ਛੋਟਾ ਪਰ ਬੋਲਡ: ਇੱਕ ਛੋਟਾ ਰੇਖਿਕ ਕਣ ਐਕਸਲੇਟਰ ਜੋ ਇੱਕ ਨਵਾਂ ਰਿਕਾਰਡ ਕਾਇਮ ਕਰਦਾ ਹੈ

ਵਿਗਿਆਨ ਅਤੇ ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਸਮੇਤ ਸਮਾਜ ਦੇ ਕਈ ਖੇਤਰਾਂ ਵਿੱਚ "ਵਧੇਰੇ ਵਧੇਰੇ ਸ਼ਕਤੀਸ਼ਾਲੀ" ਦਾ ਜਾਣਿਆ-ਪਛਾਣਿਆ ਸਿਧਾਂਤ ਲੰਬੇ ਸਮੇਂ ਤੋਂ ਸਥਾਪਿਤ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਹੈ। ਹਾਲਾਂਕਿ, ਆਧੁਨਿਕ ਹਕੀਕਤਾਂ ਵਿੱਚ, ਅਕਸਰ "ਛੋਟਾ, ਪਰ ਦਲੇਰ" ਕਹਾਵਤ ਦਾ ਅਮਲੀ ਅਮਲ ਹੁੰਦਾ ਹੈ. ਇਹ ਆਪਣੇ ਆਪ ਨੂੰ ਉਹਨਾਂ ਕੰਪਿਊਟਰਾਂ ਵਿੱਚ ਪ੍ਰਗਟ ਕਰਦਾ ਹੈ ਜੋ ਪਹਿਲਾਂ ਇੱਕ ਪੂਰਾ ਕਮਰਾ ਲੈ ਲੈਂਦੇ ਸਨ, ਅਤੇ ਹੁਣ ਇੱਕ ਬੱਚੇ ਦੀ ਹਥੇਲੀ ਵਿੱਚ, ਅਤੇ ਕਣ ਐਕਸਲੇਟਰਾਂ ਵਿੱਚ ਫਿੱਟ ਹੁੰਦੇ ਹਨ। ਹਾਂ, ਹਾਂ, ਯਾਦ ਰੱਖੋ ਵੱਡੇ ਹੈਡਰੋਨ ਕੋਲਾਈਡਰ (LHC), ਜਿਸ ਦੇ ਪ੍ਰਭਾਵਸ਼ਾਲੀ ਮਾਪ (ਲੰਬਾਈ ਵਿੱਚ 26 ਮੀਟਰ) ਸ਼ਾਬਦਿਕ ਤੌਰ 'ਤੇ ਇਸਦੇ ਨਾਮ ਵਿੱਚ ਦਰਸਾਏ ਗਏ ਹਨ? ਖੈਰ, ਇਹ ਪਹਿਲਾਂ ਹੀ ਅਤੀਤ ਵਿੱਚ ਹੈ, ਡੀਈਐਸਵਾਈ ਦੇ ਵਿਗਿਆਨੀਆਂ ਦੇ ਅਨੁਸਾਰ, ਜਿਨ੍ਹਾਂ ਨੇ ਐਕਸਲੇਟਰ ਦਾ ਇੱਕ ਛੋਟਾ ਸੰਸਕਰਣ ਵਿਕਸਤ ਕੀਤਾ ਹੈ, ਜੋ ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਨ ਦੇ ਮਾਮਲੇ ਵਿੱਚ ਇਸਦੇ ਪੂਰੇ ਆਕਾਰ ਦੇ ਪੂਰਵਜ ਨਾਲੋਂ ਘਟੀਆ ਨਹੀਂ ਹੈ। ਇਸ ਤੋਂ ਇਲਾਵਾ, ਮਿੰਨੀ ਐਕਸਲੇਟਰ ਨੇ ਇਮਪਲਾਂਟਡ ਇਲੈਕਟ੍ਰੌਨਾਂ ਦੀ ਊਰਜਾ ਨੂੰ ਦੁੱਗਣਾ ਕਰਕੇ ਟੇਰਾਹਰਟਜ਼ ਐਕਸੀਲੇਟਰਾਂ ਵਿੱਚ ਇੱਕ ਨਵਾਂ ਵਿਸ਼ਵ ਰਿਕਾਰਡ ਵੀ ਕਾਇਮ ਕੀਤਾ ਹੈ। ਲਘੂ ਐਕਸਲੇਟਰ ਕਿਵੇਂ ਵਿਕਸਤ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਸੀ, ਇਸਦੇ ਸੰਚਾਲਨ ਦੇ ਮੁੱਖ ਸਿਧਾਂਤ ਕੀ ਹਨ, ਅਤੇ ਵਿਹਾਰਕ ਪ੍ਰਯੋਗਾਂ ਨੇ ਕੀ ਦਿਖਾਇਆ ਹੈ? ਖੋਜ ਸਮੂਹ ਦੀ ਰਿਪੋਰਟ ਇਸ ਬਾਰੇ ਜਾਣਨ ਵਿਚ ਸਾਡੀ ਮਦਦ ਕਰੇਗੀ। ਜਾਣਾ.

ਖੋਜ ਆਧਾਰ

ਡੋਂਗਫੈਂਗ ਝਾਂਗ ਅਤੇ ਡੀਈਐਸਵਾਈ (ਜਰਮਨ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਨ ਸਿੰਕ੍ਰੋਟ੍ਰੋਨ) ਦੇ ਉਨ੍ਹਾਂ ਦੇ ਸਹਿਯੋਗੀਆਂ ਦੇ ਅਨੁਸਾਰ, ਜਿਨ੍ਹਾਂ ਨੇ ਮਿੰਨੀ-ਐਕਸੀਲੇਟਰ ਵਿਕਸਿਤ ਕੀਤਾ, ਅਲਟਰਾਫਾਸਟ ਇਲੈਕਟ੍ਰੌਨ ਸਰੋਤ ਆਧੁਨਿਕ ਸਮਾਜ ਵਿੱਚ ਬਹੁਤ ਮਹੱਤਵਪੂਰਨ ਭੂਮਿਕਾ ਨਿਭਾਉਂਦੇ ਹਨ। ਉਨ੍ਹਾਂ ਵਿੱਚੋਂ ਬਹੁਤ ਸਾਰੇ ਦਵਾਈ, ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਨਿਕਸ ਵਿਕਾਸ ਅਤੇ ਵਿਗਿਆਨਕ ਖੋਜ ਵਿੱਚ ਪ੍ਰਗਟ ਹੁੰਦੇ ਹਨ. RF ਔਸਿਲੇਟਰਾਂ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਨ ਵਾਲੇ ਮੌਜੂਦਾ ਲਿਨੈਕਸ ਦੀ ਸਭ ਤੋਂ ਵੱਡੀ ਸਮੱਸਿਆ ਉਹਨਾਂ ਦੀ ਉੱਚ ਕੀਮਤ, ਬੁਨਿਆਦੀ ਢਾਂਚੇ ਦੀ ਗੁੰਝਲਤਾ, ਅਤੇ ਬਿਜਲੀ ਦੀ ਖਪਤ ਲਈ ਵੱਡੀ ਭੁੱਖ ਹੈ। ਅਤੇ ਅਜਿਹੀਆਂ ਕਮੀਆਂ ਉਪਭੋਗਤਾਵਾਂ ਦੀ ਇੱਕ ਵਿਸ਼ਾਲ ਸ਼੍ਰੇਣੀ ਲਈ ਅਜਿਹੀਆਂ ਤਕਨਾਲੋਜੀਆਂ ਦੀ ਉਪਲਬਧਤਾ ਨੂੰ ਬੁਰੀ ਤਰ੍ਹਾਂ ਸੀਮਤ ਕਰਦੀਆਂ ਹਨ।

ਇਹ ਸਪੱਸ਼ਟ ਸਮੱਸਿਆਵਾਂ ਉਹਨਾਂ ਡਿਵਾਈਸਾਂ ਨੂੰ ਵਿਕਸਤ ਕਰਨ ਲਈ ਇੱਕ ਵਧੀਆ ਪ੍ਰੇਰਣਾ ਹਨ ਜੋ ਆਕਾਰ ਦੇ ਨਾਲ-ਨਾਲ ਬਿਜਲੀ ਦੀ ਖਪਤ ਦੀ ਡਿਗਰੀ ਦੇ ਰੂਪ ਵਿੱਚ ਡਰਾਉਣੀਆਂ ਨਹੀਂ ਹੋਣਗੀਆਂ.

ਇਸ ਉਦਯੋਗ ਵਿੱਚ ਸਾਪੇਖਿਕ ਨਵੀਨਤਾਵਾਂ ਵਿੱਚੋਂ, terahertz ਐਕਸਲੇਟਰਾਂ ਨੂੰ ਵੱਖ ਕੀਤਾ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ, ਜਿਸ ਵਿੱਚ ਬਹੁਤ ਸਾਰੀਆਂ "ਗੁਡੀਜ਼" ਹਨ:

• ਇਹ ਉਮੀਦ ਕੀਤੀ ਜਾਂਦੀ ਹੈ ਕਿ ਟੇਰਾਹਰਟਜ਼ ਰੇਡੀਏਸ਼ਨ ਦੀਆਂ ਛੋਟੀਆਂ ਤਰੰਗਾਂ ਅਤੇ ਛੋਟੀਆਂ ਦਾਲਾਂ ਥ੍ਰੈਸ਼ਹੋਲਡ ਵਿੱਚ ਮਹੱਤਵਪੂਰਨ ਵਾਧਾ ਕਰਨ ਦੀ ਆਗਿਆ ਦੇਵੇਗੀ ਟੁੱਟ ਜਾਣਾ*, ਫੀਲਡ ਦੇ ਕਾਰਨ, ਜੋ ਪ੍ਰਵੇਗ ਗਰੇਡੀਐਂਟ ਨੂੰ ਵਧਾਏਗਾ;

ਬਿਜਲੀ ਖਰਾਬੀ* - ਮੌਜੂਦਾ ਤਾਕਤ ਵਿੱਚ ਇੱਕ ਤਿੱਖੀ ਵਾਧਾ ਜਦੋਂ ਇੱਕ ਵੋਲਟੇਜ ਨੂੰ ਨਾਜ਼ੁਕ ਇੱਕ ਦੇ ਉੱਪਰ ਲਾਗੂ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ।

• ਉੱਚ-ਫੀਲਡ ਟੈਰਾਹਰਟਜ਼ ਰੇਡੀਏਸ਼ਨ ਪੈਦਾ ਕਰਨ ਲਈ ਕੁਸ਼ਲ ਤਰੀਕਿਆਂ ਦੀ ਉਪਲਬਧਤਾ ਇਲੈਕਟ੍ਰੌਨਾਂ ਅਤੇ ਉਤੇਜਨਾ ਖੇਤਰਾਂ ਵਿਚਕਾਰ ਅੰਦਰੂਨੀ ਸਮਕਾਲੀਕਰਨ ਨੂੰ ਸੰਭਵ ਬਣਾਉਂਦੀ ਹੈ;
• ਅਜਿਹੇ ਯੰਤਰਾਂ ਨੂੰ ਬਣਾਉਣ ਲਈ ਕਲਾਸੀਕਲ ਤਰੀਕਿਆਂ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕੀਤੀ ਜਾ ਸਕਦੀ ਹੈ, ਪਰ ਉਹਨਾਂ ਦੀ ਲਾਗਤ, ਉਤਪਾਦਨ ਦਾ ਸਮਾਂ ਅਤੇ ਆਕਾਰ ਬਹੁਤ ਘੱਟ ਜਾਵੇਗਾ।

ਵਿਗਿਆਨੀਆਂ ਦਾ ਮੰਨਣਾ ਹੈ ਕਿ ਉਨ੍ਹਾਂ ਦਾ ਮਿਲੀਮੀਟਰ-ਸਕੇਲ ਟੇਰਾਹਰਟਜ਼ ਐਕਸਲੇਟਰ ਮੌਜੂਦਾ ਸਮੇਂ ਵਿੱਚ ਉਪਲਬਧ ਪਰੰਪਰਾਗਤ ਐਕਸਲੇਟਰਾਂ ਅਤੇ ਮਾਈਕ੍ਰੋ-ਐਕਸੀਲੇਟਰਾਂ ਦੇ ਵਿਚਕਾਰ ਇੱਕ ਸਮਝੌਤਾ ਹੈ ਜੋ ਵਿਕਸਤ ਕੀਤੇ ਜਾ ਰਹੇ ਹਨ, ਪਰ ਉਹਨਾਂ ਦੇ ਪਹਿਲਾਂ ਹੀ ਬਹੁਤ ਛੋਟੇ ਮਾਪਾਂ ਕਾਰਨ ਬਹੁਤ ਸਾਰੇ ਨੁਕਸਾਨ ਹਨ।

ਖੋਜਕਰਤਾਵਾਂ ਨੇ ਇਸ ਗੱਲ ਤੋਂ ਇਨਕਾਰ ਨਹੀਂ ਕੀਤਾ ਕਿ terahertz ਪ੍ਰਵੇਗ ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਕੁਝ ਸਮੇਂ ਤੋਂ ਵਿਕਾਸ ਵਿੱਚ ਹੈ। ਹਾਲਾਂਕਿ, ਉਨ੍ਹਾਂ ਦੀ ਰਾਏ ਵਿੱਚ, ਇਸ ਖੇਤਰ ਵਿੱਚ ਅਜੇ ਵੀ ਬਹੁਤ ਸਾਰੇ ਪਹਿਲੂ ਹਨ ਜਿਨ੍ਹਾਂ ਦਾ ਅਧਿਐਨ, ਪਰਖਿਆ ਜਾਂ ਲਾਗੂ ਨਹੀਂ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਹੈ।

ਉਨ੍ਹਾਂ ਦੇ ਕੰਮ ਵਿੱਚ, ਜਿਸ ਬਾਰੇ ਅਸੀਂ ਅੱਜ ਵਿਚਾਰ ਕਰ ਰਹੇ ਹਾਂ, ਵਿਗਿਆਨੀ ਸਟੀਮ (ਸਟੀਮ) ਦੀਆਂ ਸੰਭਾਵਨਾਵਾਂ ਦਾ ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਨ ਕਰਦੇ ਹਨਖੰਡਿਤ terahertz ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਨ ਐਕਸਲੇਟਰ ਅਤੇ ਹੇਰਾਫੇਰੀ ਕਰਨ ਵਾਲਾ) ਇੱਕ ਖੰਡਿਤ ਟੇਰਾਹਰਟਜ਼ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਨ ਐਕਸਲੇਟਰ ਅਤੇ ਹੇਰਾਫੇਰੀ ਹੈ। ਸਟੀਮ ਇਲੈਕਟ੍ਰੌਨ ਬੀਮ ਦੀ ਲੰਬਾਈ ਨੂੰ ਉਪ-ਪਿਕਸੇਕੰਡ ਦੀ ਮਿਆਦ ਤੱਕ ਘਟਾਉਣਾ ਸੰਭਵ ਬਣਾਉਂਦਾ ਹੈ, ਇਸ ਤਰ੍ਹਾਂ ਪ੍ਰਵੇਗ ਪੜਾਅ 'ਤੇ ਫੈਮਟੋਸੈਕੰਡ ਨਿਯੰਤਰਣ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰਦਾ ਹੈ।

200 MV/m (MV - megavolt) ਦੇ ਇੱਕ ਪ੍ਰਵੇਗ ਖੇਤਰ ਨੂੰ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਨਾ ਸੰਭਵ ਸੀ, ਜੋ ਕਿ 70 keV ਦੀ ਊਰਜਾ ਦੇ ਨਾਲ ਇੱਕ ਇਮਪਲਾਂਟ ਕੀਤੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੌਨ ਬੀਮ ਤੋਂ > 55 keV (ਕਿਲੋਇਲੈਕਟ੍ਰੋਨਵੋਲਟ) ਦਾ ਰਿਕਾਰਡ ਟੈਰਾਹਰਟਜ਼ ਪ੍ਰਵੇਗ ਵੱਲ ਲੈ ਜਾਂਦਾ ਹੈ। ਇਸ ਤਰ੍ਹਾਂ, 125 ਕੇਵੀ ਤੱਕ ਐਕਸਲਰੇਟਿਡ ਇਲੈਕਟ੍ਰੌਨ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕੀਤੇ ਗਏ ਸਨ।

ਡਿਵਾਈਸ ਬਣਤਰ ਅਤੇ ਲਾਗੂ ਕਰਨਾ

ਚਿੱਤਰ #1: ਅਧਿਐਨ ਅਧੀਨ ਡਿਵਾਈਸ ਦੀ ਸਕੀਮ।

ਚਿੱਤਰ ਨੰ. 1-2: a - ਵਿਕਸਤ 5-ਲੇਅਰ ਖੰਡਿਤ ਢਾਂਚੇ ਦਾ ਇੱਕ ਚਿੱਤਰ, b - ਗਣਨਾ ਕੀਤੇ ਪ੍ਰਵੇਗ ਦਾ ਅਨੁਪਾਤ ਅਤੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੌਨ ਪ੍ਰਸਾਰ ਦੀ ਦਿਸ਼ਾ।

ਤੋਂ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਨ ਬੀਮ (55 keV) ਪੈਦਾ ਹੁੰਦੇ ਹਨ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਨ ਬੰਦੂਕ* ਅਤੇ ਟੇਰਾਹਰਟਜ਼ ਸਟੀਮ-ਬੰਚਰ (ਬੀਮ ਕੰਪ੍ਰੈਸਰ) ਵਿੱਚ ਪੇਸ਼ ਕੀਤੇ ਜਾਂਦੇ ਹਨ, ਜਿਸ ਤੋਂ ਬਾਅਦ ਉਹਨਾਂ ਨੂੰ ਸਟੀਮ-ਲਿਨਕ (ਲੀਨੀਅਰ ਐਕਸਲੇਟਰ*).

ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਨ ਬੰਦੂਕ* - ਲੋੜੀਂਦੀ ਸੰਰਚਨਾ ਅਤੇ ਊਰਜਾ ਦਾ ਇੱਕ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਨ ਬੀਮ ਬਣਾਉਣ ਲਈ ਇੱਕ ਯੰਤਰ।

ਲੀਨੀਅਰ ਐਕਸਲੇਟਰ* - ਇੱਕ ਐਕਸਲੇਟਰ ਜਿਸ ਵਿੱਚ ਚਾਰਜ ਕੀਤੇ ਕਣ ਸਿਰਫ ਇੱਕ ਵਾਰ ਬਣਤਰ ਵਿੱਚੋਂ ਲੰਘਦੇ ਹਨ, ਜੋ ਇੱਕ ਰੇਖਿਕ ਐਕਸਲੇਟਰ ਨੂੰ ਇੱਕ ਚੱਕਰੀ (ਉਦਾਹਰਨ ਲਈ, LHC) ਤੋਂ ਵੱਖ ਕਰਦਾ ਹੈ।

ਦੋਵੇਂ ਸਟੀਮ ਯੰਤਰ ਇੱਕ ਸਿੰਗਲ ਨੇੜੇ ਇਨਫਰਾਰੈੱਡ (ਐਨ.ਆਈ.ਆਰ.) ਲੇਜ਼ਰ ਤੋਂ ਟੇਰਾਹਰਟਜ਼ ਦਾਲਾਂ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਦੇ ਹਨ, ਜੋ ਇਲੈਕਟ੍ਰੌਨ ਬੰਦੂਕ ਦੇ ਫੋਟੋਕੈਥੋਡ ਨੂੰ ਵੀ ਫਾਇਰ ਕਰਦਾ ਹੈ, ਨਤੀਜੇ ਵਜੋਂ ਇਲੈਕਟ੍ਰੌਨਾਂ ਅਤੇ ਪ੍ਰਵੇਗਸ਼ੀਲ ਖੇਤਰਾਂ ਵਿਚਕਾਰ ਅੰਦਰੂਨੀ ਸਮਕਾਲੀਕਰਨ ਹੁੰਦਾ ਹੈ। ਫੋਟੋਕੈਥੋਡ 'ਤੇ ਫੋਟੋਓਮਿਸ਼ਨ ਲਈ ਅਲਟਰਾਵਾਇਲਟ ਦਾਲਾਂ ਲਗਾਤਾਰ ਦੋ ਪੜਾਵਾਂ ਰਾਹੀਂ ਉਤਪੰਨ ਹੁੰਦੀਆਂ ਹਨ। Gvg* ਨੇੜੇ ਇਨਫਰਾਰੈੱਡ ਰੋਸ਼ਨੀ ਦੀ ਬੁਨਿਆਦੀ ਤਰੰਗ-ਲੰਬਾਈ। ਇਹ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ 1020 nm ਲੇਜ਼ਰ ਪਲਸ ਨੂੰ ਪਹਿਲਾਂ 510 nm ਅਤੇ ਫਿਰ 255 nm ਵਿੱਚ ਬਦਲਦੀ ਹੈ।

Gvg* (ਦੂਜੀ ਹਾਰਮੋਨਿਕ ਪੀੜ੍ਹੀ) - ਇੱਕ ਗੈਰ-ਰੇਖਿਕ ਸਮੱਗਰੀ ਦੇ ਨਾਲ ਪਰਸਪਰ ਕ੍ਰਿਆ ਦੌਰਾਨ ਇੱਕੋ ਬਾਰੰਬਾਰਤਾ ਨਾਲ ਫੋਟੌਨਾਂ ਨੂੰ ਜੋੜਨ ਦੀ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ, ਜੋ ਦੁੱਗਣੀ ਊਰਜਾ ਅਤੇ ਬਾਰੰਬਾਰਤਾ ਦੇ ਨਾਲ-ਨਾਲ ਅੱਧੀ ਤਰੰਗ ਲੰਬਾਈ ਦੇ ਨਾਲ ਨਵੇਂ ਫੋਟੌਨਾਂ ਦੇ ਗਠਨ ਵੱਲ ਲੈ ਜਾਂਦੀ ਹੈ।

NIR ਲੇਜ਼ਰ ਬੀਮ ਦੇ ਬਾਕੀ ਹਿੱਸੇ ਨੂੰ 4 ਬੀਮ ਵਿੱਚ ਵੰਡਿਆ ਗਿਆ ਹੈ, ਜੋ ਕਿ ਇੱਕ ਇੰਟਰਾ-ਪਲਸ ਫ੍ਰੀਕੁਐਂਸੀ ਫਰਕ ਪੈਦਾ ਕਰਕੇ ਚਾਰ ਸਿੰਗਲ-ਸਾਈਕਲ ਟੈਰਾਹਰਟਜ਼ ਪਲਸ ਬਣਾਉਣ ਲਈ ਵਰਤੇ ਜਾਂਦੇ ਹਨ।

ਦੋ ਟੇਰਾਹਰਟਜ਼ ਦਾਲਾਂ ਫਿਰ ਸਮਮਿਤੀ ਸਿੰਗ ਬਣਤਰਾਂ ਦੁਆਰਾ ਹਰੇਕ ਸਟੀਮ ਯੰਤਰ ਵਿੱਚ ਦਾਖਲ ਹੁੰਦੀਆਂ ਹਨ ਜੋ ਟੇਰਾਹਰਟਜ਼ ਊਰਜਾ ਨੂੰ ਇਲੈਕਟ੍ਰੌਨ ਪ੍ਰਸਾਰ ਦੀ ਦਿਸ਼ਾ ਵਿੱਚ ਇੰਟਰਐਕਸ਼ਨ ਖੇਤਰ ਵਿੱਚ ਭੇਜਦੀਆਂ ਹਨ।

ਜਿਵੇਂ ਹੀ ਇਲੈਕਟ੍ਰੌਨ ਹਰ ਇੱਕ ਸਟੀਮ ਯੰਤਰ ਵਿੱਚ ਦਾਖਲ ਹੁੰਦੇ ਹਨ, ਉਹ ਬਿਜਲੀ ਅਤੇ ਚੁੰਬਕੀ ਭਾਗਾਂ ਦੇ ਸੰਪਰਕ ਵਿੱਚ ਆਉਂਦੇ ਹਨ। ਲੋਰੇਂਟਜ਼ ਬਲ*.

ਲੋਰੇਂਟਜ਼ ਫੋਰਸ* ਉਹ ਬਲ ਹੈ ਜਿਸ ਨਾਲ ਇੱਕ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਫੀਲਡ ਇੱਕ ਚਾਰਜ ਕੀਤੇ ਕਣ ਉੱਤੇ ਕੰਮ ਕਰਦਾ ਹੈ।

ਇਸ ਸਥਿਤੀ ਵਿੱਚ, ਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਫੀਲਡ ਪ੍ਰਵੇਗ ਅਤੇ ਗਿਰਾਵਟ ਲਈ ਜ਼ਿੰਮੇਵਾਰ ਹੁੰਦਾ ਹੈ, ਜਦੋਂ ਕਿ ਚੁੰਬਕੀ ਖੇਤਰ ਲੇਟਰਲ ਡਿਫਲੈਕਸ਼ਨ ਦਾ ਕਾਰਨ ਬਣਦਾ ਹੈ।

ਚਿੱਤਰ #2

ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਅਸੀਂ ਤਸਵੀਰਾਂ ਵਿਚ ਦੇਖਦੇ ਹਾਂ 2 ਏ и 2b, ਹਰੇਕ ਸਟੀਮ ਯੰਤਰ ਦੇ ਅੰਦਰ, ਟੇਰਾਹਰਟਜ਼ ਬੀਮ ਨੂੰ ਪਤਲੀ ਧਾਤ ਦੀਆਂ ਚਾਦਰਾਂ ਦੁਆਰਾ ਵੱਖ-ਵੱਖ ਮੋਟਾਈ ਦੀਆਂ ਕਈ ਪਰਤਾਂ ਵਿੱਚ ਵੱਖ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਜਿਨ੍ਹਾਂ ਵਿੱਚੋਂ ਹਰ ਇੱਕ ਵੇਵਗਾਈਡ ਵਜੋਂ ਕੰਮ ਕਰਦਾ ਹੈ, ਕੁੱਲ ਊਰਜਾ ਦੇ ਹਿੱਸੇ ਨੂੰ ਪਰਸਪਰ ਖੇਤਰ ਵਿੱਚ ਤਬਦੀਲ ਕਰਦਾ ਹੈ। ਨਾਲ ਹੀ, ਹਰ ਪਰਤ ਵਿੱਚ ਟੇਰਾਹਰਟਜ਼ ਸਿਗਨਲ ਦੇ ਆਉਣ ਦੇ ਸਮੇਂ ਨਾਲ ਮੇਲ ਕਰਨ ਲਈ ਡਾਈਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਪਲੇਟਾਂ ਹੁੰਦੀਆਂ ਹਨ। ਲਹਿਰ ਅੱਗੇ* ਇੱਕ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਨ ਫਰੰਟ ਦੇ ਨਾਲ.

ਵੇਵਫਰੰਟ* ਉਹ ਸਤਹ ਹੈ ਜਿਸ ਤੱਕ ਲਹਿਰ ਪਹੁੰਚ ਗਈ ਹੈ।

ਦੋਵੇਂ ਸਟੀਮ ਯੰਤਰ ਬਿਜਲਈ ਮੋਡ ਵਿੱਚ ਕੰਮ ਕਰਦੇ ਹਨ, ਯਾਨੀ ਕਿ, ਪਰਸਪਰ ਪ੍ਰਭਾਵ ਖੇਤਰ ਦੇ ਕੇਂਦਰ ਵਿੱਚ ਇੱਕ ਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਫੀਲਡ ਅਤੇ ਚੁੰਬਕੀ ਫੀਲਡ ਦਮਨ ਪੈਦਾ ਕਰਨ ਦੇ ਤਰੀਕੇ ਨਾਲ।

ਪਹਿਲੇ ਯੰਤਰ ਵਿੱਚ, ਇਲੈਕਟ੍ਰੌਨਾਂ ਨੂੰ ਲੰਘਣ ਦਾ ਸਮਾਂ ਦਿੱਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ ਜ਼ੀਰੋ ਕਰਾਸਿੰਗ* terahertz ਫੀਲਡ, ਜਿੱਥੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਫੀਲਡ ਦੇ ਟੈਂਪੋਰਲ ਗਰੇਡੀਐਂਟ ਨੂੰ ਵੱਧ ਤੋਂ ਵੱਧ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ ਅਤੇ ਔਸਤ ਫੀਲਡ ਨੂੰ ਘੱਟ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ।

ਜ਼ੀਰੋ ਕਰਾਸਿੰਗ* - ਉਹ ਬਿੰਦੂ ਜਿੱਥੇ ਕੋਈ ਤਣਾਅ ਨਹੀਂ ਹੁੰਦਾ.

ਇਹ ਸੰਰਚਨਾ ਇਲੈਕਟ੍ਰੌਨ ਬੀਮ ਦੀ ਪੂਛ ਨੂੰ ਤੇਜ਼ ਕਰਨ ਅਤੇ ਇਸਦੇ ਸਿਰ ਨੂੰ ਘੱਟ ਕਰਨ ਦਾ ਕਾਰਨ ਬਣਦੀ ਹੈ, ਜਿਸਦੇ ਨਤੀਜੇ ਵਜੋਂ ਬੈਲਿਸਟਿਕ ਲੰਬਕਾਰੀ ਫੋਕਸਿੰਗ (2 ਏ и 2c).

ਦੂਜੇ ਯੰਤਰ ਵਿੱਚ, ਇਲੈਕਟ੍ਰੌਨ ਅਤੇ ਟੇਰਾਹਰਟਜ਼ ਰੇਡੀਏਸ਼ਨ ਦਾ ਸਮਕਾਲੀਕਰਨ ਸੈੱਟ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਹੈ ਤਾਂ ਜੋ ਇਲੈਕਟ੍ਰੌਨ ਬੀਮ ਸਿਰਫ ਟੇਰਾਹਰਟਜ਼ ਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਫੀਲਡ ਦੇ ਨਕਾਰਾਤਮਕ ਚੱਕਰ ਦਾ ਅਨੁਭਵ ਕਰੇ। ਇਸ ਸੰਰਚਨਾ ਦੇ ਨਤੀਜੇ ਵਜੋਂ ਇੱਕ ਸ਼ੁੱਧ ਨਿਰੰਤਰ ਪ੍ਰਵੇਗ (2b и 2d).

NIR ਲੇਜ਼ਰ ਕ੍ਰਾਇਓਜਨਿਕ ਤੌਰ 'ਤੇ ਕੂਲਡ Yb:YLF ਸਿਸਟਮ ਵਰਗਾ ਹੈ ਜੋ 1.2 ps ਦੀ ਮਿਆਦ ਅਤੇ 50 nm ਦੀ ਤਰੰਗ ਲੰਬਾਈ ਅਤੇ 1020 Hz ਦੀ ਦੁਹਰਾਓ ਦਰ 'ਤੇ 10 mJ ਦੀ ਊਰਜਾ ਨਾਲ ਆਪਟੀਕਲ ਪਲਸ ਪੈਦਾ ਕਰਦਾ ਹੈ। ਅਤੇ 0.29 terahertz (3.44 ps ਦੀ ਮਿਆਦ) ਦੀ ਸੈਂਟਰ ਫ੍ਰੀਕੁਐਂਸੀ ਵਾਲੀਆਂ terahertz ਪਲਸ ਝੁਕੀ ਹੋਈ ਪਲਸ ਫਰੰਟ ਵਿਧੀ ਦੁਆਰਾ ਤਿਆਰ ਕੀਤੀਆਂ ਜਾਂਦੀਆਂ ਹਨ।

ਸਟੀਮ-ਬੰਚਰ (ਬੀਮ ਕੰਪ੍ਰੈਸਰ) ਨੂੰ ਪਾਵਰ ਦੇਣ ਲਈ ਸਿਰਫ਼ 2 x 50 nJ terahertz ਊਰਜਾ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕੀਤੀ ਗਈ ਸੀ, ਜਦੋਂ ਕਿ STEAM-linac (ਲੀਨੀਅਰ ਐਕਸਲੇਟਰ) ਲਈ 2 x 15 mJ ਦੀ ਲੋੜ ਸੀ।

ਸਟੀਮ ਯੰਤਰਾਂ ਦੇ ਇਨਲੇਟ ਅਤੇ ਆਊਟਲੈੱਟ ਦਾ ਵਿਆਸ 120 µm ਹੈ।

ਬੀਮ ਕੰਪ੍ਰੈਸਰ ਨੂੰ ਇੱਕੋ ਉਚਾਈ (0 ਮਿ.ਮੀ.) ਦੀਆਂ ਤਿੰਨ ਪਰਤਾਂ ਨਾਲ ਤਿਆਰ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਹੈ, ਜੋ ਸਮਾਂ ਨਿਯੰਤਰਣ ਲਈ 225 ਅਤੇ 4.41 ਮਿ.ਮੀ. ਦੀ ਲੰਬਾਈ ਦੀਆਂ ਫਿਊਜ਼ਡ ਸਿਲਿਕਾ ਪਲੇਟਾਂ (ϵr = 0.42) ਨਾਲ ਲੈਸ ਹਨ। ਕੰਪ੍ਰੈਸਰ ਲੇਅਰਾਂ ਦੀਆਂ ਬਰਾਬਰ ਉਚਾਈਆਂ ਇਸ ਤੱਥ ਨੂੰ ਦਰਸਾਉਂਦੀਆਂ ਹਨ ਕਿ ਕੋਈ ਪ੍ਰਵੇਗ ਨਹੀਂ ਹੁੰਦਾ (2c).

ਪਰ ਲੀਨੀਅਰ ਐਕਸਲੇਟਰ ਵਿੱਚ, ਉਚਾਈਆਂ ਪਹਿਲਾਂ ਤੋਂ ਹੀ ਵੱਖਰੀਆਂ ਹਨ - 0.225, 0.225 ਅਤੇ 0.250 ਮਿਲੀਮੀਟਰ (+ ਫਿਊਜ਼ਡ ਕੁਆਰਟਜ਼ ਪਲੇਟਾਂ 0.42 ਅਤੇ 0.84 ਮਿਲੀਮੀਟਰ)। ਪਰਤ ਦੀ ਉਚਾਈ ਵਿੱਚ ਵਾਧਾ ਪ੍ਰਵੇਗ ਦੇ ਦੌਰਾਨ ਇਲੈਕਟ੍ਰੌਨਾਂ ਦੀ ਗਤੀ ਵਿੱਚ ਵਾਧੇ ਦੀ ਵਿਆਖਿਆ ਕਰਦਾ ਹੈ।

ਵਿਗਿਆਨੀ ਨੋਟ ਕਰਦੇ ਹਨ ਕਿ ਲੇਅਰਾਂ ਦੀ ਗਿਣਤੀ ਦੋ ਡਿਵਾਈਸਾਂ ਵਿੱਚੋਂ ਹਰੇਕ ਦੀ ਕਾਰਜਸ਼ੀਲਤਾ ਲਈ ਸਿੱਧੇ ਤੌਰ 'ਤੇ ਜ਼ਿੰਮੇਵਾਰ ਹੈ। ਪ੍ਰਵੇਗ ਦੀ ਉੱਚ ਡਿਗਰੀ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਨ ਲਈ, ਉਦਾਹਰਨ ਲਈ, ਪਰਸਪਰ ਪ੍ਰਭਾਵ ਨੂੰ ਅਨੁਕੂਲ ਬਣਾਉਣ ਲਈ ਹੋਰ ਪਰਤਾਂ ਅਤੇ ਇੱਕ ਵੱਖਰੀ ਉਚਾਈ ਸੰਰਚਨਾ ਦੀ ਲੋੜ ਹੋਵੇਗੀ।

ਵਿਹਾਰਕ ਪ੍ਰਯੋਗਾਂ ਦੇ ਨਤੀਜੇ

ਸਭ ਤੋਂ ਪਹਿਲਾਂ, ਖੋਜਕਰਤਾ ਯਾਦ ਦਿਵਾਉਂਦੇ ਹਨ ਕਿ ਰਵਾਇਤੀ ਆਰਐਫ-ਅਧਾਰਤ ਐਕਸੀਲੇਟਰਾਂ ਵਿੱਚ, ਪ੍ਰਵੇਗਿਤ ਬੀਮ ਦੀਆਂ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ 'ਤੇ ਇਮਪਲਾਂਟਡ ਇਲੈਕਟ੍ਰੌਨ ਬੀਮ ਦੀ ਅਸਥਾਈ ਹੱਦ ਦਾ ਪ੍ਰਭਾਵ ਵੱਖ-ਵੱਖ ਇਲੈਕਟ੍ਰੌਨਾਂ ਦੁਆਰਾ ਆਪਸੀ ਕਿਰਿਆ ਦੌਰਾਨ ਅਨੁਭਵ ਕੀਤੇ ਗਏ ਇਲੈਕਟ੍ਰੌਨ ਖੇਤਰ ਵਿੱਚ ਤਬਦੀਲੀ ਨਾਲ ਜੁੜਿਆ ਹੋਇਆ ਹੈ। ਬੀਮ ਵੱਖ-ਵੱਖ ਸਮਿਆਂ 'ਤੇ ਆ ਰਿਹਾ ਹੈ। ਇਸ ਤਰ੍ਹਾਂ, ਇਹ ਮੰਨਿਆ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ ਕਿ ਇੱਕ ਵੱਡੇ ਗਰੇਡੀਐਂਟ ਵਾਲੇ ਫੀਲਡ ਅਤੇ ਲੰਬੀ ਮਿਆਦ ਵਾਲੇ ਬੀਮ ਇੱਕ ਵੱਡੇ ਊਰਜਾ ਫੈਲਾਅ ਵੱਲ ਅਗਵਾਈ ਕਰਨਗੇ। ਲੰਬੇ ਸਮੇਂ ਦੇ ਟੀਕੇ ਵਾਲੇ ਬੀਮ ਵੀ ਉੱਚੇ ਮੁੱਲ ਲੈ ਸਕਦੇ ਹਨ ਨਿਕਾਸ*.

ਨਿਕਾਸ* ਫੇਜ਼ ਸਪੇਸ ਹੈ ਜੋ ਚਾਰਜ ਕੀਤੇ ਕਣਾਂ ਦੇ ਇੱਕ ਐਕਸਲਰੇਟਿਡ ਬੀਮ ਦੁਆਰਾ ਕਬਜੇ ਵਿੱਚ ਹੈ।

ਟੇਰਾਹਰਟਜ਼ ਐਕਸਲੇਟਰ ਦੇ ਮਾਮਲੇ ਵਿੱਚ, ਐਕਸੀਟੇਸ਼ਨ ਫੀਲਡ ਦੀ ਮਿਆਦ ਲਗਭਗ 200 ਗੁਣਾ ਘੱਟ ਹੁੰਦੀ ਹੈ। ਇਸ ਲਈ, ਤਣਾਅ* ਸਮਰਥਿਤ ਖੇਤਰ 10 ਗੁਣਾ ਵੱਧ ਹੋਵੇਗਾ।

ਬਿਜਲੀ ਖੇਤਰ ਦੀ ਤਾਕਤ* - ਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਫੀਲਡ ਦਾ ਇੱਕ ਸੂਚਕ, ਇਸ ਚਾਰਜ ਦੀ ਤੀਬਰਤਾ ਲਈ ਫੀਲਡ ਵਿੱਚ ਇੱਕ ਦਿੱਤੇ ਬਿੰਦੂ 'ਤੇ ਲਗਾਏ ਗਏ ਇੱਕ ਸਥਿਰ ਬਿੰਦੂ ਚਾਰਜ 'ਤੇ ਲਾਗੂ ਕੀਤੇ ਗਏ ਬਲ ਦੇ ਅਨੁਪਾਤ ਦੇ ਬਰਾਬਰ।

ਇਸ ਤਰ੍ਹਾਂ, ਇੱਕ ਟੇਰਾਹਰਟਜ਼ ਐਕਸਲੇਟਰ ਵਿੱਚ, ਇਲੈਕਟ੍ਰੌਨਾਂ ਦੁਆਰਾ ਅਨੁਭਵ ਕੀਤੇ ਗਏ ਫੀਲਡ ਗਰੇਡੀਐਂਟ ਇੱਕ ਪਰੰਪਰਾਗਤ ਯੰਤਰ ਨਾਲੋਂ ਮੈਗਨੀਟਿਊਡ ਦੇ ਕਈ ਆਰਡਰ ਹੋ ਸਕਦੇ ਹਨ। ਸਮਾਂ ਪੈਮਾਨਾ ਜਿਸ 'ਤੇ ਖੇਤਰ ਦੀ ਵਕਰਤਾ ਨਜ਼ਰ ਆਉਂਦੀ ਹੈ, ਇਸ ਕੇਸ ਵਿੱਚ ਬਹੁਤ ਛੋਟਾ ਹੋਵੇਗਾ। ਇਸ ਤੋਂ ਇਹ ਪਤਾ ਚਲਦਾ ਹੈ ਕਿ ਇੰਜੈਕਟ ਕੀਤੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਨ ਬੀਮ ਦੀ ਮਿਆਦ ਦਾ ਵਧੇਰੇ ਸਪੱਸ਼ਟ ਪ੍ਰਭਾਵ ਹੋਵੇਗਾ।

ਅਭਿਆਸ ਵਿੱਚ ਵਿਗਿਆਨੀਆਂ ਨੇ ਇਹਨਾਂ ਸਿਧਾਂਤਾਂ ਦੀ ਜਾਂਚ ਕਰਨ ਦਾ ਫੈਸਲਾ ਕੀਤਾ. ਅਜਿਹਾ ਕਰਨ ਲਈ, ਉਹਨਾਂ ਨੇ ਵੱਖ-ਵੱਖ ਅਵਧੀ ਦੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਨ ਬੀਮ ਪੇਸ਼ ਕੀਤੇ, ਜੋ ਕਿ ਪਹਿਲੇ ਸਟੀਮ ਯੰਤਰ (ਸਟੀਮ-ਬੰਚਰ) ਦੇ ਕਾਰਨ ਕੰਪਰੈਸ਼ਨ ਦੁਆਰਾ ਨਿਯੰਤਰਿਤ ਕੀਤੇ ਗਏ ਸਨ।

ਚਿੱਤਰ #3

ਅਜਿਹੀ ਸਥਿਤੀ ਵਿੱਚ ਜਦੋਂ ਕੰਪ੍ਰੈਸਰ ਇੱਕ ਪਾਵਰ ਸਰੋਤ ਨਾਲ ਕਨੈਕਟ ਨਹੀਂ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਸੀ, ਇਲੈਕਟ੍ਰੌਨ ਬੀਮ (55 keV) ∼1 fC (femtocoulomb) ਦੇ ਚਾਰਜ ਨਾਲ ਇਲੈਕਟ੍ਰੌਨ ਬੰਦੂਕ ਤੋਂ ਲੀਨੀਅਰ ਐਕਸਲੇਟਰ ਯੰਤਰ (STEAM-linac) ਤੱਕ ਲਗਭਗ 300 mm ਦਾ ਸਫ਼ਰ ਕਰਦੇ ਹਨ। ਇਹ ਇਲੈਕਟ੍ਰੌਨ ਸਪੇਸ ਚਾਰਜ ਫੋਰਸਾਂ ਦੀ ਕਿਰਿਆ ਅਧੀਨ 1000 fs (femtoseconds) ਤੋਂ ਵੱਧ ਦੀ ਮਿਆਦ ਤੱਕ ਫੈਲ ਸਕਦੇ ਹਨ।

ਇਸ ਅਵਧੀ ਦੇ ਨਾਲ, ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਨ ਬੀਮ ਨੇ 60 ps ਦੀ ਬਾਰੰਬਾਰਤਾ ਨਾਲ ਐਕਸਲੇਟਿੰਗ ਫੀਲਡ ਦੇ ਅੱਧੇ-ਵੇਵ ਦੇ ਲਗਭਗ 1,7% ਉੱਤੇ ਕਬਜ਼ਾ ਕਰ ਲਿਆ, ਜਿਸ ਨਾਲ 115 keV ਤੇ ਇੱਕ ਚੋਟੀ ਦੇ ਨਾਲ ਪ੍ਰਵੇਗ ਤੋਂ ਬਾਅਦ ਇੱਕ ਊਰਜਾ ਸਪੈਕਟ੍ਰਮ ਅਤੇ ਇੱਕ ਊਰਜਾ ਵੰਡ ਅੱਧੀ-ਚੌੜਾਈ ਵਿੱਚ ਵੱਧ ਗਈ। 60 ਕੇਵੀ (3 ਏ).

ਇਹਨਾਂ ਨਤੀਜਿਆਂ ਦੀ ਸੰਭਾਵਿਤ ਨਤੀਜਿਆਂ ਨਾਲ ਤੁਲਨਾ ਕਰਨ ਲਈ, ਇੱਕ ਲੀਨੀਅਰ ਐਕਸਲੇਟਰ ਦੁਆਰਾ ਇਲੈਕਟ੍ਰੌਨ ਦੇ ਪ੍ਰਸਾਰ ਦੀ ਸਥਿਤੀ ਨੂੰ ਸਿਮੂਲੇਟ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਸੀ, ਜਦੋਂ ਇਲੈਕਟ੍ਰੌਨ ਸਮਕਾਲੀਕਰਨ ਤੋਂ ਬਾਹਰ ਸਨ (ਭਾਵ, ਅਨੁਕੂਲ ਟੀਕੇ ਦੇ ਸਮੇਂ ਦੇ ਸਬੰਧ ਵਿੱਚ, ਮੇਲ ਨਹੀਂ ਖਾਂਦੇ)। ਅਜਿਹੀ ਸਥਿਤੀ ਦੀਆਂ ਗਣਨਾਵਾਂ ਨੇ ਦਿਖਾਇਆ ਕਿ ਇਲੈਕਟ੍ਰੌਨ ਊਰਜਾ ਵਿੱਚ ਵਾਧਾ ਸਬਪੀਸਕਿੰਟ ਟਾਈਮ ਸਕੇਲ (3b). ਭਾਵ, ਅਨੁਕੂਲ ਟਿਊਨਿੰਗ ਦੇ ਨਾਲ, ਇਲੈਕਟ੍ਰੌਨ ਹਰ ਪਰਤ (3c).

ਜੇਕਰ ਇਲੈਕਟ੍ਰੌਨ ਵੱਖ-ਵੱਖ ਸਮਿਆਂ 'ਤੇ ਆਉਂਦੇ ਹਨ, ਤਾਂ ਉਹ ਪਹਿਲੀ ਪਰਤ ਵਿੱਚ ਘੱਟ ਪ੍ਰਵੇਗ ਅਨੁਭਵ ਕਰਦੇ ਹਨ, ਜਿਸ ਵਿੱਚੋਂ ਉਹਨਾਂ ਨੂੰ ਲੰਘਣ ਲਈ ਵਧੇਰੇ ਸਮਾਂ ਚਾਹੀਦਾ ਹੈ। ਡੀਸਿੰਕ੍ਰੋਨਾਈਜ਼ੇਸ਼ਨ ਫਿਰ ਅਗਲੀਆਂ ਪਰਤਾਂ ਵਿੱਚ ਵਧ ਜਾਂਦੀ ਹੈ, ਜਿਸ ਨਾਲ ਅਣਚਾਹੇ ਮੰਦੀ (3d).

ਇਲੈਕਟ੍ਰੌਨ ਬੀਮ ਦੀ ਅਸਥਾਈ ਲੰਬਾਈ ਦੇ ਨਕਾਰਾਤਮਕ ਪ੍ਰਭਾਵ ਨੂੰ ਘੱਟ ਕਰਨ ਲਈ, ਕੰਪਰੈਸ਼ਨ ਮੋਡ ਵਿੱਚ ਸੰਚਾਲਿਤ ਪਹਿਲਾ ਸਟੀਮ ਯੰਤਰ। ਕੰਪ੍ਰੈਸਰ ਨੂੰ ਸਪਲਾਈ ਕੀਤੀ ਗਈ ਟੇਰਾਹਰਟਜ਼ ਊਰਜਾ ਨੂੰ ਟਿਊਨ ਕਰਕੇ ਅਤੇ ਲਿਨਕ ਨੂੰ ਹੈਚਿੰਗ ਮੋਡ ਵਿੱਚ ਬਦਲ ਕੇ ਲਿਨਕ 'ਤੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਨ ਬੀਮ ਦੀ ਮਿਆਦ ਨੂੰ ਘੱਟੋ-ਘੱਟ ~350 fs (ਅੱਧੀ-ਚੌੜਾਈ) ਤੱਕ ਅਨੁਕੂਲਿਤ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਸੀ (4b).

ਚਿੱਤਰ #4

ਘੱਟੋ-ਘੱਟ ਬੀਮ ਦੀ ਮਿਆਦ ਫੋਟੋਕੈਥੋਡ ਯੂਵੀ ਪਲਸ ਦੀ ਮਿਆਦ ਦੇ ਅਨੁਸਾਰ ਸੈੱਟ ਕੀਤੀ ਗਈ ਸੀ, ਜਿਸ ਦੀ ਮਿਆਦ ~ 600 fs ਸੀ। ਕੰਪ੍ਰੈਸਰ ਅਤੇ ਸਟ੍ਰਿਪ ਦੇ ਵਿਚਕਾਰ ਦੀ ਦੂਰੀ ਨੇ ਵੀ ਇੱਕ ਮਹੱਤਵਪੂਰਨ ਭੂਮਿਕਾ ਨਿਭਾਈ, ਜਿਸ ਨੇ ਮੋਟਾਈ ਬਲ ਦੀ ਗਤੀ ਨੂੰ ਸੀਮਿਤ ਕੀਤਾ। ਇਕੱਠੇ ਕੀਤੇ ਗਏ, ਇਹ ਉਪਾਅ ਪ੍ਰਵੇਗ ਪੜਾਅ 'ਤੇ ਟੀਕੇ ਦੇ ਪੜਾਅ ਦੀ ਫੈਮਟੋਸੈਕੰਡ ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਨੂੰ ਯਕੀਨੀ ਬਣਾਉਣਾ ਸੰਭਵ ਬਣਾਉਂਦੇ ਹਨ।

ਚਿੱਤਰ 'ਤੇ 4 ਏ ਇਹ ਦੇਖਿਆ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ ਕਿ ਰੇਖਿਕ ਐਕਸਲੇਟਰ ਵਿੱਚ ਅਨੁਕੂਲਿਤ ਪ੍ਰਵੇਗ ਤੋਂ ਬਾਅਦ ਸੰਕੁਚਿਤ ਇਲੈਕਟ੍ਰੌਨ ਬੀਮ ਦਾ ਊਰਜਾ ਫੈਲਾਅ ਅਣਕੰਪਰੈੱਸਡ ਦੀ ਤੁਲਨਾ ਵਿੱਚ ~4 ਦੇ ਇੱਕ ਫੈਕਟਰ ਦੁਆਰਾ ਘਟਦਾ ਹੈ। ਪ੍ਰਵੇਗ ਦੇ ਕਾਰਨ, ਸੰਕੁਚਿਤ ਬੀਮ ਦੇ ਊਰਜਾ ਸਪੈਕਟ੍ਰਮ ਨੂੰ ਉੱਚ ਊਰਜਾਵਾਂ ਵੱਲ ਤਬਦੀਲ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਅਣਕੰਪਰੈੱਸਡ ਬੀਮ ਦੇ ਉਲਟ। ਪ੍ਰਵੇਗ ਤੋਂ ਬਾਅਦ ਊਰਜਾ ਸਪੈਕਟ੍ਰਮ ਦੀ ਸਿਖਰ ਲਗਭਗ 115 keV ਹੈ, ਅਤੇ ਉੱਚ-ਊਰਜਾ ਦੀ ਪੂਛ ਲਗਭਗ 125 keV ਤੱਕ ਪਹੁੰਚਦੀ ਹੈ।

ਇਹ ਸੰਕੇਤਕ, ਵਿਗਿਆਨੀਆਂ ਦੇ ਮਾਮੂਲੀ ਕਥਨ ਦੇ ਅਨੁਸਾਰ, ਟੇਰਾਹਰਟਜ਼ ਰੇਂਜ ਵਿੱਚ ਇੱਕ ਨਵਾਂ ਪ੍ਰਵੇਗ ਰਿਕਾਰਡ (ਪ੍ਰਵੇਗ ਤੋਂ ਪਹਿਲਾਂ ਇਹ 70 keV ਸੀ) ਹਨ।

ਪਰ ਊਰਜਾ ਦੇ ਫੈਲਾਅ ਨੂੰ ਘਟਾਉਣ ਲਈ (4 ਏ), ਇਸ ਤੋਂ ਵੀ ਛੋਟਾ ਬੀਮ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਨਾ ਜ਼ਰੂਰੀ ਹੈ।

ਚਿੱਤਰ #5

ਇੱਕ ਅਣਕੰਪਰੈੱਸਡ ਇੰਜੈਕਟਡ ਬੀਮ ਦੇ ਮਾਮਲੇ ਵਿੱਚ, ਬੀਮ ਦੇ ਆਕਾਰ ਦੀ ਪੈਰਾਬੋਲਿਕ ਮੌਜੂਦਾ ਨਿਰਭਰਤਾ ਹਰੀਜੱਟਲ ਅਤੇ ਲੰਬਕਾਰੀ ਦਿਸ਼ਾਵਾਂ ਵਿੱਚ ਟ੍ਰਾਂਸਵਰਸ ਐਮੀਟੈਂਸ ਨੂੰ ਦਰਸਾਉਂਦੀ ਹੈ: εx,n = 1.703 mm*mrad ਅਤੇ εy,n = 1.491 mm*mrad (5 ਏ).

ਕੰਪਰੈਸ਼ਨ, ਬਦਲੇ ਵਿੱਚ, 6 ਤੋਂ εx,n = 0,285 mm*mrad (horizontal) ਅਤੇ εy,n = 0,246 mm*mrad (ਲੰਬਕਾਰੀ) ਦੇ ਇੱਕ ਕਾਰਕ ਦੁਆਰਾ ਟ੍ਰਾਂਸਵਰਸ ਐਮੀਟੈਂਸ ਵਿੱਚ ਸੁਧਾਰ ਕਰਦਾ ਹੈ।

ਇਹ ਧਿਆਨ ਦੇਣ ਯੋਗ ਹੈ ਕਿ ਉਤਸਰਜਨ ਵਿੱਚ ਕਮੀ ਦੀ ਡਿਗਰੀ ਬੀਮ ਦੀ ਮਿਆਦ ਵਿੱਚ ਕਮੀ ਦੀ ਡਿਗਰੀ ਨਾਲੋਂ ਲਗਭਗ ਦੁੱਗਣੀ ਹੈ, ਜੋ ਸਮੇਂ ਦੇ ਨਾਲ ਪਰਸਪਰ ਗਤੀਸ਼ੀਲਤਾ ਦੀ ਗੈਰ-ਰੇਖਿਕਤਾ ਦਾ ਇੱਕ ਮਾਪ ਹੈ, ਜਦੋਂ ਇਲੈਕਟ੍ਰੌਨ ਮਜ਼ਬੂਤ ​​ਫੋਕਸਿੰਗ ਅਤੇ ਡੀਫੋਕਸਿੰਗ ਦਾ ਅਨੁਭਵ ਕਰਦੇ ਹਨ। ਪ੍ਰਵੇਗ ਦੇ ਦੌਰਾਨ ਚੁੰਬਕੀ ਖੇਤਰ (5b и 5c).

ਚਿੱਤਰ 'ਤੇ 5b ਇਹ ਦੇਖਿਆ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ ਕਿ ਅਨੁਕੂਲ ਸਮੇਂ 'ਤੇ ਪੇਸ਼ ਕੀਤੇ ਗਏ ਇਲੈਕਟ੍ਰੌਨ ਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਫੀਲਡ ਪ੍ਰਵੇਗ ਦੇ ਪੂਰੇ ਅੱਧ-ਚੱਕਰ ਦਾ ਅਨੁਭਵ ਕਰਦੇ ਹਨ। ਪਰ ਇਲੈਕਟ੍ਰੌਨ ਜੋ ਅਨੁਕੂਲ ਸਮਾਂ ਬਿੰਦੂ ਤੋਂ ਪਹਿਲਾਂ ਜਾਂ ਬਾਅਦ ਵਿੱਚ ਪਹੁੰਚਦੇ ਹਨ, ਘੱਟ ਪ੍ਰਵੇਗ ਅਤੇ ਇੱਥੋਂ ਤੱਕ ਕਿ ਅੰਸ਼ਿਕ ਗਿਰਾਵਟ ਦਾ ਅਨੁਭਵ ਕਰਦੇ ਹਨ। ਨਤੀਜੇ ਵਜੋਂ ਅਜਿਹੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਨ ਘੱਟ ਊਰਜਾ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਦੇ ਹਨ, ਮੋਟੇ ਤੌਰ 'ਤੇ ਬੋਲਦੇ ਹੋਏ।

ਅਜਿਹੀ ਸਥਿਤੀ ਇੱਕ ਚੁੰਬਕੀ ਖੇਤਰ ਦੇ ਪ੍ਰਭਾਵ ਅਧੀਨ ਵੇਖੀ ਜਾਂਦੀ ਹੈ। ਸਰਵੋਤਮ ਸਮੇਂ 'ਤੇ ਇੰਜੈਕਟ ਕੀਤੇ ਗਏ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਨ ਸਕਾਰਾਤਮਕ ਅਤੇ ਨਕਾਰਾਤਮਕ ਚੁੰਬਕੀ ਖੇਤਰਾਂ ਦੀ ਸਮਮਿਤੀ ਮਾਤਰਾ ਦਾ ਅਨੁਭਵ ਕਰਦੇ ਹਨ। ਜੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੌਨਾਂ ਦੀ ਸ਼ੁਰੂਆਤ ਅਨੁਕੂਲ ਸਮੇਂ ਤੋਂ ਪਹਿਲਾਂ ਹੋਈ ਸੀ, ਤਾਂ ਵਧੇਰੇ ਸਕਾਰਾਤਮਕ ਖੇਤਰ ਅਤੇ ਘੱਟ ਨਕਾਰਾਤਮਕ ਖੇਤਰ ਸਨ। ਅਨੁਕੂਲ ਸਮੇਂ ਨਾਲੋਂ ਬਾਅਦ ਵਿੱਚ ਇਲੈਕਟ੍ਰੌਨਾਂ ਦੀ ਸ਼ੁਰੂਆਤ ਦੇ ਮਾਮਲੇ ਵਿੱਚ, ਘੱਟ ਸਕਾਰਾਤਮਕ ਅਤੇ ਵਧੇਰੇ ਨਕਾਰਾਤਮਕ (5c). ਅਤੇ ਅਜਿਹੀਆਂ ਭਟਕਣਾਵਾਂ ਇਸ ਤੱਥ ਵੱਲ ਲੈ ਜਾਂਦੀਆਂ ਹਨ ਕਿ ਇਲੈਕਟ੍ਰੌਨ ਧੁਰੇ ਦੇ ਅਨੁਸਾਰੀ ਸਥਿਤੀ ਦੇ ਅਧਾਰ ਤੇ, ਖੱਬੇ, ਸੱਜੇ, ਉੱਪਰ ਜਾਂ ਹੇਠਾਂ ਵੱਲ ਭਟਕ ਸਕਦਾ ਹੈ, ਜੋ ਕਿ ਬੀਮ ਦੇ ਫੋਕਸਿੰਗ ਜਾਂ ਡੀਫੋਕਸਿੰਗ ਦੇ ਅਨੁਸਾਰੀ ਟ੍ਰਾਂਸਵਰਸ ਮੋਮੈਂਟਮ ਵਿੱਚ ਵਾਧਾ ਵੱਲ ਲੈ ਜਾਂਦਾ ਹੈ।

ਅਧਿਐਨ ਦੀਆਂ ਬਾਰੀਕੀਆਂ ਨਾਲ ਵਧੇਰੇ ਵਿਸਤ੍ਰਿਤ ਜਾਣੂ ਹੋਣ ਲਈ, ਮੈਂ ਦੇਖਣ ਦੀ ਸਿਫਾਰਸ਼ ਕਰਦਾ ਹਾਂ ਵਿਗਿਆਨੀ ਰਿਪੋਰਟ и ਵਾਧੂ ਸਮੱਗਰੀ ਉਸ ਨੂੰ.

ਏਪੀਲਾਗ

ਸੰਖੇਪ ਵਿੱਚ, ਐਕਸਲੇਟਰ ਦੀ ਉਤਪਾਦਕਤਾ ਵਧੇਗੀ ਜੇਕਰ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਨ ਬੀਮ ਦੀ ਮਿਆਦ ਘੱਟ ਜਾਂਦੀ ਹੈ। ਇਸ ਪੇਪਰ ਵਿੱਚ, ਪ੍ਰਾਪਤੀਯੋਗ ਬੀਮ ਦੀ ਮਿਆਦ ਸੈੱਟਅੱਪ ਜਿਓਮੈਟਰੀ ਦੁਆਰਾ ਸੀਮਿਤ ਸੀ। ਪਰ, ਸਿਧਾਂਤ ਵਿੱਚ, ਬੀਮ ਦੀ ਮਿਆਦ 100 fs ਤੋਂ ਘੱਟ ਤੱਕ ਪਹੁੰਚ ਸਕਦੀ ਹੈ।

ਵਿਗਿਆਨੀ ਇਹ ਵੀ ਨੋਟ ਕਰਦੇ ਹਨ ਕਿ ਪਰਤਾਂ ਦੀ ਉਚਾਈ ਨੂੰ ਘਟਾ ਕੇ ਅਤੇ ਉਹਨਾਂ ਦੀ ਗਿਣਤੀ ਵਧਾ ਕੇ ਬੀਮ ਦੀ ਗੁਣਵੱਤਾ ਨੂੰ ਹੋਰ ਸੁਧਾਰਿਆ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ। ਹਾਲਾਂਕਿ, ਇਹ ਵਿਧੀ ਸਮੱਸਿਆਵਾਂ ਤੋਂ ਬਿਨਾਂ ਨਹੀਂ ਹੈ, ਖਾਸ ਤੌਰ 'ਤੇ ਡਿਵਾਈਸ ਦੇ ਨਿਰਮਾਣ ਦੀ ਵਧੀ ਹੋਈ ਗੁੰਝਲਤਾ.

ਇਹ ਕੰਮ ਇੱਕ ਲੀਨੀਅਰ ਐਕਸਲੇਟਰ ਦੇ ਇੱਕ ਛੋਟੇ ਸੰਸਕਰਣ ਦੇ ਵਧੇਰੇ ਵਿਆਪਕ ਅਤੇ ਵਿਸਤ੍ਰਿਤ ਅਧਿਐਨ ਦਾ ਸ਼ੁਰੂਆਤੀ ਪੜਾਅ ਹੈ। ਇਸ ਤੱਥ ਦੇ ਬਾਵਜੂਦ ਕਿ ਟੈਸਟ ਕੀਤਾ ਸੰਸਕਰਣ ਪਹਿਲਾਂ ਹੀ ਸ਼ਾਨਦਾਰ ਨਤੀਜੇ ਦਿਖਾਉਂਦਾ ਹੈ, ਜਿਸ ਨੂੰ ਸਹੀ ਤੌਰ 'ਤੇ ਰਿਕਾਰਡ ਕਿਹਾ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ, ਅਜੇ ਵੀ ਬਹੁਤ ਸਾਰਾ ਕੰਮ ਹੈ.

ਤੁਹਾਡੇ ਧਿਆਨ ਲਈ ਤੁਹਾਡਾ ਧੰਨਵਾਦ, ਉਤਸੁਕ ਰਹੋ ਅਤੇ ਸਾਰਿਆਂ ਦਾ ਹਫ਼ਤਾ ਵਧੀਆ ਰਹੇ! 🙂

ਸਾਡੇ ਨਾਲ ਰਹਿਣ ਲਈ ਤੁਹਾਡਾ ਧੰਨਵਾਦ। ਕੀ ਤੁਹਾਨੂੰ ਸਾਡੇ ਲੇਖ ਪਸੰਦ ਹਨ? ਹੋਰ ਦਿਲਚਸਪ ਸਮੱਗਰੀ ਦੇਖਣਾ ਚਾਹੁੰਦੇ ਹੋ? ਆਰਡਰ ਦੇ ਕੇ ਜਾਂ ਦੋਸਤਾਂ ਨੂੰ ਸਿਫਾਰਸ਼ ਕਰਕੇ ਸਾਡਾ ਸਮਰਥਨ ਕਰੋ, ਪ੍ਰਵੇਸ਼-ਪੱਧਰ ਦੇ ਸਰਵਰਾਂ ਦੇ ਇੱਕ ਵਿਲੱਖਣ ਐਨਾਲਾਗ 'ਤੇ ਹੈਬਰ ਉਪਭੋਗਤਾਵਾਂ ਲਈ 30% ਦੀ ਛੂਟ, ਜਿਸਦੀ ਖੋਜ ਸਾਡੇ ਦੁਆਰਾ ਤੁਹਾਡੇ ਲਈ ਕੀਤੀ ਗਈ ਸੀ: VPS (KVM) E5-2650 v4 (6 ਕੋਰ) 10GB DDR4 240GB SSD 1Gbps ਤੋਂ $20 ਜਾਂ ਸਰਵਰ ਨੂੰ ਕਿਵੇਂ ਸਾਂਝਾ ਕਰਨਾ ਹੈ ਬਾਰੇ ਪੂਰੀ ਸੱਚਾਈ? (RAID1 ਅਤੇ RAID10 ਦੇ ਨਾਲ ਉਪਲਬਧ, 24 ਕੋਰ ਤੱਕ ਅਤੇ 40GB DDR4 ਤੱਕ)।

Dell R730xd 2 ਗੁਣਾ ਸਸਤਾ? ਇੱਥੇ ਹੀ 2 x Intel TetraDeca-Core Xeon 2x E5-2697v3 2.6GHz 14C 64GB DDR4 4x960GB SSD 1Gbps 100 ਟੀਵੀ $199 ਤੋਂ ਨੀਦਰਲੈਂਡ ਵਿੱਚ! Dell R420 - 2x E5-2430 2.2Ghz 6C 128GB DDR3 2x960GB SSD 1Gbps 100TB - $99 ਤੋਂ! ਬਾਰੇ ਪੜ੍ਹੋ ਬੁਨਿਆਦੀ ਢਾਂਚਾ ਕਾਰਪੋਰੇਸ਼ਨ ਕਿਵੇਂ ਬਣਾਇਆ ਜਾਵੇ ਡੇਲ R730xd E5-2650 v4 ਸਰਵਰਾਂ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਨਾਲ ਕਲਾਸ 9000 ਯੂਰੋ ਦੀ ਕੀਮਤ ਦੇ ਇੱਕ ਪੈਸੇ ਲਈ?

ਸਰੋਤ: www.habr.com