ਸੈਮਸੰਗ 'ਤੇ, ਹਰ ਨੈਨੋਮੀਟਰ ਦੀ ਗਿਣਤੀ: 7 nm ਤੋਂ ਬਾਅਦ 6-, 5-, 4- ਅਤੇ 3-nm ਤਕਨੀਕੀ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆਵਾਂ ਹੋਣਗੀਆਂ।

ਅੱਜ ਸੈਮਸੰਗ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕਸ ਰਿਪੋਰਟ ਕੀਤਾ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰਾਂ ਦੇ ਉਤਪਾਦਨ ਲਈ ਤਕਨੀਕੀ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆਵਾਂ ਦੇ ਵਿਕਾਸ ਲਈ ਯੋਜਨਾਵਾਂ ਬਾਰੇ. ਕੰਪਨੀ ਪੇਟੈਂਟ ਕੀਤੇ MBCFET ਟਰਾਂਜ਼ਿਸਟਰਾਂ 'ਤੇ ਆਧਾਰਿਤ ਪ੍ਰਯੋਗਾਤਮਕ 3-nm ਚਿਪਸ ਦੇ ਡਿਜੀਟਲ ਪ੍ਰੋਜੈਕਟਾਂ ਨੂੰ ਮੁੱਖ ਮੌਜੂਦਾ ਪ੍ਰਾਪਤੀ ਮੰਨਦੀ ਹੈ। ਇਹ ਵਰਟੀਕਲ FET ਗੇਟਾਂ (ਮਲਟੀ-ਬ੍ਰਿਜ-ਚੈਨਲ FET) ਵਿੱਚ ਮਲਟੀਪਲ ਹਰੀਜੱਟਲ ਨੈਨੋਪੇਜ ਚੈਨਲਾਂ ਵਾਲੇ ਟਰਾਂਜ਼ਿਸਟਰ ਹਨ।

IBM ਦੇ ਨਾਲ ਗਠਜੋੜ ਦੇ ਹਿੱਸੇ ਵਜੋਂ, ਸੈਮਸੰਗ ਨੇ ਪੂਰੀ ਤਰ੍ਹਾਂ ਗੇਟਾਂ (GAA ਜਾਂ ਗੇਟ-ਆਲ-ਆਰਾਉਂਡ) ਨਾਲ ਘਿਰੇ ਚੈਨਲਾਂ ਦੇ ਨਾਲ ਟਰਾਂਜ਼ਿਸਟਰਾਂ ਦੇ ਉਤਪਾਦਨ ਲਈ ਇੱਕ ਥੋੜੀ ਵੱਖਰੀ ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਵਿਕਸਿਤ ਕੀਤੀ। ਚੈਨਲਾਂ ਨੂੰ ਨੈਨੋਵਾਇਰਸ ਦੇ ਰੂਪ ਵਿੱਚ ਪਤਲਾ ਬਣਾਇਆ ਜਾਣਾ ਚਾਹੀਦਾ ਸੀ. ਇਸ ਤੋਂ ਬਾਅਦ, ਸੈਮਸੰਗ ਇਸ ਸਕੀਮ ਤੋਂ ਦੂਰ ਚਲੀ ਗਈ ਅਤੇ ਨੈਨੋਪੇਜਾਂ ਦੇ ਰੂਪ ਵਿੱਚ ਚੈਨਲਾਂ ਦੇ ਨਾਲ ਇੱਕ ਟਰਾਂਜ਼ਿਸਟਰ ਢਾਂਚੇ ਨੂੰ ਪੇਟੈਂਟ ਕੀਤਾ। ਇਹ ਢਾਂਚਾ ਤੁਹਾਨੂੰ ਪੰਨਿਆਂ ਦੀ ਗਿਣਤੀ (ਚੈਨਲ) ਅਤੇ ਪੰਨਿਆਂ ਦੀ ਚੌੜਾਈ ਨੂੰ ਵਿਵਸਥਿਤ ਕਰਕੇ ਟਰਾਂਜ਼ਿਸਟਰਾਂ ਦੀਆਂ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਨੂੰ ਨਿਯੰਤਰਿਤ ਕਰਨ ਦੀ ਇਜਾਜ਼ਤ ਦਿੰਦਾ ਹੈ। ਕਲਾਸੀਕਲ FET ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਲਈ, ਅਜਿਹੀ ਚਾਲ ਅਸੰਭਵ ਹੈ. ਇੱਕ FinFET ਟਰਾਂਜ਼ਿਸਟਰ ਦੀ ਸ਼ਕਤੀ ਨੂੰ ਵਧਾਉਣ ਲਈ, ਸਬਸਟਰੇਟ 'ਤੇ FET ਫਿਨਾਂ ਦੀ ਗਿਣਤੀ ਨੂੰ ਗੁਣਾ ਕਰਨਾ ਜ਼ਰੂਰੀ ਹੈ, ਅਤੇ ਇਸ ਲਈ ਖੇਤਰ ਦੀ ਲੋੜ ਹੈ। MBCFET ਟਰਾਂਜ਼ਿਸਟਰ ਦੀਆਂ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਨੂੰ ਇੱਕ ਭੌਤਿਕ ਗੇਟ ਦੇ ਅੰਦਰ ਬਦਲਿਆ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ, ਜਿਸ ਲਈ ਤੁਹਾਨੂੰ ਚੈਨਲਾਂ ਦੀ ਚੌੜਾਈ ਅਤੇ ਉਹਨਾਂ ਦੀ ਸੰਖਿਆ ਨੂੰ ਸੈੱਟ ਕਰਨ ਦੀ ਲੋੜ ਹੈ।

GAA ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਦੇ ਹੋਏ ਉਤਪਾਦਨ ਲਈ ਇੱਕ ਪ੍ਰੋਟੋਟਾਈਪ ਚਿੱਪ ਦੇ ਇੱਕ ਡਿਜੀਟਲ ਡਿਜ਼ਾਈਨ (ਟੇਪ ਆਊਟ) ਦੀ ਉਪਲਬਧਤਾ ਨੇ ਸੈਮਸੰਗ ਨੂੰ MBCFET ਟਰਾਂਜ਼ਿਸਟਰਾਂ ਦੀਆਂ ਸਮਰੱਥਾਵਾਂ ਦੀਆਂ ਸੀਮਾਵਾਂ ਨਿਰਧਾਰਤ ਕਰਨ ਦੀ ਇਜਾਜ਼ਤ ਦਿੱਤੀ। ਇਹ ਧਿਆਨ ਵਿੱਚ ਰੱਖਣਾ ਚਾਹੀਦਾ ਹੈ ਕਿ ਇਹ ਅਜੇ ਵੀ ਕੰਪਿਊਟਰ ਮਾਡਲਿੰਗ ਡੇਟਾ ਹੈ ਅਤੇ ਨਵੀਂ ਤਕਨੀਕੀ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਦਾ ਨਿਰਣਾ ਉਦੋਂ ਹੀ ਕੀਤਾ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ ਜਦੋਂ ਇਸਨੂੰ ਵੱਡੇ ਪੱਧਰ 'ਤੇ ਉਤਪਾਦਨ ਵਿੱਚ ਲਾਂਚ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ। ਹਾਲਾਂਕਿ, ਇੱਕ ਸ਼ੁਰੂਆਤੀ ਬਿੰਦੂ ਹੈ. ਕੰਪਨੀ ਨੇ ਕਿਹਾ ਕਿ 7nm ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ (ਸਪੱਸ਼ਟ ਤੌਰ 'ਤੇ ਪਹਿਲੀ ਪੀੜ੍ਹੀ) ਤੋਂ GAA ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਵਿੱਚ ਤਬਦੀਲੀ ਡਾਈ ਏਰੀਆ ਵਿੱਚ 45% ਅਤੇ ਖਪਤ ਵਿੱਚ 50% ਦੀ ਕਮੀ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰੇਗੀ। ਜੇਕਰ ਤੁਸੀਂ ਖਪਤ 'ਤੇ ਬੱਚਤ ਨਹੀਂ ਕਰਦੇ, ਤਾਂ ਉਤਪਾਦਕਤਾ 35% ਤੱਕ ਵਧ ਸਕਦੀ ਹੈ। ਪਹਿਲਾਂ, ਸੈਮਸੰਗ ਨੇ 3nm ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ 'ਤੇ ਜਾਣ ਵੇਲੇ ਬਚਤ ਅਤੇ ਉਤਪਾਦਕਤਾ ਦੇ ਲਾਭ ਦੇਖੇ ਸਨ ਸੂਚੀਬੱਧ ਕਾਮਿਆਂ ਨਾਲ ਵੱਖ ਕੀਤਾ। ਇਹ ਪਤਾ ਚਲਿਆ ਕਿ ਇਹ ਇੱਕ ਜਾਂ ਦੂਜਾ ਸੀ.

ਕੰਪਨੀ ਸੁਤੰਤਰ ਚਿੱਪ ਡਿਵੈਲਪਰਾਂ ਅਤੇ ਫੈਬਲੈਸ ਕੰਪਨੀਆਂ ਲਈ ਇੱਕ ਜਨਤਕ ਕਲਾਉਡ ਪਲੇਟਫਾਰਮ ਦੀ ਤਿਆਰੀ ਨੂੰ 3nm ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਨੂੰ ਪ੍ਰਸਿੱਧ ਬਣਾਉਣ ਵਿੱਚ ਇੱਕ ਮਹੱਤਵਪੂਰਨ ਨੁਕਤਾ ਮੰਨਦੀ ਹੈ। ਸੈਮਸੰਗ ਨੇ ਉਤਪਾਦਨ ਸਰਵਰਾਂ 'ਤੇ ਵਿਕਾਸ ਵਾਤਾਵਰਣ, ਪ੍ਰੋਜੈਕਟ ਤਸਦੀਕ ਅਤੇ ਲਾਇਬ੍ਰੇਰੀਆਂ ਨੂੰ ਨਹੀਂ ਲੁਕਾਇਆ। SAFE (Samsung Advanced Foundry Ecosystem Cloud) ਪਲੇਟਫਾਰਮ ਦੁਨੀਆ ਭਰ ਦੇ ਡਿਜ਼ਾਈਨਰਾਂ ਲਈ ਉਪਲਬਧ ਹੋਵੇਗਾ। SAFE ਕਲਾਉਡ ਪਲੇਟਫਾਰਮ ਐਮਾਜ਼ਾਨ ਵੈੱਬ ਸਰਵਿਸਿਜ਼ (AWS) ਅਤੇ Microsoft Azure ਵਰਗੀਆਂ ਪ੍ਰਮੁੱਖ ਜਨਤਕ ਕਲਾਉਡ ਸੇਵਾਵਾਂ ਦੀ ਭਾਗੀਦਾਰੀ ਨਾਲ ਬਣਾਇਆ ਗਿਆ ਸੀ। Cadence ਅਤੇ Synopsys ਤੋਂ ਡਿਜ਼ਾਈਨ ਪ੍ਰਣਾਲੀਆਂ ਦੇ ਡਿਵੈਲਪਰਾਂ ਨੇ SAFE ਦੇ ਅੰਦਰ ਆਪਣੇ ਡਿਜ਼ਾਈਨ ਟੂਲ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕੀਤੇ। ਇਹ ਸੈਮਸੰਗ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆਵਾਂ ਲਈ ਨਵੇਂ ਹੱਲ ਬਣਾਉਣਾ ਆਸਾਨ ਅਤੇ ਸਸਤਾ ਬਣਾਉਣ ਦਾ ਵਾਅਦਾ ਕਰਦਾ ਹੈ।

ਸੈਮਸੰਗ ਦੀ 3nm ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਤਕਨਾਲੋਜੀ 'ਤੇ ਵਾਪਸ ਆਉਂਦੇ ਹੋਏ, ਆਓ ਇਹ ਜੋੜੀਏ ਕਿ ਕੰਪਨੀ ਨੇ ਆਪਣੇ ਚਿੱਪ ਵਿਕਾਸ ਪੈਕੇਜ ਦਾ ਪਹਿਲਾ ਸੰਸਕਰਣ ਪੇਸ਼ ਕੀਤਾ - 3nm GAE PDK ਸੰਸਕਰਣ 0.1. ਇਸਦੀ ਮਦਦ ਨਾਲ, ਤੁਸੀਂ ਅੱਜ ਹੀ 3nm ਹੱਲ ਤਿਆਰ ਕਰਨਾ ਸ਼ੁਰੂ ਕਰ ਸਕਦੇ ਹੋ, ਜਾਂ ਘੱਟੋ-ਘੱਟ ਇਸ ਸੈਮਸੰਗ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਨੂੰ ਪੂਰਾ ਕਰਨ ਲਈ ਤਿਆਰ ਹੋ ਸਕਦੇ ਹੋ ਜਦੋਂ ਇਹ ਵਿਆਪਕ ਹੋ ਜਾਂਦੀ ਹੈ।

ਸੈਮਸੰਗ ਹੇਠ ਲਿਖੇ ਅਨੁਸਾਰ ਆਪਣੀਆਂ ਭਵਿੱਖ ਦੀਆਂ ਯੋਜਨਾਵਾਂ ਦਾ ਐਲਾਨ ਕਰਦਾ ਹੈ। ਇਸ ਸਾਲ ਦੇ ਦੂਜੇ ਅੱਧ ਵਿੱਚ, 6nm ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਦੇ ਹੋਏ ਚਿਪਸ ਦਾ ਵੱਡੇ ਪੱਧਰ 'ਤੇ ਉਤਪਾਦਨ ਸ਼ੁਰੂ ਕੀਤਾ ਜਾਵੇਗਾ। ਇਸ ਦੇ ਨਾਲ ਹੀ, 4nm ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਦੇ ਵਿਕਾਸ ਨੂੰ ਪੂਰਾ ਕੀਤਾ ਜਾਵੇਗਾ. 5nm ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਦੇ ਹੋਏ ਪਹਿਲੇ ਸੈਮਸੰਗ ਉਤਪਾਦਾਂ ਦਾ ਵਿਕਾਸ ਇਸ ਗਿਰਾਵਟ ਵਿੱਚ ਪੂਰਾ ਹੋ ਜਾਵੇਗਾ, ਅਗਲੇ ਸਾਲ ਦੇ ਪਹਿਲੇ ਅੱਧ ਵਿੱਚ ਉਤਪਾਦਨ ਸ਼ੁਰੂ ਹੋਣ ਦੇ ਨਾਲ। ਨਾਲ ਹੀ, ਇਸ ਸਾਲ ਦੇ ਅੰਤ ਤੱਕ, ਸੈਮਸੰਗ 18FDS ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਤਕਨਾਲੋਜੀ (FD-SOI ਵੇਫਰਾਂ 'ਤੇ 18 nm) ਅਤੇ 1-Gbit eMRAM ਚਿਪਸ ਦੇ ਵਿਕਾਸ ਨੂੰ ਪੂਰਾ ਕਰੇਗਾ। 7 nm ਤੋਂ 3 nm ਤੱਕ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਤਕਨੀਕਾਂ EUV ਸਕੈਨਰਾਂ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਵਧਦੀ ਤੀਬਰਤਾ ਨਾਲ ਕਰਨਗੀਆਂ, ਹਰ ਨੈਨੋਮੀਟਰ ਦੀ ਗਿਣਤੀ ਬਣਾਉਂਦੀਆਂ ਹਨ। ਅਗਾਂਹ ਵੀ ਉਤਰਦੇ ਹੀ ਹਰ ਕਦਮ ਲੜਾਈ ਨਾਲ ਉਠਾਇਆ ਜਾਵੇਗਾ।

ਸਰੋਤ: 3dnews.ru