Francuzi zaprezentowali siedmiopoziomowy tranzystor GAA jutra
Od dawna nie było tajemnicą, że dzięki technologii procesu 3 nm tranzystory będą przechodzić z pionowych kanałów FinFET z „żebrami” do poziomych kanałów nanostronowych całkowicie otoczonych bramkami lub GAA (gate-all-around). Francuski instytut CEA-Leti pokazał dziś, w jaki sposób procesy produkcyjne tranzystorów FinFET można wykorzystać do produkcji wielopoziomowych tranzystorów GAA. A utrzymanie ciągłości procesów technicznych to niezawodna podstawa szybkiej transformacji. Na sympozjum dotyczące technologii i obwodów VLSI […]