TSMC: przejście z 7 nm na 5 nm zwiększa gęstość tranzystorów o 80%

TSMC w tym tygodniu już ogłoszone opanowanie nowego etapu technologii litograficznych, oznaczonego jako N6. W komunikacie prasowym napisano, że ten etap litografii zostanie doprowadzony do etapu produkcji ryzyka już w pierwszym kwartale 2020 roku, jednak dopiero zapis kwartalnej konferencji sprawozdawczej TSMC pozwolił poznać nowe szczegóły dotyczące harmonogramu rozwoju litografii tak zwana technologia 6 nm.

Przypomnijmy, że TSMC już masowo produkuje szeroką gamę produktów 7 nm – w ostatnim kwartale stanowiły one 22% przychodów firmy. Według prognoz zarządu TSMC, w tym roku procesy technologiczne N7 i N7+ będą stanowić co najmniej 25% przychodów. Druga generacja technologii procesowej 7 nm (N7+) obejmuje zwiększone wykorzystanie litografii w ultratwardym ultrafiolecie (EUV). Jednocześnie, jak podkreślają przedstawiciele TSMC, to właśnie doświadczenie zdobyte podczas wdrażania procesu technicznego N7+ pozwoliło firmie zaoferować klientom proces techniczny N6, który całkowicie podąża za ekosystemem projektowym N7. Dzięki temu deweloperzy mogą przejść z N7 lub N7+ na N6 w możliwie najkrótszym czasie i przy minimalnych kosztach materiałów. Dyrektor generalny CC Wei wyraził nawet pewność na kwartalnej konferencji, że wszyscy klienci TSMC korzystający z procesu 7 nm przejdą na technologię 6 nm. Wcześniej w podobnym kontekście wspomniał o gotowości „prawie wszystkich” użytkowników technologii procesowej 7 nm TSMC do migracji na technologię procesową 5 nm.

TSMC: przejście z 7 nm na 5 nm zwiększa gęstość tranzystorów o 80%

Należałoby wyjaśnić, jakie zalety zapewnia technologia procesowa 5 nm (N5) stworzona przez TSMC. Jak przyznał Xi Xi Wei, pod względem cyklu życia N5 będzie jednym z najbardziej „trwałych” w historii firmy. Jednocześnie z punktu widzenia dewelopera będzie on znacząco różnił się od technologii procesowej 6 nm, zatem przejście na standardy projektowania 5 nm będzie wymagało znacznego wysiłku. Na przykład, jeśli technologia procesowa 6 nm zapewnia 7% wzrost gęstości tranzystorów w porównaniu do 18 nm, wówczas różnica między 7 nm a 5 nm wyniesie aż 80%. Natomiast wzrost prędkości tranzystora nie przekroczy 15%, co w tym przypadku potwierdza tezę o spowolnieniu działania „prawa Moore’a”.

TSMC: przejście z 7 nm na 5 nm zwiększa gęstość tranzystorów o 80%

Wszystko to nie przeszkadza szefowi TSMC w twierdzeniu, że technologia procesowa N5 będzie „najbardziej konkurencyjna w branży”. Przy jego pomocy firma spodziewa się nie tylko zwiększyć swój udział w rynku w istniejących segmentach, ale także pozyskać nowych klientów. W kontekście opanowania technologii procesowej 5 nm szczególne nadzieje pokłada się w segmencie rozwiązań z zakresu obliczeń o dużej wydajności (HPC). Teraz stanowi nie więcej niż 29% przychodów TSMC, a 47% przychodów pochodzi z komponentów do smartfonów. Z biegiem czasu udział segmentu HPC będzie musiał wzrosnąć, choć twórcy procesorów do smartfonów będą skłonni opanować nowe standardy litograficzne. Spółka uważa, że ​​rozwój sieci generacji 5G będzie także jedną z przyczyn wzrostu przychodów w nadchodzących latach.


TSMC: przejście z 7 nm na 5 nm zwiększa gęstość tranzystorów o 80%

Ostatecznie Prezes TSMC potwierdził rozpoczęcie produkcji seryjnej w technologii procesowej N7+ z wykorzystaniem litografii EUV. Poziom wydajności odpowiednich produktów wykorzystujących tę technologię procesową jest porównywalny z technologią 7 nm pierwszej generacji. Wprowadzenie EUV, zdaniem Xi Xi Wei, nie może zapewnić natychmiastowych korzyści ekonomicznych – choć koszty są dość wysokie, to gdy tylko produkcja „nabierze tempa”, koszty produkcji zaczną spadać w tempie typowym dla ostatnich lat.



Źródło: 3dnews.ru

Dodaj komentarz