Moduły pamięci oparte na układach Samsung B-die są zdecydowanie jednym z najpopularniejszych wyborów wśród entuzjastów. Jednakże południowokoreański producent uznaje je za przestarzałe i obecnie wstrzymuje ich produkcję, proponując w zamian inne układy pamięci DDR4, do produkcji których stosowane są nowsze procesy technologiczne. Oznacza to, że cykl życia niebuforowanych modułów pamięci DDR4 Samsung, opartych na układach B-die, dobiegł końca i wkrótce znikną one z rynku. Inni producenci, którzy wykorzystują układy Samsung B-die w swoich produktach, również zaprzestaną ich dostaw.
Układy Samsung B-die oraz moduły pamięci na ich podstawie zdobyły uznanie dzięki wszechstronności i potencjałowi do podkręcania. Doskonale scalają się pod względem częstotliwości, dobrze reagują na wzrost napięcia zasilającego i pozwalają na działanie przy ekstremalnie agresywnych czasach. Kolejnym istotnym atutem modułów opartych na układach Samsung B-die jest ich bezproblemowość oraz szeroka współpraca z różnymi kontrolerami pamięci, za co szczególnie cenią je właściciele systemów opartych na procesorach Ryzen.
Jednak do produkcji układów B-die stosowany jest dość stary proces technologiczny o normach 20 nm, dlatego decyzja firmy Samsung o zaprzestaniu produkcji takich układów półprzewodnikowych na rzecz nowocześniejszych alternatyw jest w pełni zrozumiała. Niedawno firma ogłosiła rozpoczęcie produkcji układów DDR4 SDRAM w technologii 1z-nm (trzeciej generacji), podczas gdy układy wyprodukowane w procesie technologicznym o normach 1y-nm (drugiej generacji) są w produkcji już od ponad półtora roku. To na nie producent wzywa do przejścia. Układom B-die oficjalnie nadano status EOL (End of Life) – koniec cyklu życia.
Now other offers will gain popularity instead of the legendary Samsung B-die chips. Mass production stages have been reached for M-die chips, which are manufactured using a process node of 1y nm. A-die chips, produced using even more advanced 1z nm technology, have also reached the qualification production stage. This means that memory based on M-die chips will be available for sale very soon, while modules built on A-die chips will be accessible to users within six months.
The main advantage of the new memory chips with updated cores, in addition to modern fabrication processes and potentially higher frequency capabilities, is their increased capacity. They allow for the production of single-sided DDR4 memory modules with a capacity of 16 GB and double-sided modules with a capacity of 32 GB, which was previously impossible.
It is worth noting that significant changes in the nomenclature of existing DDR4 SDRAM memory modules can be expected this summer. In addition to the new Samsung chips, memory sticks will also begin to incorporate E-die chips from Micron and C-die chips from SK Hynix. It is quite likely that all these changes will lead to an increase in both the average capacity and frequency potential of the average DDR4 SDRAM modules.
Źródło: 3dnews.ru
