Jedyny w świecie producent dyskretnych układów pamięci magnetorezystywnych MRAM, firma Everspin Technologies, nadal doskonali technologie produkcji. Dziś Everspin oraz firma GlobalFoundries wspólnie opracowują technologię produkcji układów STT-MRAM o normach 12 nm oraz tranzystorach FinFET.
Na koncie firmy Everspin znajduje się ponad 650 patentów i aplikacji związanych z pamięcią MRAM. Ta pamięć, zapisywana w komórce, przypomina zapis informacji na magnetycznej płycie twardego dysku. Tylko w przypadku układów każda komórka ma swoją (warunkową) głowicę magnetyczną. Pamięć STT-MRAM, która zastąpiła MRAM, oparta na efekcie transportu momentu spinowego elektronów, działa z jeszcze mniejszymi wydatkami energetycznymi, ponieważ korzysta z mniejszych prądów w trybach zapisu i odczytu.
Początkowo pamięć MRAM według zamówień Everspin produkowała firma NXP w swojej fabryce w USA. W 2014 roku Everspin podpisał umowę o wspólnej pracy z firmą GlobalFoundries. Razem zaczęli opracowywać procesy technologiczne produkcji dyskretnych i zintegrowanych MRAM (STT-MRAM) przy użyciu bardziej zaawansowanych procesów technologicznych.
Z biegiem czasu w zakładach GlobalFoundries uruchomiono produkcję chipów STT-MRAM w technologii 40-nm i 28-nm (kończąc nowinką - 1-gigabitowym dyskretnym chipem STT-MRAM), a także przygotowano proces technologiczny 22FDX na integrację układów STT-MRAM w kontrolerach z wykorzystaniem 22-nm procesu na waferach FD-SOI. Nowa umowa Everspin i GlobalFoundries doprowadzi do przeniesienia produkcji układów STT-MRAM na proces technologiczny 12-nm.
Pamięć MRAM w zakresie wydajności zbliża się do pamięci SRAM i potencjalnie może ją zastąpić w kontrolerach dla Internetu rzeczy. Jest przy tym niezależna od zasilania i znacznie bardziej odporna na zużycie niż zwykła pamięć NAND. Przejście na normy 12-nm pozwoli zwiększyć gęstość zapisu MRAM, co jest jej główną wadą.
Źródło: 3dnews.ru
