ਸੈਮਸੰਗ ਨੇ ਟਰਾਂਜ਼ਿਸਟਰਾਂ ਬਾਰੇ ਗੱਲ ਕੀਤੀ ਜੋ FinFET ਨੂੰ ਬਦਲ ਦੇਣਗੇ

ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਕਈ ਵਾਰ ਦੱਸਿਆ ਗਿਆ ਹੈ, 5 nm ਤੋਂ ਛੋਟੇ ਟਰਾਂਜ਼ਿਸਟਰ ਨਾਲ ਕੁਝ ਕਰਨ ਦੀ ਲੋੜ ਹੈ। ਅੱਜ, ਚਿੱਪ ਨਿਰਮਾਤਾ ਵਰਟੀਕਲ FinFET ਗੇਟਾਂ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਕੇ ਸਭ ਤੋਂ ਉੱਨਤ ਹੱਲ ਤਿਆਰ ਕਰ ਰਹੇ ਹਨ। FinFET ਟਰਾਂਜ਼ਿਸਟਰ ਅਜੇ ਵੀ 5-nm ਅਤੇ 4-nm ਤਕਨੀਕੀ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆਵਾਂ (ਜੋ ਵੀ ਇਹਨਾਂ ਮਾਪਦੰਡਾਂ ਦਾ ਮਤਲਬ ਹੈ) ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਕੇ ਤਿਆਰ ਕੀਤੇ ਜਾ ਸਕਦੇ ਹਨ, ਪਰ ਪਹਿਲਾਂ ਹੀ 3-nm ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰਾਂ ਦੇ ਉਤਪਾਦਨ ਦੇ ਪੜਾਅ 'ਤੇ, FinFET ਬਣਤਰ ਕੰਮ ਕਰਨਾ ਬੰਦ ਕਰ ਦਿੰਦੇ ਹਨ ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਉਹਨਾਂ ਨੂੰ ਕਰਨਾ ਚਾਹੀਦਾ ਹੈ। ਟਰਾਂਜ਼ਿਸਟਰਾਂ ਦੇ ਗੇਟ ਬਹੁਤ ਛੋਟੇ ਹੁੰਦੇ ਹਨ ਅਤੇ ਕੰਟਰੋਲ ਵੋਲਟੇਜ ਇੰਨਾ ਘੱਟ ਨਹੀਂ ਹੁੰਦਾ ਹੈ ਕਿ ਟਰਾਂਜਿਸਟਰ ਏਕੀਕ੍ਰਿਤ ਸਰਕਟਾਂ ਵਿੱਚ ਗੇਟਾਂ ਦੇ ਰੂਪ ਵਿੱਚ ਆਪਣਾ ਕੰਮ ਕਰਨਾ ਜਾਰੀ ਰੱਖ ਸਕਣ। ਇਸ ਲਈ, ਉਦਯੋਗ ਅਤੇ, ਖਾਸ ਤੌਰ 'ਤੇ, ਸੈਮਸੰਗ, 3nm ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਤੋਂ ਸ਼ੁਰੂ ਕਰਦੇ ਹੋਏ, ਰਿੰਗ ਜਾਂ ਆਲ-ਇੰਕਪਾਸਿੰਗ GAA (ਗੇਟ-ਆਲ-ਅਰਾਊਂਡ) ਗੇਟਾਂ ਦੇ ਨਾਲ ਟਰਾਂਜ਼ਿਸਟਰਾਂ ਦੇ ਉਤਪਾਦਨ ਵੱਲ ਸਵਿਚ ਕਰੇਗਾ। ਇੱਕ ਤਾਜ਼ਾ ਪ੍ਰੈਸ ਰਿਲੀਜ਼ ਦੇ ਨਾਲ, ਸੈਮਸੰਗ ਨੇ ਨਵੇਂ ਟਰਾਂਜ਼ਿਸਟਰਾਂ ਦੀ ਬਣਤਰ ਅਤੇ ਉਹਨਾਂ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਨ ਦੇ ਫਾਇਦਿਆਂ ਬਾਰੇ ਇੱਕ ਵਿਜ਼ੂਅਲ ਇਨਫੋਗ੍ਰਾਫਿਕ ਪੇਸ਼ ਕੀਤਾ ਹੈ।

ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਉਪਰੋਕਤ ਦ੍ਰਿਸ਼ਟੀਕੋਣ ਵਿੱਚ ਦਿਖਾਇਆ ਗਿਆ ਹੈ, ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਨਿਰਮਾਣ ਮਾਪਦੰਡਾਂ ਵਿੱਚ ਗਿਰਾਵਟ ਆਈ ਹੈ, ਦਰਵਾਜ਼ੇ ਪਲੈਨਰ ​​ਬਣਤਰਾਂ ਤੋਂ ਵਿਕਸਤ ਹੋਏ ਹਨ ਜੋ ਗੇਟ ਦੇ ਹੇਠਾਂ ਇੱਕ ਖੇਤਰ ਨੂੰ ਨਿਯੰਤਰਿਤ ਕਰ ਸਕਦੇ ਹਨ, ਤਿੰਨ ਪਾਸਿਆਂ ਤੋਂ ਇੱਕ ਗੇਟ ਨਾਲ ਘਿਰੇ ਲੰਬਕਾਰੀ ਚੈਨਲਾਂ ਤੱਕ, ਅਤੇ ਅੰਤ ਵਿੱਚ ਦਰਵਾਜ਼ਿਆਂ ਨਾਲ ਘਿਰੇ ਚੈਨਲਾਂ ਦੇ ਨੇੜੇ ਜਾਂਦੇ ਹਨ। ਸਾਰੇ ਚਾਰ ਪਾਸੇ. ਇਹ ਪੂਰਾ ਮਾਰਗ ਨਿਯੰਤਰਿਤ ਚੈਨਲ ਦੇ ਆਲੇ ਦੁਆਲੇ ਗੇਟ ਖੇਤਰ ਵਿੱਚ ਵਾਧੇ ਦੇ ਨਾਲ ਸੀ, ਜਿਸ ਨਾਲ ਟਰਾਂਜਿਸਟਰਾਂ ਦੀਆਂ ਮੌਜੂਦਾ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਨਾਲ ਸਮਝੌਤਾ ਕੀਤੇ ਬਿਨਾਂ ਟਰਾਂਜਿਸਟਰਾਂ ਨੂੰ ਬਿਜਲੀ ਦੀ ਸਪਲਾਈ ਨੂੰ ਘਟਾਉਣਾ ਸੰਭਵ ਹੋ ਗਿਆ, ਇਸਲਈ, ਟਰਾਂਜਿਸਟਰਾਂ ਦੀ ਕਾਰਗੁਜ਼ਾਰੀ ਵਿੱਚ ਵਾਧਾ ਹੋਇਆ। ਅਤੇ ਲੀਕੇਜ ਕਰੰਟਸ ਵਿੱਚ ਕਮੀ। ਇਸ ਸਬੰਧ ਵਿੱਚ, GAA ਟਰਾਂਜ਼ਿਸਟਰ ਸਿਰਜਣਾ ਦਾ ਇੱਕ ਨਵਾਂ ਤਾਜ ਬਣ ਜਾਣਗੇ ਅਤੇ ਕਲਾਸੀਕਲ CMOS ਤਕਨੀਕੀ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆਵਾਂ ਦੇ ਮਹੱਤਵਪੂਰਨ ਮੁੜ ਕੰਮ ਕਰਨ ਦੀ ਲੋੜ ਨਹੀਂ ਹੋਵੇਗੀ।

ਗੇਟ ਨਾਲ ਘਿਰੇ ਚੈਨਲਾਂ ਨੂੰ ਜਾਂ ਤਾਂ ਪਤਲੇ ਪੁਲਾਂ (ਨੈਨੋਵਾਇਰਸ) ਦੇ ਰੂਪ ਵਿੱਚ ਜਾਂ ਚੌੜੇ ਪੁਲਾਂ ਜਾਂ ਨੈਨੋਪੇਜਾਂ ਦੇ ਰੂਪ ਵਿੱਚ ਪੈਦਾ ਕੀਤਾ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ। ਸੈਮਸੰਗ ਨੇ ਨੈਨੋਪੇਜਾਂ ਦੇ ਹੱਕ ਵਿੱਚ ਆਪਣੀ ਚੋਣ ਦਾ ਐਲਾਨ ਕੀਤਾ ਅਤੇ ਪੇਟੈਂਟਾਂ ਦੇ ਨਾਲ ਇਸਦੇ ਵਿਕਾਸ ਦੀ ਰੱਖਿਆ ਕਰਨ ਦਾ ਦਾਅਵਾ ਕੀਤਾ, ਹਾਲਾਂਕਿ ਇਸਨੇ ਅਜੇ ਵੀ IBM ਅਤੇ ਹੋਰ ਕੰਪਨੀਆਂ ਨਾਲ ਗੱਠਜੋੜ ਵਿੱਚ ਦਾਖਲ ਹੋਣ ਦੇ ਦੌਰਾਨ ਇਹ ਸਾਰੇ ਢਾਂਚੇ ਵਿਕਸਿਤ ਕੀਤੇ ਹਨ, ਉਦਾਹਰਨ ਲਈ, AMD ਨਾਲ। ਸੈਮਸੰਗ ਨਵੇਂ ਟਰਾਂਜ਼ਿਸਟਰਾਂ ਨੂੰ GAA ਨਹੀਂ ਕਹੇਗਾ, ਪਰ ਮਲਕੀਅਤ ਦਾ ਨਾਮ MBCFET (ਮਲਟੀ ਬ੍ਰਿਜ ਚੈਨਲ FET)। ਵਾਈਡ ਚੈਨਲ ਪੇਜ ਮਹੱਤਵਪੂਰਨ ਕਰੰਟ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰਨਗੇ, ਜੋ ਕਿ ਨੈਨੋਵਾਇਰ ਚੈਨਲਾਂ ਦੇ ਮਾਮਲੇ ਵਿੱਚ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਨਾ ਮੁਸ਼ਕਲ ਹੈ।

ਰਿੰਗ ਗੇਟਾਂ ਵਿੱਚ ਤਬਦੀਲੀ ਨਾਲ ਨਵੇਂ ਟਰਾਂਜ਼ਿਸਟਰ ਢਾਂਚੇ ਦੀ ਊਰਜਾ ਕੁਸ਼ਲਤਾ ਵਿੱਚ ਵੀ ਸੁਧਾਰ ਹੋਵੇਗਾ। ਇਸਦਾ ਮਤਲਬ ਹੈ ਕਿ ਟਰਾਂਜਿਸਟਰਾਂ ਨੂੰ ਸਪਲਾਈ ਵੋਲਟੇਜ ਘਟਾਇਆ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ. FinFET ਢਾਂਚਿਆਂ ਲਈ, ਕੰਪਨੀ ਕੰਡੀਸ਼ਨਲ ਪਾਵਰ ਰਿਡਕਸ਼ਨ ਥ੍ਰੈਸ਼ਹੋਲਡ 0,75 V ਕਹਿੰਦੀ ਹੈ। MBCFET ਟਰਾਂਜ਼ਿਸਟਰਾਂ ਵਿੱਚ ਤਬਦੀਲੀ ਇਸ ਸੀਮਾ ਨੂੰ ਹੋਰ ਵੀ ਘੱਟ ਕਰੇਗੀ।

ਕੰਪਨੀ MBCFET ਟਰਾਂਜ਼ਿਸਟਰਾਂ ਦੇ ਅਗਲੇ ਫਾਇਦੇ ਨੂੰ ਹੱਲਾਂ ਦੀ ਅਸਾਧਾਰਣ ਲਚਕਤਾ ਕਹਿੰਦੀ ਹੈ। ਇਸ ਲਈ, ਜੇਕਰ ਉਤਪਾਦਨ ਦੇ ਪੜਾਅ 'ਤੇ FinFET ਟਰਾਂਜ਼ਿਸਟਰਾਂ ਦੀਆਂ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਨੂੰ ਸਿਰਫ ਵਿਵੇਕ ਨਾਲ ਨਿਯੰਤਰਿਤ ਕੀਤਾ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ, ਹਰੇਕ ਟਰਾਂਜ਼ਿਸਟਰ ਲਈ ਪ੍ਰੋਜੈਕਟ ਵਿੱਚ ਕਿਨਾਰਿਆਂ ਦੀ ਇੱਕ ਨਿਸ਼ਚਤ ਸੰਖਿਆ ਪਾ ਕੇ, ਫਿਰ MBCFET ਟਰਾਂਜ਼ਿਸਟਰਾਂ ਨਾਲ ਸਰਕਟਾਂ ਨੂੰ ਡਿਜ਼ਾਈਨ ਕਰਨਾ ਹਰੇਕ ਪ੍ਰੋਜੈਕਟ ਲਈ ਵਧੀਆ ਟਿਊਨਿੰਗ ਵਰਗਾ ਹੋਵੇਗਾ। ਅਤੇ ਇਹ ਕਰਨਾ ਬਹੁਤ ਸੌਖਾ ਹੋਵੇਗਾ: ਇਹ ਨੈਨੋਪੇਜ ਚੈਨਲਾਂ ਦੀ ਲੋੜੀਂਦੀ ਚੌੜਾਈ ਨੂੰ ਚੁਣਨ ਲਈ ਕਾਫੀ ਹੋਵੇਗਾ, ਅਤੇ ਇਸ ਪੈਰਾਮੀਟਰ ਨੂੰ ਰੇਖਿਕ ਰੂਪ ਵਿੱਚ ਬਦਲਿਆ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ।

MBCFET ਟਰਾਂਜ਼ਿਸਟਰਾਂ ਦੇ ਉਤਪਾਦਨ ਲਈ, ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਉੱਪਰ ਦੱਸਿਆ ਗਿਆ ਹੈ, ਫੈਕਟਰੀਆਂ ਵਿੱਚ ਸਥਾਪਿਤ ਕਲਾਸਿਕ CMOS ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਅਤੇ ਉਦਯੋਗਿਕ ਉਪਕਰਣ ਬਿਨਾਂ ਮਹੱਤਵਪੂਰਨ ਤਬਦੀਲੀਆਂ ਦੇ ਢੁਕਵੇਂ ਹਨ। ਸਿਰਫ ਸਿਲੀਕਾਨ ਵੇਫਰਾਂ ਦੇ ਪ੍ਰੋਸੈਸਿੰਗ ਪੜਾਅ ਲਈ ਮਾਮੂਲੀ ਸੋਧਾਂ ਦੀ ਲੋੜ ਪਵੇਗੀ, ਜੋ ਸਮਝਣ ਯੋਗ ਹੈ, ਅਤੇ ਬੱਸ ਇਹੋ ਹੈ। ਸੰਪਰਕ ਸਮੂਹਾਂ ਅਤੇ ਮੈਟਾਲਾਈਜ਼ੇਸ਼ਨ ਲੇਅਰਾਂ ਦੇ ਹਿੱਸੇ 'ਤੇ, ਤੁਹਾਨੂੰ ਕੁਝ ਵੀ ਬਦਲਣ ਦੀ ਜ਼ਰੂਰਤ ਨਹੀਂ ਹੈ.

ਸਿੱਟੇ ਵਜੋਂ, ਸੈਮਸੰਗ ਪਹਿਲੀ ਵਾਰ ਉਹਨਾਂ ਸੁਧਾਰਾਂ ਦਾ ਗੁਣਾਤਮਕ ਵਰਣਨ ਦਿੰਦਾ ਹੈ ਜੋ 3nm ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਅਤੇ MBCFET ਟਰਾਂਜ਼ਿਸਟਰਾਂ ਵਿੱਚ ਤਬਦੀਲੀ ਇਸ ਦੇ ਨਾਲ ਲਿਆਏਗਾ (ਸਪੱਸ਼ਟ ਕਰਨ ਲਈ, ਸੈਮਸੰਗ ਸਿੱਧੇ ਤੌਰ 'ਤੇ 3nm ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਬਾਰੇ ਗੱਲ ਨਹੀਂ ਕਰ ਰਿਹਾ ਹੈ, ਪਰ ਇਸ ਨੇ ਪਹਿਲਾਂ ਦੱਸਿਆ ਹੈ ਕਿ 4nm ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਅਜੇ ਵੀ FinFET ਟ੍ਰਾਂਸਿਸਟਰਾਂ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰੇਗੀ)। ਇਸ ਲਈ, 7nm FinFET ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਦੇ ਮੁਕਾਬਲੇ, ਨਵੇਂ ਆਦਰਸ਼ ਅਤੇ MBCFET ਵੱਲ ਜਾਣ ਨਾਲ ਖਪਤ ਵਿੱਚ 50% ਕਮੀ, ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਨ ਵਿੱਚ 30% ਵਾਧਾ ਅਤੇ ਚਿੱਪ ਖੇਤਰ ਵਿੱਚ 45% ਦੀ ਕਮੀ ਮਿਲੇਗੀ। "ਜਾਂ ਜਾਂ" ਨਹੀਂ, ਪਰ ਸਮੁੱਚਤਾ ਵਿੱਚ। ਇਹ ਕਦੋਂ ਹੋਵੇਗਾ? ਅਜਿਹਾ ਹੋ ਸਕਦਾ ਹੈ ਕਿ 2021 ਦੇ ਅੰਤ ਤੱਕ।

ਸਰੋਤ: 3dnews.ru