Dziś rano w Seulu w Korei Południowej firma Intel była gospodarzem wydarzenia „Memory and Storage Day 2019”, poświęconego planom na przyszłość dla rynku pamięci i dysków półprzewodnikowych. Przedstawiciele firmy rozmawiali na niej o przyszłych modelach Optane, postępie w rozwoju pięciobitowej pamięci PLC NAND (Penta Level Cell) oraz innych obiecujących technologiach, które będzie promować w nadchodzących latach. Intel mówił także o chęci wprowadzenia w dłuższej perspektywie nieulotnej pamięci RAM w komputerach stacjonarnych oraz o nowych modelach znanych z tego segmentu dysków SSD.
Najbardziej zaskakującą częścią prezentacji Intela na temat ciągłego rozwoju była historia PLC NAND, jeszcze gęstszej formy pamięci flash. Firma podkreśla, że w ciągu ostatnich dwóch lat całkowita ilość danych produkowanych na świecie podwoiła się, dlatego dyski oparte na czterobitowych QLC NAND nie wydają się już dobrym rozwiązaniem tego problemu – branża potrzebuje jakichś opcji z większą ilością informacji gęstość przechowywania. Dane wyjściowe powinny być pamięcią flash Penta-Level Cell (PLC), której każda komórka przechowuje jednocześnie pięć bitów danych. Zatem hierarchia typów pamięci flash będzie wkrótce wyglądać następująco: SLC-MLC-TLC-QLC-PLC. Nowa pamięć PLC NAND będzie w stanie przechowywać pięciokrotnie więcej danych w porównaniu do SLC, ale oczywiście z mniejszą wydajnością i niezawodnością, ponieważ aby zapisać i odczytać pięć bitów, kontroler będzie musiał rozróżnić 32 różne stany naładowania komórki.
Warto zauważyć, że Intel nie jest osamotniony w swoim pragnieniu stworzenia jeszcze gęstszej pamięci flash. Toshiba mówiła także o planach stworzenia PLC NAND podczas szczytu Flash Memory Summit, który odbył się w sierpniu. Technologia Intela różni się jednak znacząco: firma wykorzystuje ogniwa pamięci z bramką pływającą, podczas gdy konstrukcje Toshiby zbudowane są wokół ogniw opartych na pułapce ładunkowej. Bramka pływająca wydaje się być najlepszym rozwiązaniem przy rosnącej gęstości przechowywania, gdyż minimalizuje wzajemne oddziaływanie i przepływ ładunków w ogniwach oraz umożliwia odczyt danych z mniejszą liczbą błędów. Innymi słowy, konstrukcja Intela lepiej nadaje się do zwiększania gęstości, o czym świadczą wyniki testów dostępnych na rynku QLC NAND wykonanych przy użyciu różnych technologii. Takie testy pokazują, że degradacja danych w komórkach QLC opartych na bramce pływającej jest od dwóch do trzech razy wolniejsza niż w komórkach QLC NAND z pułapką ładunkową.
Na tym tle informacja, że Micron zdecydował się podzielić z Intelem swoimi rozwiązaniami w zakresie pamięci flash, wygląda dość interesująco, między innymi ze względu na chęć przejścia na ogniwa z pułapką ładunkową. Intel natomiast pozostaje przy oryginalnej technologii i systematycznie wdraża ją we wszystkich nowych rozwiązaniach.
Oprócz PLC NAND, który jest wciąż w fazie rozwoju, Intel zamierza zwiększyć gęstość przechowywania informacji w pamięci flash przy użyciu innych, tańszych technologii. W szczególności firma potwierdziła rychłe przejście do masowej produkcji 96-warstwowej pamięci QLC 3D NAND: znajdzie ona zastosowanie w nowym dysku konsumenckim .
W ślad za tym pójdzie rozwój produkcji 144-warstwowych pamięci QLC 3D NAND – trafią one do dysków produkowanych masowo już w przyszłym roku. Co jednak ciekawe, Intel na razie zaprzeczał zamiarom stosowania potrójnych „lutowanych” monolitycznych matryc, więc o ile 96-warstwowa konstrukcja zakłada pionowy montaż dwóch 48-warstwowych matryc, o tyle technologia 144-warstwowa najwyraźniej będzie bazować na 72-warstwowej „ półprodukty".
Wraz ze wzrostem liczby warstw w kryształach QLC 3D NAND twórcy Intela nie zamierzają jeszcze zwiększać pojemności samych kryształów. W oparciu o technologie 96- i 144-warstwowe zostaną wyprodukowane te same terabitowe kryształy, co 64-warstwowa QLC 3D NAND pierwszej generacji. Wynika to z chęci zapewnienia opartego na nim dysku SSD o akceptowalnym poziomie wydajności. Pierwszymi dyskami SSD korzystającymi z pamięci 144-warstwowej będą dyski serwerowe Arbordale+.
Źródło: 3dnews.ru