ਜੇ ਤੁਹਾਡੇ ਕੋਲ ਲੈਪਟਾਪ ਹੈ ਤਾਂ ਹੀਟਿੰਗ ਪੈਡ ਕਿਉਂ: ਪਰਮਾਣੂ ਪੱਧਰ 'ਤੇ ਥਰਮਲ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਦਾ ਅਧਿਐਨ

ਦੁਨੀਆ ਭਰ ਦੇ ਬਹੁਤ ਸਾਰੇ ਗੇਮਰ ਜਿਨ੍ਹਾਂ ਨੇ Xbox 360 ਯੁੱਗ ਦਾ ਅਨੁਭਵ ਕੀਤਾ ਹੈ ਉਹ ਸਥਿਤੀ ਤੋਂ ਬਹੁਤ ਜਾਣੂ ਹਨ ਜਦੋਂ ਉਨ੍ਹਾਂ ਦਾ ਕੰਸੋਲ ਇੱਕ ਤਲ਼ਣ ਵਾਲੇ ਪੈਨ ਵਿੱਚ ਬਦਲ ਗਿਆ ਜਿਸ 'ਤੇ ਉਹ ਅੰਡੇ ਫ੍ਰਾਈ ਕਰ ਸਕਦੇ ਸਨ। ਅਜਿਹੀ ਹੀ ਉਦਾਸ ਸਥਿਤੀ ਨਾ ਸਿਰਫ਼ ਗੇਮ ਕੰਸੋਲ ਨਾਲ ਹੁੰਦੀ ਹੈ, ਸਗੋਂ ਫ਼ੋਨਾਂ, ਲੈਪਟਾਪਾਂ, ਟੈਬਲੇਟਾਂ ਅਤੇ ਹੋਰ ਬਹੁਤ ਕੁਝ ਨਾਲ ਵੀ ਹੁੰਦੀ ਹੈ। ਸਿਧਾਂਤਕ ਤੌਰ 'ਤੇ, ਲਗਭਗ ਕੋਈ ਵੀ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਡਿਵਾਈਸ ਥਰਮਲ ਸਦਮੇ ਦਾ ਅਨੁਭਵ ਕਰ ਸਕਦੀ ਹੈ, ਜੋ ਨਾ ਸਿਰਫ ਇਸਦੀ ਅਸਫਲਤਾ ਅਤੇ ਇਸਦੇ ਮਾਲਕ ਦੀ ਪਰੇਸ਼ਾਨੀ ਦਾ ਕਾਰਨ ਬਣ ਸਕਦੀ ਹੈ, ਬਲਕਿ ਬੈਟਰੀ ਦੇ "ਬੁਰੇ ਬੂਮ" ਅਤੇ ਗੰਭੀਰ ਸੱਟ ਦਾ ਕਾਰਨ ਵੀ ਬਣ ਸਕਦੀ ਹੈ. ਅੱਜ ਅਸੀਂ ਇੱਕ ਅਧਿਐਨ ਤੋਂ ਜਾਣੂ ਹੋਵਾਂਗੇ ਜਿਸ ਵਿੱਚ ਸਟੈਨਫੋਰਡ ਯੂਨੀਵਰਸਿਟੀ ਦੇ ਵਿਗਿਆਨੀਆਂ ਨੇ ਕਾਮਿਕਸ ਦੇ ਨਿਕ ਫਿਊਰੀ ਵਾਂਗ, ਇੱਕ ਢਾਲ ਬਣਾਈ ਹੈ ਜੋ ਗਰਮੀ-ਸੰਵੇਦਨਸ਼ੀਲ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਹਿੱਸਿਆਂ ਨੂੰ ਓਵਰਹੀਟਿੰਗ ਤੋਂ ਬਚਾਉਂਦੀ ਹੈ ਅਤੇ ਨਤੀਜੇ ਵਜੋਂ, ਉਹਨਾਂ ਦੇ ਟੁੱਟਣ ਨੂੰ ਰੋਕਦੀ ਹੈ। ਵਿਗਿਆਨੀਆਂ ਨੇ ਥਰਮਲ ਸ਼ੀਲਡ ਬਣਾਉਣ ਦਾ ਪ੍ਰਬੰਧ ਕਿਵੇਂ ਕੀਤਾ, ਇਸਦੇ ਮੁੱਖ ਭਾਗ ਕੀ ਹਨ ਅਤੇ ਇਹ ਕਿੰਨਾ ਪ੍ਰਭਾਵਸ਼ਾਲੀ ਹੈ? ਅਸੀਂ ਖੋਜ ਸਮੂਹ ਦੀ ਰਿਪੋਰਟ ਤੋਂ ਇਸ ਬਾਰੇ ਅਤੇ ਹੋਰ ਬਹੁਤ ਕੁਝ ਸਿੱਖਦੇ ਹਾਂ। ਜਾਣਾ.

ਖੋਜ ਆਧਾਰ

ਓਵਰਹੀਟਿੰਗ ਦੀ ਸਮੱਸਿਆ ਬਹੁਤ ਲੰਬੇ ਸਮੇਂ ਤੋਂ ਜਾਣੀ ਜਾਂਦੀ ਹੈ, ਅਤੇ ਵਿਗਿਆਨੀ ਇਸ ਨੂੰ ਕਈ ਤਰੀਕਿਆਂ ਨਾਲ ਹੱਲ ਕਰਦੇ ਹਨ. ਕੁਝ ਸਭ ਤੋਂ ਵੱਧ ਪ੍ਰਸਿੱਧ ਹਨ ਕੱਚ, ਪਲਾਸਟਿਕ ਅਤੇ ਹਵਾ ਦੀਆਂ ਪਰਤਾਂ ਦੀ ਵਰਤੋਂ, ਜੋ ਕਿ ਥਰਮਲ ਰੇਡੀਏਸ਼ਨ ਦੇ ਇੱਕ ਕਿਸਮ ਦੇ ਇੰਸੂਲੇਟਰਾਂ ਵਜੋਂ ਕੰਮ ਕਰਦੇ ਹਨ। ਆਧੁਨਿਕ ਹਕੀਕਤਾਂ ਵਿੱਚ, ਇਸ ਵਿਧੀ ਨੂੰ ਥਰਮਲ ਇਨਸੂਲੇਸ਼ਨ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਨੂੰ ਗੁਆਏ ਬਿਨਾਂ ਕਈ ਪਰਮਾਣੂਆਂ ਤੱਕ ਸੁਰੱਖਿਆ ਪਰਤ ਦੀ ਮੋਟਾਈ ਨੂੰ ਘਟਾ ਕੇ ਸੁਧਾਰਿਆ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ। ਖੋਜਕਰਤਾਵਾਂ ਨੇ ਬਿਲਕੁਲ ਇਹੀ ਕੀਤਾ।

ਅਸੀਂ, ਬੇਸ਼ਕ, ਨੈਨੋਮੈਟਰੀਅਲਜ਼ ਬਾਰੇ ਗੱਲ ਕਰ ਰਹੇ ਹਾਂ. ਹਾਲਾਂਕਿ, ਥਰਮਲ ਇਨਸੂਲੇਸ਼ਨ ਵਿੱਚ ਉਹਨਾਂ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਪਹਿਲਾਂ ਇਸ ਤੱਥ ਦੁਆਰਾ ਗੁੰਝਲਦਾਰ ਸੀ ਕਿ ਕੂਲੈਂਟਸ ਦੀ ਤਰੰਗ ਲੰਬਾਈ (ਫੋਨੋਨ*) ਇਲੈਕਟ੍ਰੌਨਾਂ ਜਾਂ ਫੋਟੌਨਾਂ ਨਾਲੋਂ ਕਾਫ਼ੀ ਛੋਟਾ ਹੈ।

ਫੋਨੋਨ* - ਇੱਕ ਕਵਾਸੀਪਾਰਟੀਕਲ, ਜੋ ਕਿ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਪਰਮਾਣੂਆਂ ਦੀ ਵਾਈਬ੍ਰੇਸ਼ਨਲ ਗਤੀ ਦੀ ਇੱਕ ਮਾਤਰਾ ਹੈ।

ਇਸ ਤੋਂ ਇਲਾਵਾ, ਫੋਨਾਂ ਦੀ ਬੋਸੋਨਿਕ ਪ੍ਰਕਿਰਤੀ ਦੇ ਕਾਰਨ, ਉਹਨਾਂ ਨੂੰ ਵੋਲਟੇਜ ਦੁਆਰਾ ਨਿਯੰਤਰਿਤ ਕਰਨਾ ਅਸੰਭਵ ਹੈ (ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਚਾਰਜ ਕੈਰੀਅਰਾਂ ਨਾਲ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ), ਜੋ ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ ਠੋਸ ਪਦਾਰਥਾਂ ਵਿੱਚ ਤਾਪ ਟ੍ਰਾਂਸਫਰ ਨੂੰ ਨਿਯੰਤਰਿਤ ਕਰਨਾ ਮੁਸ਼ਕਲ ਬਣਾਉਂਦਾ ਹੈ।

ਪਹਿਲਾਂ, ਠੋਸ ਪਦਾਰਥਾਂ ਦੀਆਂ ਥਰਮਲ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ, ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਖੋਜਕਰਤਾ ਸਾਨੂੰ ਯਾਦ ਦਿਵਾਉਂਦੇ ਹਨ, ਨੈਨੋਲਾਮੀਨੇਟ ਫਿਲਮਾਂ ਅਤੇ ਉੱਚ ਘਣਤਾ ਵਾਲੇ ਇੰਟਰਫੇਸਾਂ ਦੇ ਕਾਰਨ, ਜਾਂ ਮਜ਼ਬੂਤ ​​ਫੋਨੋਨ ਸਕੈਟਰਿੰਗ ਦੇ ਕਾਰਨ ਸਿਲੀਕਾਨ ਅਤੇ ਜਰਨੀਅਮ ਨੈਨੋਵਾਇਰਸ ਦੁਆਰਾ ਨਿਯੰਤਰਿਤ ਕੀਤੇ ਗਏ ਸਨ।

ਉੱਪਰ ਦੱਸੇ ਗਏ ਕਈ ਥਰਮਲ ਇਨਸੂਲੇਸ਼ਨ ਤਰੀਕਿਆਂ ਲਈ, ਵਿਗਿਆਨੀ ਭਰੋਸੇ ਨਾਲ ਦੋ-ਅਯਾਮੀ ਸਮੱਗਰੀਆਂ ਨੂੰ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾ ਦੇਣ ਲਈ ਤਿਆਰ ਹਨ, ਜਿਨ੍ਹਾਂ ਦੀ ਮੋਟਾਈ ਕਈ ਪਰਮਾਣੂਆਂ ਤੋਂ ਵੱਧ ਨਹੀਂ ਹੈ, ਜੋ ਉਹਨਾਂ ਨੂੰ ਪਰਮਾਣੂ ਪੈਮਾਨੇ 'ਤੇ ਨਿਯੰਤਰਣ ਕਰਨਾ ਆਸਾਨ ਬਣਾਉਂਦੀ ਹੈ। ਉਹਨਾਂ ਨੇ ਆਪਣੇ ਅਧਿਐਨ ਵਿੱਚ ਵਰਤਿਆ ਵੈਨ ਡੇਰ ਵਾਲਸ (vdW) ਪਰਮਾਣੂ ਤੌਰ 'ਤੇ ਪਤਲੀਆਂ 2D ਲੇਅਰਾਂ ਦੀ ਅਸੈਂਬਲੀ ਉਹਨਾਂ ਦੇ ਹੈਟਰੋਸਟ੍ਰਕਚਰ ਦੌਰਾਨ ਬਹੁਤ ਉੱਚ ਥਰਮਲ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਨੂੰ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਨ ਲਈ।

ਵੈਨ ਡੇਰ ਵਾਲਜ਼ ਬਲ* — 10-20 kJ/mol ਦੀ ਊਰਜਾ ਨਾਲ ਅੰਤਰ-ਆਣੂ/ਅੰਤਰ-ਪਰਮਾਣੂ ਪਰਸਪਰ ਕਿਰਿਆ ਬਲ।

ਨਵੀਂ ਤਕਨੀਕ ਨੇ 2 nm ਮੋਟੀ SiO2 (ਸਿਲਿਕਨ ਡਾਈਆਕਸਾਈਡ) ਪਰਤ ਦੇ ਮੁਕਾਬਲੇ 300 nm ਮੋਟੀ vdW heterostructure ਵਿੱਚ ਥਰਮਲ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਨਾ ਸੰਭਵ ਬਣਾਇਆ ਹੈ।

ਇਸ ਤੋਂ ਇਲਾਵਾ, vdW heterostructures ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਨੇ ਵੱਖ-ਵੱਖ ਪਰਮਾਣੂ ਪੁੰਜ ਘਣਤਾ ਅਤੇ ਵਾਈਬ੍ਰੇਸ਼ਨਲ ਮੋਡਾਂ ਦੇ ਨਾਲ ਵਿਭਿੰਨ XNUMXD ਮੋਨੋਲੇਇਰਾਂ ਦੀ ਲੇਅਰਿੰਗ ਦੁਆਰਾ ਪਰਮਾਣੂ ਪੱਧਰ 'ਤੇ ਥਰਮਲ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ 'ਤੇ ਨਿਯੰਤਰਣ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਨਾ ਸੰਭਵ ਬਣਾਇਆ ਹੈ।

ਇਸ ਲਈ, ਆਓ ਬਿੱਲੀ ਦੇ ਮੂਹ ਨੂੰ ਨਾ ਖਿੱਚੀਏ ਅਤੇ ਇਸ ਸ਼ਾਨਦਾਰ ਖੋਜ ਦੇ ਨਤੀਜਿਆਂ 'ਤੇ ਵਿਚਾਰ ਕਰਨਾ ਸ਼ੁਰੂ ਕਰੀਏ.

ਖੋਜ ਨਤੀਜੇ

ਸਭ ਤੋਂ ਪਹਿਲਾਂ, ਆਓ ਅਸੀਂ ਇਸ ਅਧਿਐਨ ਵਿੱਚ ਵਰਤੇ ਗਏ vdW heterostructures ਦੀਆਂ ਮਾਈਕਰੋਸਟ੍ਰਕਚਰਲ ਅਤੇ ਆਪਟੀਕਲ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਤੋਂ ਜਾਣੂ ਕਰੀਏ।

ਚਿੱਤਰ #1

ਚਿੱਤਰ 'ਤੇ 1 ਏ ਚਾਰ-ਲੇਅਰ ਹੇਟਰੋਸਟ੍ਰਕਚਰ ਦਾ ਇੱਕ ਕਰਾਸ-ਸੈਕਸ਼ਨਲ ਡਾਇਗ੍ਰਾਮ ਦਿਖਾਉਂਦਾ ਹੈ ਜਿਸ ਵਿੱਚ (ਉੱਪਰ ਤੋਂ ਹੇਠਾਂ ਤੱਕ): ਗ੍ਰਾਫੀਨ (Gr), MoSe2, MoS2, WSe22 ਅਤੇ ਇੱਕ SiO2/Si ਸਬਸਟਰੇਟ ਹੁੰਦੇ ਹਨ। ਸਾਰੀਆਂ ਲੇਅਰਾਂ ਨੂੰ ਇੱਕੋ ਸਮੇਂ ਸਕੈਨ ਕਰਨ ਲਈ, ਵਰਤੋਂ ਰਮਨ ਲੇਜ਼ਰ* 532 nm ਦੀ ਤਰੰਗ ਲੰਬਾਈ ਦੇ ਨਾਲ।

ਰਮਨ ਲੇਜ਼ਰ* - ਲੇਜ਼ਰ ਦੀ ਇੱਕ ਕਿਸਮ ਜਿਸ ਵਿੱਚ ਰੋਸ਼ਨੀ ਵਧਾਉਣ ਦੀ ਮੁੱਖ ਵਿਧੀ ਰਮਨ ਸਕੈਟਰਿੰਗ ਹੈ।

ਰਮਨ ਖਿਲਾਰ ਰਿਹਾ ਹੈ, ਬਦਲੇ ਵਿੱਚ, ਇੱਕ ਪਦਾਰਥ ਦੇ ਅਣੂਆਂ ਉੱਤੇ ਆਪਟੀਕਲ ਰੇਡੀਏਸ਼ਨ ਦਾ ਅਸਥਿਰ ਖਿੰਡਾਅ ਹੁੰਦਾ ਹੈ, ਜੋ ਕਿ ਰੇਡੀਏਸ਼ਨ ਦੀ ਬਾਰੰਬਾਰਤਾ ਵਿੱਚ ਇੱਕ ਮਹੱਤਵਪੂਰਨ ਤਬਦੀਲੀ ਦੇ ਨਾਲ ਹੁੰਦਾ ਹੈ।

ਹੇਟਰੋਸਟ੍ਰਕਚਰ ਦੀ ਮਾਈਕਰੋਸਟ੍ਰਕਚਰਲ, ਥਰਮਲ ਅਤੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੀਕਲ ਸਮਰੂਪਤਾ ਦੀ ਪੁਸ਼ਟੀ ਕਰਨ ਲਈ ਕਈ ਤਰੀਕਿਆਂ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕੀਤੀ ਗਈ ਸੀ: ਸਕੈਨਿੰਗ ਟਰਾਂਸਮਿਸ਼ਨ ਇਲੈਕਟ੍ਰੌਨ ਮਾਈਕ੍ਰੋਸਕੋਪੀ (STEM), ਫੋਟੋਲੂਮਿਨਸੈਂਸ ਸਪੈਕਟ੍ਰੋਸਕੋਪੀ (PL), ਕੈਲਵਿਨ ਪ੍ਰੋਬ ਮਾਈਕ੍ਰੋਸਕੋਪੀ (KPM), ਸਕੈਨਿੰਗ ਥਰਮਲ ਮਾਈਕ੍ਰੋਸਕੋਪੀ (SThM), ਅਤੇ ਨਾਲ ਹੀ ਰਮਨ ਅਤੇ ਰਮਨ ਅਤੇ ਸਪੈਕਟਰੋਸਕੋਪੀ। ਥਰਮਾਮੀਟਰੀ

ਚਿੱਤਰ ਨੂੰ ਚਿੱਤਰ 1b ਸਾਨੂੰ ਲਾਲ ਬਿੰਦੀ ਨਾਲ ਚਿੰਨ੍ਹਿਤ ਸਥਾਨ 'ਤੇ SiO2/Si ਸਬਸਟਰੇਟ 'ਤੇ Gr/MoSe2/MoS22/WSe2 ਹੈਟਰੋਸਟ੍ਰਕਚਰ ਦਾ ਰਮਨ ਸਪੈਕਟ੍ਰਮ ਦਿਖਾਉਂਦਾ ਹੈ। ਇਹ ਪਲਾਟ ਲੇਅਰ ਐਰੇ ਵਿੱਚ ਹਰੇਕ ਮੋਨੋਲਾਇਰ ਦੇ ਦਸਤਖਤ ਦੇ ਨਾਲ-ਨਾਲ ਸੀ ਸਬਸਟਰੇਟ ਦੇ ਦਸਤਖਤ ਨੂੰ ਦਰਸਾਉਂਦਾ ਹੈ।

'ਤੇ 1c-1f Gr/MoSe2/MoS2/WSe22 heterostructure ਦੇ ਹਨੇਰੇ-ਫੀਲਡ STEM ਚਿੱਤਰ ਦਿਖਾਏ ਗਏ ਹਨ (1c) ਅਤੇ Gr/MoS2/WSe22 heterostructures (1d-1f) ਵੱਖ-ਵੱਖ ਜਾਲੀ ਦਿਸ਼ਾਵਾਂ ਦੇ ਨਾਲ। STEM ਚਿੱਤਰ ਬਿਨਾਂ ਕਿਸੇ ਗੰਦਗੀ ਦੇ ਪ੍ਰਮਾਣੂ ਤੌਰ 'ਤੇ ਬੰਦ vdW ਗੈਪ ਦਿਖਾਉਂਦੇ ਹਨ, ਜਿਸ ਨਾਲ ਇਹਨਾਂ ਹੈਟਰੋਸਟ੍ਰਕਚਰ ਦੀ ਸਮੁੱਚੀ ਮੋਟਾਈ ਪੂਰੀ ਤਰ੍ਹਾਂ ਦਿਖਾਈ ਦਿੰਦੀ ਹੈ। ਫੋਟੋਲੁਮਿਨਿਸੈਂਸ (PL) ਸਪੈਕਟ੍ਰੋਸਕੋਪੀ (ਪੀਐਲ) ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਦੇ ਹੋਏ ਵੱਡੇ ਸਕੈਨਿੰਗ ਖੇਤਰਾਂ ਵਿੱਚ ਇੰਟਰਲੇਅਰ ਕਪਲਿੰਗ ਦੀ ਮੌਜੂਦਗੀ ਦੀ ਵੀ ਪੁਸ਼ਟੀ ਕੀਤੀ ਗਈ ਸੀ।1g). ਅਲੱਗ-ਥਲੱਗ ਮੋਨੋਲਾਇਰ ਦੇ ਸਿਗਨਲ ਦੀ ਤੁਲਨਾ ਵਿੱਚ ਹੇਟਰੋਸਟ੍ਰਕਚਰ ਦੇ ਅੰਦਰ ਵਿਅਕਤੀਗਤ ਪਰਤਾਂ ਦੇ ਫੋਟੋਲੂਮਿਨਸੈਂਟ ਸਿਗਨਲ ਨੂੰ ਕਾਫ਼ੀ ਹੱਦ ਤੱਕ ਦਬਾਇਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ। ਇਹ ਨਜ਼ਦੀਕੀ ਇੰਟਰਲੇਅਰ ਪਰਸਪਰ ਪ੍ਰਭਾਵ ਦੇ ਕਾਰਨ ਇੰਟਰਲੇਅਰ ਚਾਰਜ ਟ੍ਰਾਂਸਫਰ ਦੀ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਦੁਆਰਾ ਸਮਝਾਇਆ ਗਿਆ ਹੈ, ਜੋ ਐਨੀਲਿੰਗ ਤੋਂ ਬਾਅਦ ਹੋਰ ਵੀ ਮਜ਼ਬੂਤ ​​​​ਬਣ ਜਾਂਦਾ ਹੈ।

ਚਿੱਤਰ #2

ਹੇਟਰੋਸਟ੍ਰਕਚਰ ਦੇ ਪਰਮਾਣੂ ਤਲਾਂ ਦੇ ਲੰਬਵਤ ਤਾਪ ਦੇ ਪ੍ਰਵਾਹ ਨੂੰ ਮਾਪਣ ਲਈ, ਪਰਤਾਂ ਦੀ ਲੜੀ ਨੂੰ ਚਾਰ-ਪ੍ਰੋਬ ਇਲੈਕਟ੍ਰੀਕਲ ਯੰਤਰਾਂ ਦੇ ਰੂਪ ਵਿੱਚ ਬਣਾਇਆ ਗਿਆ ਸੀ। ਗ੍ਰਾਫੀਨ ਦੀ ਉਪਰਲੀ ਪਰਤ ਪੈਲੇਡੀਅਮ (ਪੀਡੀ) ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ ਨਾਲ ਸੰਪਰਕ ਕਰਦੀ ਹੈ ਅਤੇ ਰਮਨ ਥਰਮੋਮੈਟਰੀ ਮਾਪ ਲਈ ਇੱਕ ਹੀਟਰ ਵਜੋਂ ਵਰਤੀ ਜਾਂਦੀ ਹੈ।

ਇਹ ਇਲੈਕਟ੍ਰੀਕਲ ਹੀਟਿੰਗ ਵਿਧੀ ਇੰਪੁੱਟ ਪਾਵਰ ਦੀ ਸਹੀ ਮਾਤਰਾ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰਦੀ ਹੈ। ਇੱਕ ਹੋਰ ਸੰਭਾਵਿਤ ਹੀਟਿੰਗ ਵਿਧੀ, ਆਪਟੀਕਲ, ਵਿਅਕਤੀਗਤ ਪਰਤਾਂ ਦੇ ਸਮਾਈ ਗੁਣਾਂ ਦੀ ਅਣਦੇਖੀ ਦੇ ਕਾਰਨ ਲਾਗੂ ਕਰਨਾ ਵਧੇਰੇ ਮੁਸ਼ਕਲ ਹੋਵੇਗਾ।

'ਤੇ 2 ਏ ਇੱਕ ਚਾਰ-ਪੜਤਾਲ ਮਾਪ ਸਰਕਟ ਦਿਖਾਉਂਦਾ ਹੈ, ਅਤੇ 2b ਜਾਂਚ ਕੀਤੀ ਜਾ ਰਹੀ ਬਣਤਰ ਦਾ ਸਿਖਰ ਦ੍ਰਿਸ਼ ਦਿਖਾਉਂਦਾ ਹੈ। ਸਮਾਸੂਚੀ, ਕਾਰਜ - ਕ੍ਰਮ 2c ਤਿੰਨ ਡਿਵਾਈਸਾਂ ਲਈ ਮਾਪਿਆ ਗਿਆ ਤਾਪ ਟ੍ਰਾਂਸਫਰ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਦਿਖਾਉਂਦਾ ਹੈ, ਇੱਕ ਵਿੱਚ ਸਿਰਫ ਗ੍ਰਾਫੀਨ ਅਤੇ ਦੋ ਵਿੱਚ Gr/WSe22 ਅਤੇ Gr/MoSe2/WSe22 ਲੇਅਰ ਐਰੇ ਹਨ। ਸਾਰੇ ਰੂਪ ਗ੍ਰਾਫੀਨ ਦੇ ਅੰਬੀਪੋਲਰ ਵਿਵਹਾਰ ਨੂੰ ਦਰਸਾਉਂਦੇ ਹਨ, ਜੋ ਕਿ ਇੱਕ ਬੈਂਡ ਗੈਪ ਦੀ ਅਣਹੋਂਦ ਨਾਲ ਜੁੜਿਆ ਹੋਇਆ ਹੈ।

ਇਹ ਵੀ ਪਾਇਆ ਗਿਆ ਕਿ ਵਰਤਮਾਨ ਸੰਚਾਲਨ ਅਤੇ ਤਾਪ ਉਪਰਲੀ ਪਰਤ (ਗ੍ਰਾਫੀਨ ਵਿੱਚ) ਵਿੱਚ ਵਾਪਰਦਾ ਹੈ, ਕਿਉਂਕਿ ਇਸਦੀ ਬਿਜਲਈ ਚਾਲਕਤਾ MoS2 ਅਤੇ WSe22 ਤੋਂ ਵੱਧ ਤੀਬਰਤਾ ਦੇ ਕਈ ਆਰਡਰ ਹੈ।

ਟੈਸਟ ਕੀਤੇ ਗਏ ਯੰਤਰਾਂ ਦੀ ਸਮਰੂਪਤਾ ਨੂੰ ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਿਤ ਕਰਨ ਲਈ, ਕੇਲਵਿਨ ਪ੍ਰੋਬ ਮਾਈਕ੍ਰੋਸਕੋਪੀ (ਕੇਪੀਐਮ) ਅਤੇ ਸਕੈਨਿੰਗ ਥਰਮਲ ਮਾਈਕ੍ਰੋਸਕੋਪੀ (SThM) ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਕੇ ਮਾਪ ਲਏ ਗਏ ਸਨ। ਚਾਰਟ 'ਤੇ 2d KPM ਮਾਪ ਲੀਨੀਅਰ ਸੰਭਾਵੀ ਵੰਡ ਨੂੰ ਦਰਸਾਉਂਦੇ ਹੋਏ ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਿਤ ਕੀਤੇ ਜਾਂਦੇ ਹਨ। SThM ਵਿਸ਼ਲੇਸ਼ਣ ਦੇ ਨਤੀਜੇ ਇਸ ਵਿੱਚ ਦਿਖਾਏ ਗਏ ਹਨ 2. ਇੱਥੇ ਅਸੀਂ ਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਤੌਰ 'ਤੇ ਗਰਮ ਕੀਤੇ Gr/MoS2/WSe22 ਚੈਨਲਾਂ ਦਾ ਨਕਸ਼ਾ ਦੇਖਦੇ ਹਾਂ, ਅਤੇ ਨਾਲ ਹੀ ਸਤਹ ਹੀਟਿੰਗ ਵਿੱਚ ਇਕਸਾਰਤਾ ਦੀ ਮੌਜੂਦਗੀ।

ਉੱਪਰ ਵਰਣਿਤ ਸਕੈਨਿੰਗ ਤਕਨੀਕਾਂ, ਖਾਸ ਤੌਰ 'ਤੇ SThM, ਅਧਿਐਨ ਅਧੀਨ ਬਣਤਰ ਦੀ ਸਮਰੂਪਤਾ ਦੀ ਪੁਸ਼ਟੀ ਕਰਦੀਆਂ ਹਨ, ਯਾਨੀ ਤਾਪਮਾਨ ਦੇ ਮਾਮਲੇ ਵਿੱਚ ਇਸਦੀ ਸਮਰੂਪਤਾ। ਅਗਲਾ ਕਦਮ ਰਮਨ ਸਪੈਕਟ੍ਰੋਸਕੋਪੀ (ਅਰਥਾਤ, ਰਮਨ ਸਪੈਕਟ੍ਰੋਸਕੋਪੀ) ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਦੇ ਹੋਏ ਹਰੇਕ ਸੰਘਟਕ ਪਰਤ ਦੇ ਤਾਪਮਾਨ ਨੂੰ ਮਾਪਣਾ ਸੀ।

ਸਾਰੀਆਂ ਤਿੰਨ ਡਿਵਾਈਸਾਂ ਦੀ ਜਾਂਚ ਕੀਤੀ ਗਈ ਸੀ, ਹਰੇਕ ਦਾ ਖੇਤਰਫਲ ~ 40 µm2 ਸੀ। ਇਸ ਸਥਿਤੀ ਵਿੱਚ, ਹੀਟਰ ਦੀ ਸ਼ਕਤੀ 9 mW ਦੁਆਰਾ ਬਦਲ ਗਈ ਹੈ, ਅਤੇ ਸਮਾਈ ਹੋਈ ਲੇਜ਼ਰ ਪਾਵਰ ~5 μm0.5 ਦੇ ਲੇਜ਼ਰ ਸਪਾਟ ਖੇਤਰ ਦੇ ਨਾਲ ~2 μW ਤੋਂ ਘੱਟ ਸੀ।

ਚਿੱਤਰ #3

ਚਾਰਟ 'ਤੇ 3 ਏ Gr/MoS2/WSe22 heterostructure ਵਿੱਚ ਹੀਟਰ ਪਾਵਰ ਵਧਣ ਨਾਲ ਹਰੇਕ ਪਰਤ ਅਤੇ ਸਬਸਟਰੇਟ ਦੇ ਤਾਪਮਾਨ (∆T) ਵਿੱਚ ਵਾਧਾ ਦਿਖਾਈ ਦਿੰਦਾ ਹੈ।

ਹਰੇਕ ਸਮੱਗਰੀ (ਪਰਤ) ਲਈ ਲੀਨੀਅਰ ਫੰਕਸ਼ਨ ਦੀਆਂ ਢਲਾਣਾਂ ਵਿਅਕਤੀਗਤ ਪਰਤ ਅਤੇ ਹੀਟ ਸਿੰਕ ਦੇ ਵਿਚਕਾਰ ਥਰਮਲ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ (Rth=∆T/P) ਨੂੰ ਦਰਸਾਉਂਦੀਆਂ ਹਨ। ਖੇਤਰ ਦੇ ਉੱਪਰ ਹੀਟਿੰਗ ਦੀ ਇਕਸਾਰ ਵੰਡ ਦੇ ਮੱਦੇਨਜ਼ਰ, ਥਰਮਲ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧਾਂ ਦਾ ਹੇਠਾਂ ਤੋਂ ਉੱਪਰੀ ਪਰਤ ਤੱਕ ਆਸਾਨੀ ਨਾਲ ਵਿਸ਼ਲੇਸ਼ਣ ਕੀਤਾ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ, ਜਿਸ ਦੌਰਾਨ ਉਹਨਾਂ ਦੇ ਮੁੱਲ ਚੈਨਲ ਖੇਤਰ (WL) ਦੁਆਰਾ ਆਮ ਕੀਤੇ ਜਾਂਦੇ ਹਨ।

L ਅਤੇ W ਚੈਨਲ ਦੀ ਲੰਬਾਈ ਅਤੇ ਚੌੜਾਈ ਹਨ, ਜੋ ਕਿ SiO2 ਸਬਸਟਰੇਟ ਦੀ ਮੋਟਾਈ ਅਤੇ ਲੈਟਰਲ ਥਰਮਲ ਹੀਟਿੰਗ ਲੰਬਾਈ, ਜੋ ਕਿ ~0.1 μm ਹੈ, ਤੋਂ ਕਾਫ਼ੀ ਜ਼ਿਆਦਾ ਹਨ।

ਇਸ ਲਈ, ਅਸੀਂ ਸੀ ਸਬਸਟਰੇਟ ਦੇ ਥਰਮਲ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਲਈ ਫਾਰਮੂਲਾ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰ ਸਕਦੇ ਹਾਂ, ਜੋ ਇਸ ਤਰ੍ਹਾਂ ਦਿਖਾਈ ਦੇਵੇਗਾ:

Rth, Si ≈ (WL)1/2 / (2kਸੀ)

ਇਸ ਸਥਿਤੀ ਵਿੱਚ kSi ≈ 90 W m−1 K−1, ਜੋ ਕਿ ਅਜਿਹੇ ਬਹੁਤ ਜ਼ਿਆਦਾ ਡੋਪਡ ਸਬਸਟਰੇਟ ਦੀ ਸੰਭਾਵਿਤ ਥਰਮਲ ਚਾਲਕਤਾ ਹੈ।

Rth,WSe2 ਅਤੇ Rth,Si ਵਿਚਕਾਰ ਅੰਤਰ 2 nm ਮੋਟੀ SiO100 ਦੇ ਥਰਮਲ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਅਤੇ WSe2/SiO2 ਇੰਟਰਫੇਸ ਦੇ ਥਰਮਲ ਸੀਮਾ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ (TBR) ਦਾ ਜੋੜ ਹੈ।

ਉਪਰੋਕਤ ਸਾਰੇ ਪਹਿਲੂਆਂ ਨੂੰ ਇਕੱਠੇ ਰੱਖਦੇ ਹੋਏ, ਅਸੀਂ ਇਹ ਸਥਾਪਿਤ ਕਰ ਸਕਦੇ ਹਾਂ ਕਿ Rth,MoS2 − Rth,WSe2 = TBRMoS2/WSe2, ਅਤੇ Rth,Gr − Rth,MoS2 = TBRGr/MoS2। ਇਸ ਲਈ, ਗ੍ਰਾਫ ਤੋਂ 3 ਏ ਹਰੇਕ WSe2/SiO2, MoS2/WSe2 ਅਤੇ Gr/MoS2 ਇੰਟਰਫੇਸ ਲਈ TBR ਮੁੱਲ ਨੂੰ ਐਕਸਟਰੈਕਟ ਕਰਨਾ ਸੰਭਵ ਹੈ।

ਅੱਗੇ, ਵਿਗਿਆਨੀਆਂ ਨੇ ਰਮਨ ਸਪੈਕਟ੍ਰੋਸਕੋਪੀ ਅਤੇ ਥਰਮਲ ਮਾਈਕ੍ਰੋਸਕੋਪੀ (3b).

SiO2 'ਤੇ ਬਿਲੇਅਰ ਅਤੇ ਟ੍ਰਾਇਲੇਅਰ ਹੈਟਰੋਸਟ੍ਰਕਚਰ ਨੇ ਕਮਰੇ ਦੇ ਤਾਪਮਾਨ 'ਤੇ 220 ਤੋਂ 280 m2 K/GW ਦੀ ਰੇਂਜ ਵਿੱਚ ਪ੍ਰਭਾਵਸ਼ਾਲੀ ਥਰਮਲ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਿਤ ਕੀਤਾ, ਜੋ ਕਿ 2 ਤੋਂ 290 nm ਦੀ ਮੋਟਾਈ ਦੇ ਨਾਲ SiO360 ਦੇ ਥਰਮਲ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਦੇ ਬਰਾਬਰ ਹੈ। ਇਸ ਤੱਥ ਦੇ ਬਾਵਜੂਦ ਕਿ ਅਧਿਐਨ ਦੇ ਅਧੀਨ ਹੈਟਰੋਸਟ੍ਰਕਚਰ ਦੀ ਮੋਟਾਈ 2 nm ਤੋਂ ਵੱਧ ਨਹੀਂ ਹੈ (1d-1f), ਉਹਨਾਂ ਦੀ ਥਰਮਲ ਚਾਲਕਤਾ ਕਮਰੇ ਦੇ ਤਾਪਮਾਨ 'ਤੇ 0.007-0.009 W m−1 K−1 ਹੈ।

ਚਿੱਤਰ #4

ਚਿੱਤਰ 4 ਸਾਰੇ ਚਾਰ ਢਾਂਚੇ ਦੇ ਮਾਪ ਅਤੇ ਉਹਨਾਂ ਦੇ ਇੰਟਰਫੇਸ ਦੀ ਥਰਮਲ ਸੀਮਾ ਚਾਲਕਤਾ (ਟੀਬੀਸੀ) ਨੂੰ ਦਰਸਾਉਂਦਾ ਹੈ, ਜੋ ਸਾਨੂੰ ਪਹਿਲਾਂ ਮਾਪਿਆ ਗਿਆ ਥਰਮਲ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ (ਟੀਬੀਸੀ = 1 / ਟੀਬੀਆਰ) 'ਤੇ ਹਰੇਕ ਪਰਤ ਦੇ ਪ੍ਰਭਾਵ ਦੀ ਡਿਗਰੀ ਦਾ ਮੁਲਾਂਕਣ ਕਰਨ ਦੀ ਇਜਾਜ਼ਤ ਦਿੰਦਾ ਹੈ।

ਖੋਜਕਰਤਾ ਨੋਟ ਕਰਦੇ ਹਨ ਕਿ ਇਹ ਵੱਖਰੇ ਮੋਨੋਲੇਅਰਜ਼ (2D/2D), ਖਾਸ ਤੌਰ 'ਤੇ WSe2 ਅਤੇ SiO2 ਮੋਨੋਲੇਅਰਾਂ ਵਿਚਕਾਰ ਪਰਮਾਣੂ ਤੌਰ 'ਤੇ ਨਜ਼ਦੀਕੀ ਇੰਟਰਫੇਸਾਂ ਲਈ ਪਹਿਲੀ ਵਾਰ ਟੀਬੀਸੀ ਮਾਪ ਹੈ।

ਇੱਕ ਮੋਨੋਲੇਅਰ WSe2/SiO2 ਇੰਟਰਫੇਸ ਦਾ TBC ਇੱਕ ਮਲਟੀਲੇਅਰ WSe2/SiO2 ਇੰਟਰਫੇਸ ਨਾਲੋਂ ਘੱਟ ਹੈ, ਜੋ ਕਿ ਕੋਈ ਹੈਰਾਨੀ ਦੀ ਗੱਲ ਨਹੀਂ ਹੈ ਕਿਉਂਕਿ ਮੋਨੋਲੇਅਰ ਵਿੱਚ ਸੰਚਾਰ ਲਈ ਕਾਫ਼ੀ ਘੱਟ ਮੋੜਨ ਵਾਲੇ ਫੋਨੋਨ ਮੋਡ ਉਪਲਬਧ ਹਨ। ਸਾਦੇ ਸ਼ਬਦਾਂ ਵਿਚ, 2D ਲੇਅਰਾਂ ਦੇ ਵਿਚਕਾਰ ਇੰਟਰਫੇਸ ਦਾ ਟੀਬੀਸੀ 2D ਲੇਅਰ ਅਤੇ 3D SiO2 ਸਬਸਟਰੇਟ (4b).

ਅਧਿਐਨ ਦੀਆਂ ਬਾਰੀਕੀਆਂ ਨਾਲ ਵਧੇਰੇ ਵਿਸਤ੍ਰਿਤ ਜਾਣੂ ਹੋਣ ਲਈ, ਮੈਂ ਦੇਖਣ ਦੀ ਸਿਫਾਰਸ਼ ਕਰਦਾ ਹਾਂ ਵਿਗਿਆਨੀ ਰਿਪੋਰਟ и ਵਾਧੂ ਸਮੱਗਰੀ ਉਸ ਨੂੰ.

ਏਪੀਲਾਗ

ਇਹ ਖੋਜ, ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਵਿਗਿਆਨੀ ਖੁਦ ਦਾਅਵਾ ਕਰਦੇ ਹਨ, ਸਾਨੂੰ ਉਹ ਗਿਆਨ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰਦਾ ਹੈ ਜੋ ਪਰਮਾਣੂ ਥਰਮਲ ਇੰਟਰਫੇਸ ਨੂੰ ਲਾਗੂ ਕਰਨ ਵਿੱਚ ਲਾਗੂ ਕੀਤਾ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ। ਇਸ ਕੰਮ ਨੇ ਗਰਮੀ-ਇੰਸੂਲੇਟਿੰਗ ਮੈਟਾਮੈਟਰੀਅਲ ਬਣਾਉਣ ਦੀ ਸੰਭਾਵਨਾ ਦਿਖਾਈ ਹੈ ਜਿਨ੍ਹਾਂ ਦੀਆਂ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਕੁਦਰਤ ਵਿੱਚ ਨਹੀਂ ਮਿਲਦੀਆਂ ਹਨ। ਇਸ ਤੋਂ ਇਲਾਵਾ, ਅਧਿਐਨ ਨੇ ਪਰਤਾਂ ਦੇ ਪਰਮਾਣੂ ਪੈਮਾਨੇ ਦੇ ਬਾਵਜੂਦ, ਅਜਿਹੀਆਂ ਬਣਤਰਾਂ ਦੇ ਸਹੀ ਤਾਪਮਾਨ ਮਾਪਾਂ ਨੂੰ ਪੂਰਾ ਕਰਨ ਦੀ ਸੰਭਾਵਨਾ ਦੀ ਪੁਸ਼ਟੀ ਕੀਤੀ।

ਉੱਪਰ ਦੱਸੇ ਗਏ ਹੇਟਰੋਸਟ੍ਰਕਚਰ ਅਲਟਰਾ-ਲਾਈਟ ਅਤੇ ਸੰਖੇਪ ਥਰਮਲ "ਸ਼ੀਲਡਾਂ" ਲਈ ਆਧਾਰ ਬਣ ਸਕਦੇ ਹਨ, ਉਦਾਹਰਨ ਲਈ, ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਨਿਕਸ ਵਿੱਚ ਗਰਮ ਸਥਾਨਾਂ ਤੋਂ ਗਰਮੀ ਨੂੰ ਹਟਾਉਣ ਦੇ ਸਮਰੱਥ। ਇਸ ਤੋਂ ਇਲਾਵਾ, ਇਸ ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਥਰਮੋਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਜਨਰੇਟਰਾਂ ਜਾਂ ਥਰਮਲੀ ਨਿਯੰਤਰਿਤ ਯੰਤਰਾਂ ਵਿੱਚ ਕੀਤੀ ਜਾ ਸਕਦੀ ਹੈ, ਉਹਨਾਂ ਦੀ ਕਾਰਗੁਜ਼ਾਰੀ ਨੂੰ ਵਧਾਉਂਦੀ ਹੈ।

ਇਹ ਅਧਿਐਨ ਇੱਕ ਵਾਰ ਫਿਰ ਇਸ ਗੱਲ ਦੀ ਪੁਸ਼ਟੀ ਕਰਦਾ ਹੈ ਕਿ ਆਧੁਨਿਕ ਵਿਗਿਆਨ "ਇੱਕ ਥੰਬਲ ਵਿੱਚ ਕੁਸ਼ਲਤਾ" ਦੇ ਸਿਧਾਂਤ ਵਿੱਚ ਗੰਭੀਰਤਾ ਨਾਲ ਦਿਲਚਸਪੀ ਰੱਖਦਾ ਹੈ, ਜਿਸ ਨੂੰ ਇੱਕ ਮੂਰਖ ਵਿਚਾਰ ਨਹੀਂ ਕਿਹਾ ਜਾ ਸਕਦਾ, ਗ੍ਰਹਿ ਦੇ ਸੀਮਤ ਸਰੋਤਾਂ ਅਤੇ ਹਰ ਕਿਸਮ ਦੀਆਂ ਤਕਨੀਕੀ ਖੋਜਾਂ ਦੀ ਮੰਗ ਵਿੱਚ ਨਿਰੰਤਰ ਵਾਧੇ ਦੇ ਮੱਦੇਨਜ਼ਰ.

ਤੁਹਾਡੇ ਧਿਆਨ ਲਈ ਤੁਹਾਡਾ ਧੰਨਵਾਦ, ਉਤਸੁਕ ਰਹੋ ਅਤੇ ਸਾਰਿਆਂ ਦਾ ਹਫ਼ਤਾ ਵਧੀਆ ਰਹੇ! 🙂

ਸਾਡੇ ਨਾਲ ਰਹਿਣ ਲਈ ਤੁਹਾਡਾ ਧੰਨਵਾਦ। ਕੀ ਤੁਹਾਨੂੰ ਸਾਡੇ ਲੇਖ ਪਸੰਦ ਹਨ? ਹੋਰ ਦਿਲਚਸਪ ਸਮੱਗਰੀ ਦੇਖਣਾ ਚਾਹੁੰਦੇ ਹੋ? ਆਰਡਰ ਦੇ ਕੇ ਜਾਂ ਦੋਸਤਾਂ ਨੂੰ ਸਿਫਾਰਸ਼ ਕਰਕੇ ਸਾਡਾ ਸਮਰਥਨ ਕਰੋ, ਪ੍ਰਵੇਸ਼-ਪੱਧਰ ਦੇ ਸਰਵਰਾਂ ਦੇ ਇੱਕ ਵਿਲੱਖਣ ਐਨਾਲਾਗ 'ਤੇ ਹੈਬਰ ਉਪਭੋਗਤਾਵਾਂ ਲਈ 30% ਦੀ ਛੂਟ, ਜਿਸਦੀ ਖੋਜ ਸਾਡੇ ਦੁਆਰਾ ਤੁਹਾਡੇ ਲਈ ਕੀਤੀ ਗਈ ਸੀ: VPS (KVM) E5-2650 v4 (6 ਕੋਰ) 10GB DDR4 240GB SSD 1Gbps ਤੋਂ $20 ਜਾਂ ਸਰਵਰ ਨੂੰ ਕਿਵੇਂ ਸਾਂਝਾ ਕਰਨਾ ਹੈ ਬਾਰੇ ਪੂਰੀ ਸੱਚਾਈ? (RAID1 ਅਤੇ RAID10 ਦੇ ਨਾਲ ਉਪਲਬਧ, 24 ਕੋਰ ਤੱਕ ਅਤੇ 40GB DDR4 ਤੱਕ)।

Dell R730xd 2 ਗੁਣਾ ਸਸਤਾ? ਇੱਥੇ ਹੀ 2 x Intel TetraDeca-Core Xeon 2x E5-2697v3 2.6GHz 14C 64GB DDR4 4x960GB SSD 1Gbps 100 ਟੀਵੀ $199 ਤੋਂ ਨੀਦਰਲੈਂਡ ਵਿੱਚ! Dell R420 - 2x E5-2430 2.2Ghz 6C 128GB DDR3 2x960GB SSD 1Gbps 100TB - $99 ਤੋਂ! ਬਾਰੇ ਪੜ੍ਹੋ ਬੁਨਿਆਦੀ ਢਾਂਚਾ ਕਾਰਪੋਰੇਸ਼ਨ ਕਿਵੇਂ ਬਣਾਇਆ ਜਾਵੇ ਡੇਲ R730xd E5-2650 v4 ਸਰਵਰਾਂ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਨਾਲ ਕਲਾਸ 9000 ਯੂਰੋ ਦੀ ਕੀਮਤ ਦੇ ਇੱਕ ਪੈਸੇ ਲਈ?

ਸਰੋਤ: www.habr.com