Moduły pamięci zbudowane na chipach Samsung B-die to chyba jedna z najpopularniejszych opcji wśród entuzjastów. Południowokoreański producent uważa je jednak za przestarzałe i obecnie wstrzymuje ich produkcję, oferując zamienniki na inne kości pamięci DDR4, przy produkcji których wykorzystuje się nowsze procesy techniczne. Oznacza to, że cykl życia niebuforowanych modułów pamięci DDR4 firmy Samsung opartych na chipach B-die dobiegł końca i wkrótce będą niedostępne. Inni producenci, którzy wykorzystują w swoich produktach chipy Samsung B-die, również przestaną dostarczać podobne moduły.
Chipy Samsung B-die i oparte na nich moduły pamięci zdobyły szerokie uznanie ze względu na swoją wszechstronność i potencjał podkręcania. Idealnie skalują się pod względem częstotliwości, dobrze reagują na wzrost napięcia zasilania i umożliwiają pracę z wyjątkowo agresywnymi taktowaniami. Osobną ważną zaletą modułów opartych na chipach Samsung B-die jest ich bezpretensjonalność i szeroka kompatybilność z różnymi kontrolerami pamięci, za co szczególnie cenią je posiadacze układów opartych na procesorach Ryzen.
Jednak do produkcji chipów B-die stosuje się dość stary proces technologiczny o standardach 20 nm, więc chęć Samsunga do porzucenia produkcji takich urządzeń półprzewodnikowych na rzecz bardziej nowoczesnych alternatyw jest całkiem zrozumiała. Niedawno firma ogłosiła rozpoczęcie produkcji układów DDR4 SDRAM w technologii 1z-nm (trzecia generacja), a chipy produkowane w technologii 1y-nm (druga generacja) produkowane są już od ponad półtora roku. To właśnie na te producent zachęca, aby się przerzucić. Chipy B-die mają oficjalnie przypisany status EOL (End of Life) - koniec cyklu życia.
Zamiast legendarnych chipów Samsung B-die będą teraz dystrybuowane inne produkty. Chipy M-die, które powstają w procesie 1-nm, osiągnęły etap produkcji masowej. Do etapu produkcji kwalifikacyjnej weszły także chipy A-die, produkowane w jeszcze bardziej zaawansowanej technologii w standardach 1z nm. Oznacza to, że pamięć na chipach M-die trafi do sprzedaży już w najbliższej przyszłości, a moduły zbudowane na chipach A-die staną się dostępne dla użytkowników w ciągu sześciu miesięcy.
Główną zaletą nowych układów pamięci ze zaktualizowanymi rdzeniami, oprócz nowoczesnych procesów technicznych i potencjalnie wyższego potencjału częstotliwościowego, jest także ich zwiększona pojemność. Umożliwiają produkcję jednostronnych modułów pamięci DDR4 o pojemności 16 GB oraz dwustronnych modułów o pojemności 32 GB, co wcześniej było niemożliwe.
Warto przypomnieć, że tego lata możemy spodziewać się znaczących zmian w ofercie dostępnych na rynku modułów pamięci DDR4 SDRAM. Oprócz nowych chipów Samsunga w paskach pamięci powinny znaleźć się także chipy E-die firmy Micron i C-die firmy SK Hynix. Jest prawdopodobne, że wszystkie te zmiany spowodują wzrost nie tylko średniej objętości, ale także potencjału częstotliwościowego przeciętnych modułów DDR4 SDRAM.
Źródło: 3dnews.ru