Amerykańscy naukowcy komórka pamięci, która rejestruje dane poprzez mechaniczne przemieszczanie warstw metalu o grubości trzech atomów. Taka komórka pamięci zapewnia najwyższą gęstość zapisu i wymaga minimum energii do jej realizacji.
O rozwoju poinformowała wspólna grupa naukowców z laboratorium SLAC na Uniwersytecie Stanforda, Uniwersytetu Kalifornijskiego w Berkeley i Texas A&M University. Dane opublikowane w czasopiśmie .
Naukowcy przeprowadzili serię eksperymentów ze stosami metalu 2D zwanego ditelluridem wolframu. Każda warstwa metalu 2D w stosie miała grubość trzech atomów, co zapewniało bardzo gęsty zapis w porównaniu z krzemowymi komórkami pamięci. Eksperymenty wykazały, że niewielka ilość energii przyłożona do stosu powoduje poślizg (przemieszczenie) każdej nieparzystej warstwy w stosie warstw. Dzieje się to tak szybko, że odkrycie może doprowadzić do stworzenia niezwykle wydajnej pamięci komputerowej, mogącej przechowywać informacje bez zasilania (nieulotnej).
Zapisanie informacji (zero lub jedynka) następuje w procesie przemieszczania warstwy metalu w stosie. Przemieszczenie warstwy powoduje zmiany w ruchu elektronów w górnej i dolnej warstwie metali 2D względem warstwy przesuniętej. Aby odczytać te informacje, naukowcy proponują wykorzystanie efektu kwantowego zwanego . Jest to strumień magnetyczny generowany wewnątrz materiału, który pojawia się, gdy naładowane cząstki przemieszczają się wewnątrz sieci krystalicznej.
Sądząc po opisie eksperymentu, pamięć na ruchomych warstwach w stosach metali 2D jest bardzo, bardzo odległą perspektywą. Perspektywa jest jednak bardzo kusząca i zapewnia 100-krotnie szybsze rejestrowanie danych w celu ich długoterminowego przechowywania. Po drodze należy przeprowadzić wiele eksperymentów i wybrać najlepszą kombinację materiałów.
Źródło:
Źródło: 3dnews.ru