ਤੌਰ 'ਤੇ ਸਟੀਕ ਲੈਟਰਲ ਹੇਟਰੋਸਟ੍ਰਕਚਰ ਵਿੱਚ ਹੈਟਰੋਜੰਕਸ਼ਨ ਫੰਕਸ਼ਨਲ ਨਿਯੰਤਰਣ ਸਮੱਸਿਆਵਾਂ ਨੂੰ ਹੱਲ ਕਰਨ ਦੀ ਬਹੁਤ ਸੰਭਾਵਨਾ ਹੁੰਦੀ ਹੈ, ਹਾਲਾਂਕਿ, ਕੋਵਲੈਂਟ ਬੰਧਨ ਦੇ ਕਾਰਨ, ਅਪੂਰਣ ਜਾਲੀ ਮੇਲਣ ਦਾ ਨਤੀਜਾ ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ ਚੌੜਾ ਅਤੇ ਵਿਗਾੜਿਤ ਇੰਟਰਫੇਸ ਹੁੰਦਾ ਹੈ। ਇਸ ਲਈ, ਸੰਭਾਵਨਾ ਹੈ, ਪਰ ਇਸ ਨੂੰ ਸਾਕਾਰ ਕਰਨ ਵਿੱਚ ਮੁਸ਼ਕਲਾਂ ਵੀ ਹਨ.

ਇਸ ਕੰਮ ਵਿੱਚ, ਖੋਜਕਰਤਾਵਾਂ ਨੇ ਬੋਰੋਫੀਨ ਅਤੇ ਗ੍ਰਾਫੀਨ ਨੂੰ ਇੱਕ ਦੋ-ਅਯਾਮੀ ਹੇਟਰੋਸਟ੍ਰਕਚਰ ਵਿੱਚ ਏਕੀਕ੍ਰਿਤ ਕਰਨ ਵਿੱਚ ਕਾਮਯਾਬ ਰਹੇ। ਬੋਰੋਫਿਨ ਅਤੇ ਗ੍ਰਾਫੀਨ ਵਿਚਕਾਰ ਕ੍ਰਿਸਟਲੋਗ੍ਰਾਫਿਕ ਜਾਲੀ ਦੀ ਬੇਮੇਲਤਾ ਅਤੇ ਸਮਰੂਪਤਾ ਦੇ ਬਾਵਜੂਦ, ਅਲਟਰਾ-ਹਾਈ ਵੈਕਿਊਮ (UHV) ਦੇ ਅਧੀਨ ਇੱਕ Ag(111) ਸਬਸਟਰੇਟ ਉੱਤੇ ਕਾਰਬਨ ਅਤੇ ਬੋਰਾਨ ਦਾ ਕ੍ਰਮਵਾਰ ਜਮ੍ਹਾ ਹੋਣ ਦੇ ਨਤੀਜੇ ਵਜੋਂ ਲਗਭਗ ਪ੍ਰਮਾਣੂ ਤੌਰ 'ਤੇ ਸਟੀਕ ਲੈਟਰਲ ਹੈਟਰੋਇੰਟਰਫੇਸਾਂ ਵਿੱਚ ਪੂਰਵ-ਅਨੁਮਾਨਿਤ ਐਲੀਟੇਰੀਸਿਸ ਦੇ ਨਾਲ ਅਲਟਰਫਾਸਿਸ ਦੇ ਨਾਲ-ਨਾਲ .

ਅਧਿਐਨ ਦੀ ਤਿਆਰੀ

ਹੇਟਰੋਸਟ੍ਰਕਚਰ ਦਾ ਅਧਿਐਨ ਕਰਨ ਤੋਂ ਪਹਿਲਾਂ, ਇਸ ਨੂੰ ਘੜਿਆ ਜਾਣਾ ਚਾਹੀਦਾ ਸੀ. ਗ੍ਰਾਫੀਨ ਅਤੇ ਬੋਰੋਫੀਨ ਦਾ ਵਾਧਾ 1x10-10 ਮਿਲੀਬਾਰ ਦੇ ਦਬਾਅ ਨਾਲ ਇੱਕ ਅਤਿ-ਉੱਚ ਵੈਕਿਊਮ ਚੈਂਬਰ ਵਿੱਚ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਸੀ।

ਸਿੰਗਲ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਏਜੀ (111) ਸਬਸਟਰੇਟ ਨੂੰ ਐਟਮੀ ਤੌਰ 'ਤੇ ਸਾਫ਼ ਅਤੇ ਫਲੈਟ ਐਜੀ (ਏਜੀ) ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਨ ਲਈ Ar+ ਸਪਟਰਿੰਗ (1 x 10-5 ਮਿਲੀਬਾਰ, 800 eV, 30 ਮਿੰਟ) ਅਤੇ ਥਰਮਲ ਐਨੀਲਿੰਗ (550 °C, 45 ਮਿੰਟ) ਦੇ ਦੁਹਰਾਉਣ ਵਾਲੇ ਚੱਕਰਾਂ ਦੁਆਰਾ ਸਾਫ਼ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਸੀ। 111) ਸਤ੍ਹਾ..

ਗ੍ਰਾਫੀਨ ਨੂੰ ਸ਼ੁੱਧ (99,997%) ਗ੍ਰਾਫਾਈਟ ਡੰਡੇ ਦੇ 2.0 ਮਿਲੀਮੀਟਰ ਦੇ ਵਿਆਸ ਦੇ ਨਾਲ ਇੱਕ ਏਜੀ (750) ਸਬਸਟਰੇਟ ਉੱਤੇ 111 °C ਤੱਕ ਗਰਮ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਇੱਕ ਹੀਟਿੰਗ ਕਰੰਟ ~ 1.6 A ਅਤੇ ~ 2 kV ਦੀ ਇੱਕ ਤੇਜ਼ ਵੋਲਟੇਜ ਨਾਲ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਨ ਬੀਮ ਵਾਸ਼ਪੀਕਰਨ ਦੁਆਰਾ ਉਗਾਇਆ ਗਿਆ ਸੀ। , ਜੋ ~ 70 mA ਅਤੇ ਕਾਰਬਨ ਵਹਾਅ ~ 40 nA ਦਾ ਨਿਕਾਸ ਕਰੰਟ ਦਿੰਦਾ ਹੈ। ਚੈਂਬਰ ਵਿੱਚ ਦਬਾਅ 1 x 10-9 ਮਿਲੀਬਾਰ ਸੀ।

ਬੋਰੋਫੀਨ ਨੂੰ ਏਜੀ (99,9999) 'ਤੇ 400-500 ਡਿਗਰੀ ਸੈਲਸੀਅਸ ਤੱਕ ਗਰਮ ਕੀਤੇ ਸਬਮੋਨੋਲੇਅਰ ਗ੍ਰਾਫੀਨ ਉੱਤੇ ਸ਼ੁੱਧ (111%) ਬੋਰੋਨ ਰਾਡ ਦੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਨ ਬੀਮ ਦੇ ਭਾਫੀਕਰਨ ਦੁਆਰਾ ਉਗਾਇਆ ਗਿਆ ਸੀ। ਫਿਲਾਮੈਂਟ ਕਰੰਟ ~1.5 A ਸੀ ਅਤੇ ਐਕਸਲੇਰੇਟਿੰਗ ਵੋਲਟੇਜ 1.75 kV ਸੀ, ਜੋ ~ 34 mA ਦਾ ਨਿਕਾਸ ਕਰੰਟ ਅਤੇ ~ 10 nA ਦਾ ਬੋਰਾਨ ਪ੍ਰਵਾਹ ਦਿੰਦਾ ਹੈ। ਬੋਰੋਫੀਨ ਦੇ ਵਾਧੇ ਦੌਰਾਨ ਚੈਂਬਰ ਵਿੱਚ ਦਬਾਅ ਲਗਭਗ 2 x 10-10 ਮਿਲੀਬਾਰ ਸੀ।

ਖੋਜ ਨਤੀਜੇ

ਚਿੱਤਰ #1

ਚਿੱਤਰ 'ਤੇ 1A ਦਿਖਾਇਆ ਗਿਆ STM* ਵਧੇ ਹੋਏ ਗ੍ਰਾਫੀਨ ਦਾ ਇੱਕ ਸਨੈਪਸ਼ਾਟ, ਜਿੱਥੇ ਗ੍ਰਾਫੀਨ ਡੋਮੇਨ ਇੱਕ ਨਕਸ਼ੇ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਕੇ ਸਭ ਤੋਂ ਵਧੀਆ ਵਿਜ਼ੂਅਲ ਕੀਤੇ ਜਾਂਦੇ ਹਨ dI/dV (1B), ਕਿੱਥੇ I и V ਟਨਲਿੰਗ ਕਰੰਟ ਅਤੇ ਨਮੂਨਾ ਵਿਸਥਾਪਨ ਹੈ, ਅਤੇ d - ਘਣਤਾ.

STM* - ਸਕੈਨਿੰਗ ਟਨਲਿੰਗ ਮਾਈਕ੍ਰੋਸਕੋਪ।

dI/dV ਨਮੂਨੇ ਦੇ ਨਕਸ਼ਿਆਂ ਨੇ ਸਾਨੂੰ Ag(111) ਸਬਸਟਰੇਟ ਦੇ ਮੁਕਾਬਲੇ ਗ੍ਰਾਫੀਨ ਦੇ ਰਾਜਾਂ ਦੀ ਉੱਚ ਸਥਾਨਕ ਘਣਤਾ ਦੇਖਣ ਦੀ ਇਜਾਜ਼ਤ ਦਿੱਤੀ। ਪਿਛਲੇ ਅਧਿਐਨਾਂ ਦੇ ਅਨੁਸਾਰ, ਏਜੀ (111) ਦੀ ਸਤਹ ਅਵਸਥਾ ਵਿੱਚ ਇੱਕ ਕਦਮ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾ ਹੁੰਦੀ ਹੈ, ਜਿਸ ਦੁਆਰਾ ਸਕਾਰਾਤਮਕ ਊਰਜਾਵਾਂ ਵੱਲ ਬਦਲਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ dI/dV ਗ੍ਰਾਫੀਨ ਦਾ ਸਪੈਕਟ੍ਰਮ (1 ਹਜ਼ਾਰ), ਜੋ ਕਿ ਗ੍ਰਾਫੀਨ ਦੇ ਰਾਜਾਂ ਦੀ ਉੱਚ ਸਥਾਨਕ ਘਣਤਾ ਦੀ ਵਿਆਖਿਆ ਕਰਦਾ ਹੈ 1B 0.3 eV 'ਤੇ।

ਚਿੱਤਰ 'ਤੇ 1D ਅਸੀਂ ਸਿੰਗਲ-ਲੇਅਰ ਗ੍ਰਾਫੀਨ ਦੀ ਬਣਤਰ ਦੇਖ ਸਕਦੇ ਹਾਂ, ਜਿੱਥੇ ਹਨੀਕੋੰਬ ਜਾਲੀ ਅਤੇ ਮੋਇਰੇ ਸੁਪਰਸਟਰੱਕਚਰ*.

ਸੁਪਰਸਟਰੱਕਚਰ* - ਇੱਕ ਕ੍ਰਿਸਟਲਿਨ ਮਿਸ਼ਰਣ ਦੀ ਬਣਤਰ ਦੀ ਇੱਕ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾ ਜੋ ਇੱਕ ਨਿਸ਼ਚਿਤ ਅੰਤਰਾਲ 'ਤੇ ਦੁਹਰਾਉਂਦੀ ਹੈ ਅਤੇ ਇਸ ਤਰ੍ਹਾਂ ਇੱਕ ਵੱਖਰੀ ਬਦਲਵੀਂ ਮਿਆਦ ਦੇ ਨਾਲ ਇੱਕ ਨਵੀਂ ਬਣਤਰ ਬਣਾਉਂਦੀ ਹੈ।

ਮੋਇਰ* - ਇੱਕ ਦੂਜੇ ਦੇ ਸਿਖਰ 'ਤੇ ਦੋ ਆਵਰਤੀ ਜਾਲ ਪੈਟਰਨਾਂ ਦੀ ਸੁਪਰਪੋਜ਼ੀਸ਼ਨ।

ਹੇਠਲੇ ਤਾਪਮਾਨਾਂ 'ਤੇ, ਵਿਕਾਸ ਡੈਂਡਰਟਿਕ ਅਤੇ ਨੁਕਸਦਾਰ ਗ੍ਰਾਫੀਨ ਡੋਮੇਨ ਦੇ ਗਠਨ ਵੱਲ ਖੜਦਾ ਹੈ। ਗ੍ਰਾਫੀਨ ਅਤੇ ਅੰਡਰਲਾਈੰਗ ਸਬਸਟਰੇਟ ਵਿਚਕਾਰ ਕਮਜ਼ੋਰ ਪਰਸਪਰ ਪ੍ਰਭਾਵ ਦੇ ਕਾਰਨ, ਅੰਡਰਲਾਈੰਗ Ag(111) ਦੇ ਸਬੰਧ ਵਿੱਚ ਗ੍ਰਾਫੀਨ ਦੀ ਰੋਟੇਸ਼ਨਲ ਅਲਾਈਨਮੈਂਟ ਵਿਲੱਖਣ ਨਹੀਂ ਹੈ।

ਬੋਰਾਨ ਜਮ੍ਹਾਂ ਹੋਣ ਤੋਂ ਬਾਅਦ, ਸਕੈਨਿੰਗ ਟਨਲਿੰਗ ਮਾਈਕ੍ਰੋਸਕੋਪੀ (1E) ਨੇ ਬੋਰੋਫੀਨ ਅਤੇ ਗ੍ਰਾਫੀਨ ਡੋਮੇਨਾਂ ਦੇ ਸੁਮੇਲ ਦੀ ਮੌਜੂਦਗੀ ਨੂੰ ਦਰਸਾਇਆ। ਚਿੱਤਰ ਵਿੱਚ ਗ੍ਰਾਫੀਨ ਦੇ ਅੰਦਰਲੇ ਖੇਤਰ ਵੀ ਦਿਖਾਈ ਦਿੰਦੇ ਹਨ, ਜਿਨ੍ਹਾਂ ਦੀ ਬਾਅਦ ਵਿੱਚ ਬੋਰੋਫੀਨ (ਚਿੱਤਰ ਵਿੱਚ ਦਰਸਾਏ ਗਏ) ਨਾਲ ਗ੍ਰਾਫੀਨ ਇੰਟਰਕੇਲੇਟਿਡ ਵਜੋਂ ਪਛਾਣ ਕੀਤੀ ਗਈ ਸੀ। Gr/B). ਲੀਨੀਅਰ ਐਲੀਮੈਂਟਸ ਜੋ ਤਿੰਨ ਦਿਸ਼ਾਵਾਂ ਵਿੱਚ ਹਨ ਅਤੇ 120° ਦੇ ਕੋਣ ਦੁਆਰਾ ਵੱਖ ਕੀਤੇ ਗਏ ਹਨ, ਇਸ ਖੇਤਰ (ਪੀਲੇ ਤੀਰ) ਵਿੱਚ ਵੀ ਸਪਸ਼ਟ ਤੌਰ 'ਤੇ ਦਿਖਾਈ ਦਿੰਦੇ ਹਨ।

ਚਿੱਤਰ #2

ਫੋਟੋ ਚਾਲੂ 2Aਦੇ ਤੌਰ ਤੇ 1E, ਬੋਰਾਨ ਜਮ੍ਹਾਂ ਹੋਣ ਤੋਂ ਬਾਅਦ ਗ੍ਰਾਫੀਨ ਵਿੱਚ ਸਥਾਨਿਕ ਹਨੇਰੇ ਡਿਪਰੈਸ਼ਨ ਦੀ ਦਿੱਖ ਦੀ ਪੁਸ਼ਟੀ ਕਰੋ।

ਇਹਨਾਂ ਬਣਤਰਾਂ ਦੀ ਬਿਹਤਰ ਜਾਂਚ ਕਰਨ ਅਤੇ ਉਹਨਾਂ ਦੇ ਮੂਲ ਦਾ ਪਤਾ ਲਗਾਉਣ ਲਈ, ਉਸੇ ਖੇਤਰ ਦੀ ਇੱਕ ਹੋਰ ਫੋਟੋ ਲਈ ਗਈ ਸੀ, ਪਰ ਨਕਸ਼ਿਆਂ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਕੇ |dlnI/dz| (2ਬੀ), ਜਿੱਥੇ I - ਸੁਰੰਗ ਮੌਜੂਦਾ, d ਘਣਤਾ ਹੈ, ਅਤੇ z — ਪੜਤਾਲ-ਨਮੂਨਾ ਵੱਖ ਕਰਨਾ (ਮਾਈਕ੍ਰੋਸਕੋਪ ਦੀ ਸੂਈ ਅਤੇ ਨਮੂਨੇ ਵਿਚਕਾਰ ਪਾੜਾ)। ਇਸ ਤਕਨੀਕ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਉੱਚ ਸਥਾਨਿਕ ਰੈਜ਼ੋਲੂਸ਼ਨ ਵਾਲੇ ਚਿੱਤਰਾਂ ਨੂੰ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਨਾ ਸੰਭਵ ਬਣਾਉਂਦੀ ਹੈ। ਤੁਸੀਂ ਇਸਦੇ ਲਈ ਮਾਈਕ੍ਰੋਸਕੋਪ ਦੀ ਸੂਈ 'ਤੇ CO ਜਾਂ H2 ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਵੀ ਕਰ ਸਕਦੇ ਹੋ।

ਚਿੱਤਰ ਨੂੰ ਚਿੱਤਰ 2 ਹਜ਼ਾਰ ਇੱਕ ਐਸਟੀਐਮ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਕੇ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕੀਤੀ ਇੱਕ ਚਿੱਤਰ ਹੈ ਜਿਸਦੀ ਨੋਕ CO ਨਾਲ ਕੋਟਿਡ ਸੀ। ਚਿੱਤਰਾਂ ਦੀ ਤੁਲਨਾ А, В и С ਦਿਖਾਉਂਦਾ ਹੈ ਕਿ ਸਾਰੇ ਪਰਮਾਣੂ ਤੱਤਾਂ ਨੂੰ ਦੋ ਬਰਾਬਰ ਦਿਸ਼ਾਵਾਂ (ਫੋਟੋਆਂ ਵਿੱਚ ਲਾਲ ਅਤੇ ਪੀਲੇ ਤਿਕੋਣਾਂ) ਵਿੱਚ ਨਿਰਦੇਸ਼ਿਤ ਤਿੰਨ ਨਾਲ ਲੱਗਦੇ ਚਮਕਦਾਰ ਹੈਕਸਾਗਨ ਵਜੋਂ ਪਰਿਭਾਸ਼ਿਤ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਹੈ।

ਇਸ ਖੇਤਰ ਦੇ ਵੱਡੇ ਚਿੱਤਰ (2D) ਪੁਸ਼ਟੀ ਕਰਦੇ ਹਨ ਕਿ ਇਹ ਤੱਤ ਬੋਰੋਨ ਡੋਪੈਂਟ ਅਸ਼ੁੱਧੀਆਂ ਨਾਲ ਸਹਿਮਤ ਹਨ, ਦੋ ਗ੍ਰਾਫੀਨ ਸਬਲੈਟਿਕਸ ਉੱਤੇ ਕਬਜ਼ਾ ਕਰ ਰਹੇ ਹਨ, ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਸੁਪਰਇੰਪੋਜ਼ਡ ਬਣਤਰਾਂ ਦੁਆਰਾ ਦਰਸਾਏ ਗਏ ਹਨ।

ਮਾਈਕ੍ਰੋਸਕੋਪ ਦੀ ਸੂਈ ਦੀ CO ਕੋਟਿੰਗ ਨੇ ਬੋਰੋਫੀਨ ਸ਼ੀਟ ਦੀ ਜਿਓਮੈਟ੍ਰਿਕ ਬਣਤਰ ਨੂੰ ਪ੍ਰਗਟ ਕਰਨਾ ਸੰਭਵ ਬਣਾਇਆ (2E), ਜੋ ਕਿ ਅਸੰਭਵ ਹੋਵੇਗਾ ਜੇਕਰ ਸੂਈ CO ਕੋਟਿੰਗ ਤੋਂ ਬਿਨਾਂ ਮਿਆਰੀ (ਧਾਤੂ) ਹੁੰਦੀ।

ਚਿੱਤਰ #3

ਬੋਰੋਫੀਨ ਅਤੇ ਗ੍ਰਾਫੀਨ (3A) ਉਦੋਂ ਵਾਪਰਨਾ ਚਾਹੀਦਾ ਹੈ ਜਦੋਂ ਬੋਰੋਫਿਨ ਗ੍ਰਾਫੀਨ ਡੋਮੇਨਾਂ ਦੇ ਅੱਗੇ ਵਧਦਾ ਹੈ ਜਿਸ ਵਿੱਚ ਪਹਿਲਾਂ ਹੀ ਬੋਰੋਨ ਹੁੰਦਾ ਹੈ।

ਵਿਗਿਆਨੀ ਯਾਦ ਦਿਵਾਉਂਦੇ ਹਨ ਕਿ ਗ੍ਰਾਫੀਨ-ਐਚਬੀਐਨ (ਗ੍ਰਾਫੀਨ + ਬੋਰੋਨ ਨਾਈਟ੍ਰਾਈਡ) 'ਤੇ ਅਧਾਰਤ ਲੇਟਰਲ ਹੈਟਰੋਇੰਟਰਫੇਸਾਂ ਦੀ ਜਾਲੀ ਇਕਸਾਰਤਾ ਹੁੰਦੀ ਹੈ, ਅਤੇ ਪਰਿਵਰਤਨ ਧਾਤੂ ਡਿਕਲਕੋਜੀਨਾਈਡਾਂ 'ਤੇ ਅਧਾਰਤ ਹੈਟਰੋਜੰਕਸ਼ਨ ਦੀ ਸਮਰੂਪਤਾ ਇਕਸਾਰਤਾ ਹੁੰਦੀ ਹੈ। ਗ੍ਰਾਫੀਨ/ਬੋਰੋਫੀਨ ਦੇ ਮਾਮਲੇ ਵਿੱਚ, ਸਥਿਤੀ ਥੋੜ੍ਹੀ ਵੱਖਰੀ ਹੈ - ਉਹਨਾਂ ਵਿੱਚ ਜਾਲੀ ਸਥਿਰਾਂਕਾਂ ਜਾਂ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਸਮਰੂਪਤਾ ਦੇ ਰੂਪ ਵਿੱਚ ਘੱਟੋ-ਘੱਟ ਢਾਂਚਾਗਤ ਸਮਾਨਤਾ ਹੈ। ਹਾਲਾਂਕਿ, ਇਸਦੇ ਬਾਵਜੂਦ, ਲੇਟਰਲ ਗ੍ਰਾਫੀਨ/ਬੋਰੋਫੀਨ ਹੈਟਰੋਇੰਟਰਫੇਸ ਲਗਭਗ ਸੰਪੂਰਨ ਪਰਮਾਣੂ ਇਕਸਾਰਤਾ ਨੂੰ ਦਰਸਾਉਂਦਾ ਹੈ, ਬੋਰੋਨ ਕਤਾਰ (ਬੀ-ਰੋ) ਦਿਸ਼ਾਵਾਂ ਗ੍ਰਾਫੀਨ (ਜ਼ੈਡ ਜ਼ੈੱਡ) ਦਿਸ਼ਾਵਾਂ ਦੇ ਨਾਲ ਇਕਸਾਰ ਹੁੰਦੀਆਂ ਹਨ।3A) ਦੇ ਉਤੇ 3B ਹੈਟਰੋਇੰਟਰਫੇਸ ਦੇ ZZ ਖੇਤਰ ਦੀ ਇੱਕ ਵਿਸਤ੍ਰਿਤ ਚਿੱਤਰ ਦਿਖਾਈ ਗਈ ਹੈ (ਨੀਲੀਆਂ ਲਾਈਨਾਂ ਬੋਰੋਨ-ਕਾਰਬਨ ਸਹਿ-ਸੰਬੰਧੀ ਬਾਂਡਾਂ ਨਾਲ ਸੰਬੰਧਿਤ ਇੰਟਰਫੇਸ਼ੀਅਲ ਤੱਤਾਂ ਨੂੰ ਦਰਸਾਉਂਦੀਆਂ ਹਨ)।

ਕਿਉਂਕਿ ਬੋਰੋਫੀਨ ਗ੍ਰਾਫੀਨ ਦੇ ਮੁਕਾਬਲੇ ਘੱਟ ਤਾਪਮਾਨ 'ਤੇ ਵਧਦਾ ਹੈ, ਬੋਰੋਫੀਨ ਦੇ ਨਾਲ ਇੱਕ ਹੈਟਰੋਇੰਟਰਫੇਸ ਬਣਾਉਂਦੇ ਸਮੇਂ ਗ੍ਰਾਫੀਨ ਡੋਮੇਨ ਦੇ ਕਿਨਾਰਿਆਂ ਵਿੱਚ ਉੱਚ ਗਤੀਸ਼ੀਲਤਾ ਹੋਣ ਦੀ ਸੰਭਾਵਨਾ ਨਹੀਂ ਹੁੰਦੀ ਹੈ। ਇਸ ਲਈ, ਲਗਭਗ ਪ੍ਰਮਾਣੂ ਤੌਰ 'ਤੇ ਸਟੀਕ ਹੈਟਰੋਇੰਟਰਫੇਸ ਸੰਭਾਵਤ ਤੌਰ 'ਤੇ ਮਲਟੀਸਾਈਟ ਬੋਰੋਨ ਬਾਂਡਾਂ ਦੀਆਂ ਵੱਖੋ-ਵੱਖਰੀਆਂ ਸੰਰਚਨਾਵਾਂ ਅਤੇ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਦਾ ਨਤੀਜਾ ਹੈ। ਸਕੈਨਿੰਗ ਟਨਲਿੰਗ ਸਪੈਕਟ੍ਰੋਸਕੋਪੀ ਸਪੈਕਟਰਾ (3 ਹਜ਼ਾਰ) ਅਤੇ ਵਿਭਿੰਨ ਸੁਰੰਗ ਚਾਲਕਤਾ (3D) ਦਿਖਾਉਂਦੇ ਹਨ ਕਿ ਗ੍ਰਾਫੀਨ ਤੋਂ ਬੋਰੋਫੀਨ ਤੱਕ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਤਬਦੀਲੀ ~5 Å ਦੀ ਦੂਰੀ 'ਤੇ ਬਿਨਾਂ ਕਿਸੇ ਦ੍ਰਿਸ਼ਟੀਗਤ ਇੰਟਰਫੇਸ ਅਵਸਥਾਵਾਂ ਦੇ ਹੁੰਦੀ ਹੈ।

ਚਿੱਤਰ 'ਤੇ 3E 3D ਵਿੱਚ ਤਿੰਨ ਡੈਸ਼ਡ ਲਾਈਨਾਂ ਦੇ ਨਾਲ ਲਏ ਗਏ ਤਿੰਨ ਸਕੈਨਿੰਗ ਟਨਲਿੰਗ ਸਪੈਕਟ੍ਰੋਸਕੋਪੀ ਸਪੈਕਟਰਾ ਦਿਖਾਏ ਗਏ ਹਨ, ਜੋ ਇਸ ਗੱਲ ਦੀ ਪੁਸ਼ਟੀ ਕਰਦੇ ਹਨ ਕਿ ਇਹ ਛੋਟਾ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਪਰਿਵਰਤਨ ਸਥਾਨਕ ਇੰਟਰਫੇਸ਼ੀਅਲ ਬਣਤਰਾਂ ਲਈ ਅਸੰਵੇਦਨਸ਼ੀਲ ਹੈ ਅਤੇ ਬੋਰੋਫੀਨ-ਸਿਲਵਰ ਇੰਟਰਫੇਸ ਦੇ ਨਾਲ ਤੁਲਨਾਯੋਗ ਹੈ।

ਚਿੱਤਰ #4

ਗ੍ਰਾਫੀਨ ਅੰਤਰਜਾਮੀ* ਪਹਿਲਾਂ ਵੀ ਵਿਆਪਕ ਤੌਰ 'ਤੇ ਅਧਿਐਨ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਹੈ, ਪਰ ਇੰਟਰਕੈਲੈਂਟਸ ਨੂੰ ਸਹੀ 2D ਸ਼ੀਟਾਂ ਵਿੱਚ ਬਦਲਣਾ ਮੁਕਾਬਲਤਨ ਬਹੁਤ ਘੱਟ ਹੈ।

ਇੰਟਰਕੇਲੇਸ਼ਨ* - ਦੂਜੇ ਅਣੂਆਂ ਜਾਂ ਅਣੂਆਂ ਦੇ ਸਮੂਹਾਂ ਵਿਚਕਾਰ ਅਣੂ ਜਾਂ ਅਣੂਆਂ ਦੇ ਸਮੂਹ ਦਾ ਉਲਟਾ ਸ਼ਾਮਲ ਕਰਨਾ।

ਬੋਰਾਨ ਦਾ ਛੋਟਾ ਪਰਮਾਣੂ ਘੇਰਾ ਅਤੇ ਗ੍ਰਾਫੀਨ ਅਤੇ ਏਜੀ (111) ਵਿਚਕਾਰ ਕਮਜ਼ੋਰ ਪਰਸਪਰ ਪ੍ਰਭਾਵ ਬੋਰਾਨ ਨਾਲ ਗ੍ਰਾਫੀਨ ਦੇ ਸੰਭਾਵੀ ਅੰਤਰ-ਸਬੰਧ ਦਾ ਸੁਝਾਅ ਦਿੰਦਾ ਹੈ। ਚਿੱਤਰ ਵਿੱਚ 4A ਸਬੂਤ ਸਿਰਫ ਬੋਰੋਨ ਇੰਟਰਕੈਲੇਸ਼ਨ ਦੇ ਹੀ ਨਹੀਂ, ਸਗੋਂ ਵਰਟੀਕਲ ਬੋਰੋਫੀਨ-ਗ੍ਰਾਫੀਨ ਹੇਟਰੋਸਟ੍ਰਕਚਰ ਦੇ ਗਠਨ ਦੇ ਵੀ ਪੇਸ਼ ਕੀਤੇ ਗਏ ਹਨ, ਖਾਸ ਤੌਰ 'ਤੇ ਗ੍ਰਾਫੀਨ ਨਾਲ ਘਿਰੇ ਤਿਕੋਣੀ ਡੋਮੇਨ। ਇਸ ਤਿਕੋਣੀ ਡੋਮੇਨ 'ਤੇ ਦੇਖਿਆ ਗਿਆ ਹੈਨੀਕੌਂਬ ਜਾਲੀ ਗ੍ਰਾਫੀਨ ਦੀ ਮੌਜੂਦਗੀ ਦੀ ਪੁਸ਼ਟੀ ਕਰਦੀ ਹੈ। ਹਾਲਾਂਕਿ, ਇਹ ਗ੍ਰਾਫੀਨ ਆਲੇ ਦੁਆਲੇ ਦੇ ਗ੍ਰਾਫੀਨ (4B). Ag(111) 'ਤੇ ਸਿੱਧੇ ਗ੍ਰਾਫੀਨ ਦੀ ਤੁਲਨਾ ਵਿਚ, ਸਪੈਕਟ੍ਰਮ ਵਿਚ ਰਾਜਾਂ ਦੀ ਉੱਚ ਸਥਾਨਕ ਘਣਤਾ ਦਾ ਕੋਈ ਸਬੂਤ ਨਹੀਂ ਹੈ। dI/dV (4C, ਨੀਲਾ ਕਰਵ), Ag(111) ਸਤਹ ਅਵਸਥਾ ਨਾਲ ਮੇਲ ਖਾਂਦਾ ਹੈ, ਬੋਰਾਨ ਇੰਟਰਕੈਲੇਸ਼ਨ ਦਾ ਪਹਿਲਾ ਸਬੂਤ ਹੈ।

ਇਸ ਤੋਂ ਇਲਾਵਾ, ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਅੰਸ਼ਕ ਇੰਟਰਕੈਲੇਸ਼ਨ ਲਈ ਉਮੀਦ ਕੀਤੀ ਜਾਂਦੀ ਹੈ, ਗ੍ਰਾਫੀਨ ਅਤੇ ਤਿਕੋਣੀ ਖੇਤਰ (4D - ਉੱਤੇ ਇੱਕ ਆਇਤਾਕਾਰ ਖੇਤਰ ਨਾਲ ਮੇਲ ਖਾਂਦਾ ਹੈ 4A, ਲਾਲ ਬਿੰਦੀਆਂ ਵਾਲੀ ਲਾਈਨ ਵਿੱਚ ਚੱਕਰ)। ਮਾਈਕ੍ਰੋਸਕੋਪ ਦੀ ਸੂਈ 'ਤੇ CO ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਦੇ ਹੋਏ ਇੱਕ ਚਿੱਤਰ ਨੇ ਵੀ ਬੋਰਾਨ ਪ੍ਰਤੀਸਥਾਪਨ ਅਸ਼ੁੱਧੀਆਂ ਦੀ ਮੌਜੂਦਗੀ ਦੀ ਪੁਸ਼ਟੀ ਕੀਤੀ ਹੈ (4E - ਉੱਤੇ ਇੱਕ ਆਇਤਾਕਾਰ ਖੇਤਰ ਨਾਲ ਮੇਲ ਖਾਂਦਾ ਹੈ 4A, ਪੀਲੀ ਬਿੰਦੀ ਵਾਲੀ ਲਾਈਨ ਵਿੱਚ ਚੱਕਰ)।

ਵਿਸ਼ਲੇਸ਼ਣ ਦੌਰਾਨ ਬਿਨਾਂ ਕਿਸੇ ਪਰਤ ਦੇ ਮਾਈਕ੍ਰੋਸਕੋਪ ਦੀਆਂ ਸੂਈਆਂ ਦੀ ਵੀ ਵਰਤੋਂ ਕੀਤੀ ਗਈ ਸੀ। ਇਸ ਸਥਿਤੀ ਵਿੱਚ, 5 Å ਦੀ ਮਿਆਦ ਦੇ ਨਾਲ ਇੱਕ-ਅਯਾਮੀ ਰੇਖਿਕ ਤੱਤਾਂ ਦੇ ਸੰਕੇਤ ਇੰਟਰਕੈਲੇਟਿਡ ਗ੍ਰਾਫੀਨ ਡੋਮੇਨਾਂ ਵਿੱਚ ਪ੍ਰਗਟ ਕੀਤੇ ਗਏ ਸਨ (4F и 4G). ਇਹ ਇੱਕ-ਅਯਾਮੀ ਬਣਤਰ ਬੋਰੋਫੀਨ ਮਾਡਲ ਵਿੱਚ ਬੋਰੋਨ ਕਤਾਰਾਂ ਨਾਲ ਮਿਲਦੀਆਂ-ਜੁਲਦੀਆਂ ਹਨ। ਗ੍ਰਾਫੀਨ ਦੇ ਅਨੁਸਾਰੀ ਬਿੰਦੂਆਂ ਦੇ ਸਮੂਹ ਤੋਂ ਇਲਾਵਾ, ਫੁਰੀਅਰ ਚਿੱਤਰ ਨੂੰ ਇਸ ਵਿੱਚ ਬਦਲਦਾ ਹੈ 4G ਇੱਕ 3 Å x 5 Å ਆਇਤਾਕਾਰ ਜਾਲੀ (4 ਐਚ), ਜੋ ਬੋਰੋਫੀਨ ਮਾਡਲ ਦੇ ਨਾਲ ਸ਼ਾਨਦਾਰ ਸਮਝੌਤੇ ਵਿੱਚ ਹੈ। ਇਸ ਤੋਂ ਇਲਾਵਾ, ਰੇਖਿਕ ਤੱਤਾਂ (1E) ਬੋਰੋਫੀਨ ਸ਼ੀਟਾਂ ਲਈ ਵੇਖੀ ਗਈ ਉਸੇ ਪ੍ਰਮੁੱਖ ਬਣਤਰ ਨਾਲ ਚੰਗੀ ਤਰ੍ਹਾਂ ਸਹਿਮਤ ਹੈ।

ਇਹ ਸਾਰੇ ਨਿਰੀਖਣ ਜ਼ੋਰਦਾਰ ਤੌਰ 'ਤੇ Ag ਦੇ ਕਿਨਾਰਿਆਂ ਦੇ ਨੇੜੇ ਬੋਰੋਫੀਨ ਦੁਆਰਾ ਗ੍ਰਾਫੀਨ ਦੇ ਇੰਟਰਕੈਲੇਸ਼ਨ ਦਾ ਸੁਝਾਅ ਦਿੰਦੇ ਹਨ, ਜੋ ਸਿੱਟੇ ਵਜੋਂ ਵਰਟੀਕਲ ਬੋਰੋਫੀਨ-ਗ੍ਰਾਫੀਨ ਹੈਟਰੋਸਟ੍ਰਕਚਰਜ਼ ਦੇ ਗਠਨ ਵੱਲ ਅਗਵਾਈ ਕਰਦਾ ਹੈ, ਜਿਸ ਨੂੰ ਗ੍ਰਾਫੀਨ ਦੇ ਸ਼ੁਰੂਆਤੀ ਕਵਰੇਜ ਨੂੰ ਵਧਾ ਕੇ ਲਾਭਦਾਇਕ ਢੰਗ ਨਾਲ ਮਹਿਸੂਸ ਕੀਤਾ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ।

4I 'ਤੇ ਇੱਕ ਲੰਬਕਾਰੀ ਹੇਟਰੋਸਟ੍ਰਕਚਰ ਦੀ ਇੱਕ ਯੋਜਨਾਬੱਧ ਪ੍ਰਤੀਨਿਧਤਾ ਹੈ 4H, ਜਿੱਥੇ ਬੋਰਾਨ ਕਤਾਰ (ਗੁਲਾਬੀ ਤੀਰ) ਦੀ ਦਿਸ਼ਾ ਗ੍ਰਾਫੀਨ (ਕਾਲਾ ਤੀਰ) ਦੀ ਜ਼ਿਗਜ਼ੈਗ ਦਿਸ਼ਾ ਨਾਲ ਨਜ਼ਦੀਕੀ ਤੌਰ 'ਤੇ ਇਕਸਾਰ ਹੁੰਦੀ ਹੈ, ਇਸ ਤਰ੍ਹਾਂ ਇੱਕ ਰੋਟੇਸ਼ਨਲੀ ਅਨੁਪਾਤਕ ਲੰਬਕਾਰੀ ਹੇਟਰੋਸਟ੍ਰਕਚਰ ਬਣਾਉਂਦੀ ਹੈ।

ਅਧਿਐਨ ਦੀਆਂ ਬਾਰੀਕੀਆਂ ਨਾਲ ਵਧੇਰੇ ਵਿਸਤ੍ਰਿਤ ਜਾਣੂ ਹੋਣ ਲਈ, ਮੈਂ ਦੇਖਣ ਦੀ ਸਿਫਾਰਸ਼ ਕਰਦਾ ਹਾਂ ਵਿਗਿਆਨੀ ਰਿਪੋਰਟ и ਵਾਧੂ ਸਮੱਗਰੀ ਉਸ ਨੂੰ.

ਏਪੀਲਾਗ

ਇਸ ਅਧਿਐਨ ਨੇ ਦਿਖਾਇਆ ਕਿ ਬੋਰੋਫੀਨ ਗ੍ਰਾਫੀਨ ਨਾਲ ਲੇਟਰਲ ਅਤੇ ਵਰਟੀਕਲ ਹੇਟਰੋਸਟ੍ਰਕਚਰ ਬਣਾਉਣ ਦੇ ਸਮਰੱਥ ਹੈ। ਅਜਿਹੀਆਂ ਪ੍ਰਣਾਲੀਆਂ ਨੂੰ ਨੈਨੋਟੈਕਨਾਲੋਜੀ, ਲਚਕੀਲੇ ਅਤੇ ਪਹਿਨਣਯੋਗ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਨਿਕਸ ਵਿੱਚ ਵਰਤੇ ਜਾਣ ਵਾਲੇ ਦੋ-ਅਯਾਮੀ ਤੱਤਾਂ ਦੀਆਂ ਨਵੀਆਂ ਕਿਸਮਾਂ ਦੇ ਵਿਕਾਸ ਵਿੱਚ ਵਰਤਿਆ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ, ਨਾਲ ਹੀ ਨਵੀਂ ਕਿਸਮ ਦੇ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰਾਂ ਵਿੱਚ ਵੀ ਵਰਤਿਆ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ।

ਖੋਜਕਰਤਾਵਾਂ ਦਾ ਮੰਨਣਾ ਹੈ ਕਿ ਉਨ੍ਹਾਂ ਦਾ ਵਿਕਾਸ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਨਿਕਸ-ਸਬੰਧਤ ਤਕਨਾਲੋਜੀਆਂ ਲਈ ਇੱਕ ਸ਼ਕਤੀਸ਼ਾਲੀ ਧੱਕਾ ਹੋ ਸਕਦਾ ਹੈ। ਹਾਲਾਂਕਿ, ਇਹ ਯਕੀਨੀ ਤੌਰ 'ਤੇ ਕਹਿਣਾ ਅਜੇ ਵੀ ਮੁਸ਼ਕਲ ਹੈ ਕਿ ਉਨ੍ਹਾਂ ਦੇ ਸ਼ਬਦ ਭਵਿੱਖਬਾਣੀ ਬਣ ਜਾਣਗੇ. ਇਸ ਸਮੇਂ, ਅਜੇ ਵੀ ਬਹੁਤ ਕੁਝ ਖੋਜਣ, ਸਮਝਣ ਅਤੇ ਕਾਢ ਕੱਢਣਾ ਬਾਕੀ ਹੈ ਤਾਂ ਜੋ ਉਹ ਵਿਗਿਆਨਕ ਕਲਪਨਾ ਵਿਚਾਰ ਜੋ ਵਿਗਿਆਨੀਆਂ ਦੇ ਮਨਾਂ ਨੂੰ ਭਰ ਦਿੰਦੇ ਹਨ, ਇੱਕ ਪੂਰੀ ਹਕੀਕਤ ਬਣ ਜਾਂਦੇ ਹਨ.

ਪੜ੍ਹਨ ਲਈ ਧੰਨਵਾਦ, ਉਤਸੁਕ ਰਹੋ ਅਤੇ ਇੱਕ ਵਧੀਆ ਹਫ਼ਤਾ ਬਤੀਤ ਕਰੋ. 🙂

ਸਾਡੇ ਨਾਲ ਰਹਿਣ ਲਈ ਤੁਹਾਡਾ ਧੰਨਵਾਦ। ਕੀ ਤੁਹਾਨੂੰ ਸਾਡੇ ਲੇਖ ਪਸੰਦ ਹਨ? ਹੋਰ ਦਿਲਚਸਪ ਸਮੱਗਰੀ ਦੇਖਣਾ ਚਾਹੁੰਦੇ ਹੋ? ਆਰਡਰ ਦੇ ਕੇ ਜਾਂ ਦੋਸਤਾਂ ਨੂੰ ਸਿਫਾਰਸ਼ ਕਰਕੇ ਸਾਡਾ ਸਮਰਥਨ ਕਰੋ, ਪ੍ਰਵੇਸ਼-ਪੱਧਰ ਦੇ ਸਰਵਰਾਂ ਦੇ ਇੱਕ ਵਿਲੱਖਣ ਐਨਾਲਾਗ 'ਤੇ ਹੈਬਰ ਉਪਭੋਗਤਾਵਾਂ ਲਈ 30% ਦੀ ਛੂਟ, ਜਿਸਦੀ ਖੋਜ ਸਾਡੇ ਦੁਆਰਾ ਤੁਹਾਡੇ ਲਈ ਕੀਤੀ ਗਈ ਸੀ: VPS (KVM) E5-2650 v4 (6 ਕੋਰ) 10GB DDR4 240GB SSD 1Gbps ਤੋਂ $20 ਜਾਂ ਸਰਵਰ ਨੂੰ ਕਿਵੇਂ ਸਾਂਝਾ ਕਰਨਾ ਹੈ ਬਾਰੇ ਪੂਰੀ ਸੱਚਾਈ? (RAID1 ਅਤੇ RAID10 ਦੇ ਨਾਲ ਉਪਲਬਧ, 24 ਕੋਰ ਤੱਕ ਅਤੇ 40GB DDR4 ਤੱਕ)।

Dell R730xd 2 ਗੁਣਾ ਸਸਤਾ? ਇੱਥੇ ਹੀ 2 x Intel TetraDeca-Core Xeon 2x E5-2697v3 2.6GHz 14C 64GB DDR4 4x960GB SSD 1Gbps 100 ਟੀਵੀ $199 ਤੋਂ ਨੀਦਰਲੈਂਡ ਵਿੱਚ! Dell R420 - 2x E5-2430 2.2Ghz 6C 128GB DDR3 2x960GB SSD 1Gbps 100TB - $99 ਤੋਂ! ਬਾਰੇ ਪੜ੍ਹੋ ਬੁਨਿਆਦੀ ਢਾਂਚਾ ਕਾਰਪੋਰੇਸ਼ਨ ਕਿਵੇਂ ਬਣਾਇਆ ਜਾਵੇ ਡੇਲ R730xd E5-2650 v4 ਸਰਵਰਾਂ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਨਾਲ ਕਲਾਸ 9000 ਯੂਰੋ ਦੀ ਕੀਮਤ ਦੇ ਇੱਕ ਪੈਸੇ ਲਈ?

ਸਰੋਤ: www.habr.com