Według informacji z przemysłowych źródeł na Tajwanie, na które powołuje się portal internetowy DigiTimes, chiński producent pamięci firma ChangXin Memory Technologies (CXMT) intensywnie przygotowuje linie do masowej produkcji pamięci LPDDR4. Firma ChangXin, znana także jako Innotron Memory, podobno opracowała własny proces technologiczny produkcji DRAM z wykorzystaniem norm technologicznych 19 nm.
Do komercyjnego uruchomienia pamięci w swojej pierwszej fabryce 300-mm ChangXin miała w pierwszej połowie 2019 roku. Niestety, do tej pory się to nie wydarzyło. Jednak rozpoczęcie produkcji chipów DDR4 LPDDR4 8 Gb będzie połączone z rozszerzeniem mocy do 20 tys. 300-mm sylikonowych substratów miesięcznie. Maksymalna moc linii w zakładzie ChangXin osiąga 125 tys. 300-mm tafli miesięcznie. Ale to także nie jest szczyt. W firmie poinformowano, że w przyszłym roku rozpoczną budowę drugiej fabryki do przetwarzania substratów 300-mm z pamięcią.
W tym samym czasie ten chiński producent może napotkać inne problemy. Przypomnijmy, że pierwsza chińska firma, która planowała rozpocząć masową produkcję pamięci DRAM ― Fujian Jinhua ― USA z zakazem zakupu sprzętu produkcyjnego od amerykańskich partnerów. Na Tajwanie uważają, że ChangXin napotka te same problemy, co Fujian. Dodatkowo zatrudniła wykwalifikowanych inżynierów z byłej tajwańskiej spółki córki japońskiej firmy Elpida, której działalność została przejęta przez amerykańską firmę Micron. Analitycy spodziewają się pozwów przeciwko ChangXin ze strony Micron i sankcji, jeśli brak reakcji ze strony Chin.
Równolegle ChangXin prowadzi opracowanie procesu technologicznego produkcji pamięci z normami 17 nm. Zakończenie opracowania planowane jest na 2021 rok. Prawdopodobnie druga fabryka ChangXin rozpocznie działalność od produkcji kryształów DRAM właśnie z tymi normami. O ile oczywiście nie staną na jej drodze nieprzezwyciężone przeszkody, takie jak sankcje USA i działania Micron.
Źródło: 3dnews.ru
