Przejście z krzemu na półprzewodniki o szerokiej przerwie energetycznej (azotek galu, węglik krzemu i inne) umożliwia znaczne zwiększenie częstotliwości roboczych oraz poprawę efektywności rozwiązań. Dlatego jednym z obszarów potencjalnego zastosowania szerokopasmowych chipów i tranzystorów jest łączność oraz radary. Elektronika oparta na rozwiązaniach GaN przynosi wzrost mocy i zasięgu radarów, co zostało natychmiast wykorzystane przez wojsko.
Firma Lockheed Martin , co oznacza, że do armii USA dostarczono pierwsze mobilne stacje radiolokacyjne (RLS) oparte na elektronice z elementami azotku galu. Nic nowego w firmie nie wymyślono. Na bazę elementów GaN przekształcono przyjęte od 2010 roku do uzbrojenia stacje RLS AN/TPQ-53. To pierwsza i jak na razie jedyna na świecie stacja radarowa oparta na szerokopasmowych półprzewodnikach.
Dzięki przejściu na aktywne komponenty GaN stacja RLS AN/TPQ-53 zwiększyła zasięg wykrywania ukrytych pozycji artyleryjskich oraz uzyskała możliwość jednoczesnego śledzenia celów powietrznych. W szczególności stacja AN/TPQ-53 zaczęła być wykorzystywana przeciwko dronom, w tym małym sprzęcie. Identyfikacja ukrytych pozycji artyleryjskich może odbywać się zarówno w zakresie 90 stopni, jak i z okrągłym 360-stopniowym widokiem.
Firma Lockheed Martin jest jedynym dostawcą radarów z aktywną FARA (faza antenowego) dla armii USA. Przejście na bazę elementów GaN pozwala jej liczyć na dalsze wieloletnie przywództwo w zakresie doskonalenia i produkcji stacji radarowych.
Źródło: 3dnews.ru
