{"id":73397,"date":"2020-03-09T08:42:28","date_gmt":"2020-03-09T05:42:28","guid":{"rendered":"https:\/\/prohoster.info\/blog\/administrirovanie\/vvedenie-v-ssd-chast-4-fizicheskaya"},"modified":"2020-03-09T08:42:28","modified_gmt":"2020-03-09T05:42:28","slug":"vvedenie-v-ssd-chast-4-fizicheskaya","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/prohoster.info\/pl\/blog\/administrirovanie\/vvedenie-v-ssd-chast-4-fizicheskaya","title":{"rendered":"Wprowadzenie do SSD. Cz\u0119\u015b\u0107 4. Fizyczna","gt_translate_keys":[{"key":"rendered","format":"text"}]},"content":{"rendered":"<p><img decoding=\"async\" alt=\"Wprowadzenie do SSD. Cz\u0119\u015b\u0107 4. Fizyczna\" src=\"\/wp-content\/uploads\/2020\/03\/07ee6f41981982df22293878e6c6d99a.png\" style=\"display:block;margin: 0 auto;\" \/><br \/>\nPoprzednie cz\u0119\u015bci cyklu \u201eWprowadzenie do SSD\u201d opowiedzia\u0142y czytelnikowi o historii powstawania dysk\u00f3w SSD, interfejsach komunikacyjnych oraz popularnych formatach. Czwarta cz\u0119\u015b\u0107 opowie o przechowywaniu danych wewn\u0105trz dysk\u00f3w.<br \/>\n<noindex><a rel=\"nofollow\" name=\"habracut\"><\/a><\/noindex><br \/>\n<i>W poprzednich artyku\u0142ach cyklu:<\/i><\/p>\n<ol>\n<li><i><noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/habr.com\/ru\/company\/selectel\/blog\/475304\/\">Historia powstania HDD i SSD<\/a><\/noindex><\/i><\/li>\n<li><i><noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/habr.com\/ru\/company\/selectel\/blog\/478684\/\">Powstanie interfejs\u00f3w dysk\u00f3w<\/a><\/noindex><\/i><\/li>\n<li><i><noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/habr.com\/ru\/company\/selectel\/blog\/488230\/\">Cechy formatu<\/a><\/noindex><\/i><\/li>\n<\/ol>\n<p>\nPrzechowywanie danych w dyskach p\u00f3\u0142przewodnikowych mo\u017cna podzieli\u0107 na dwie logiczne cz\u0119\u015bci: przechowywanie informacji w jednej kom\u00f3rce oraz organizacja przechowywania kom\u00f3rek.<\/p>\n<p>Ka\u017cda kom\u00f3rka dysku p\u00f3\u0142przewodnikowego przechowuje <b>jeden lub kilka bit\u00f3w informacji<\/b>. Do przechowywania informacji wykorzystywane s\u0105 r\u00f3\u017cne <b>procesy fizyczne<\/b>. Podczas projektowania dysk\u00f3w p\u00f3\u0142przewodnikowych brano pod uwag\u0119 nast\u0119puj\u0105ce wielko\u015bci fizyczne do kodowania informacji:<\/p>\n<ul>\n<li><b>\u0142adunki elektryczne<\/b> (w tym pami\u0119\u0107 Flash);<\/li>\n<li><b>momenty magnetyczne<\/b> (pami\u0119\u0107 magnetorezystywna);<\/li>\n<li><b>stany fazowe<\/b> (pami\u0119\u0107 zmieniaj\u0105ca stan fazowy).<\/li>\n<\/ul>\n<p><\/p>\n<h2>Pami\u0119\u0107 oparta na \u0142adunkach elektrycznych<\/h2>\n<p>\nKodowanie informacji za pomoc\u0105 na\u0142adowania ujemnego le\u017cy u podstaw kilku rozwi\u0105za\u0144:<\/p>\n<ul>\n<li>erasowalnych ultrafioletowo EEPROM (EPROM);<\/li>\n<li>elektrycznie kasowalnych EEPROM (EEPROM);<\/li>\n<li>pami\u0119ci Flash.<\/li>\n<\/ul>\n<p>\n<img decoding=\"async\" alt=\"Wprowadzenie do SSD. Cz\u0119\u015b\u0107 4. Fizyczna\" src=\"\/wp-content\/uploads\/2020\/03\/8859aa8e143aeefc0a33f8255f1708f3.png\" style=\"display:block;margin: 0 auto;\" \/><br \/>\nKa\u017cda kom\u00f3rka pami\u0119ci to <b>wielokana\u0142owy tranzystor MOSFET z p\u0142ywaj\u0105c\u0105 bramk\u0105<\/b>, w kt\u00f3rym przechowywany jest \u0142adunek ujemny. Jego r\u00f3\u017cnica wzgl\u0119dem zwyk\u0142ego tranzystora MOSFET polega na obecno\u015bci p\u0142ywaj\u0105cej bramki \u2014 przewodnika w warstwie dielektryka.<\/p>\n<p>Tworz\u0105c r\u00f3\u017cnic\u0119 potencja\u0142\u00f3w mi\u0119dzy drenem a \u017ar\u00f3d\u0142em oraz maj\u0105c dodatni potencja\u0142 na bramce, od \u017ar\u00f3d\u0142a do drenu pop\u0142ynie pr\u0105d. Jednak przy odpowiednio du\u017cej r\u00f3\u017cnicy potencja\u0142\u00f3w niekt\u00f3re elektrony \u201eprzebijaj\u0105\u201d warstw\u0119 dielektryka i trafiaj\u0105 na p\u0142ywaj\u0105c\u0105 bramk\u0119. To zjawisko nazywa si\u0119 <noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/ru.wikipedia.org\/wiki\/%D0%A2%D1%83%D0%BD%D0%BD%D0%B5%D0%BB%D1%8C%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D1%8D%D1%84%D1%84%D0%B5%D0%BA%D1%82\">efektem tunelowym.<\/a><\/noindex>.<\/p>\n<p><img decoding=\"async\" alt=\"Wprowadzenie do SSD. Cz\u0119\u015b\u0107 4. Fizyczna\" src=\"\/wp-content\/uploads\/2020\/03\/7b6141b5e53940bcc073a3ee1c327eec.png\" style=\"display:block;margin: 0 auto;\" \/><br \/>\nUjemnie na\u0142adowana p\u0142ywaj\u0105ca bramka tworzy pole elektryczne, kt\u00f3re utrudnia przep\u0142yw pr\u0105du od \u017ar\u00f3d\u0142a do drenu. Co wi\u0119cej, obecno\u015b\u0107 elektron\u00f3w w p\u0142ywaj\u0105cej bramce zwi\u0119ksza napi\u0119cie progowe, przy kt\u00f3rym tranzystor si\u0119 otwiera. Przy ka\u017cdej \u201eoperacji zapisu\u201d w p\u0142ywaj\u0105c\u0105 bramk\u0119 tranzystora warstwa dielektryka jest nieznacznie uszkadzana, co narzuca ograniczenie na liczb\u0119 cykli zapis\u00f3w ka\u017cdej kom\u00f3rki.<\/p>\n<blockquote><p>Polowe tranzystory MOSFET z p\u0142ywaj\u0105cym bramk\u0105 zosta\u0142y opracowane przez Dawona Kahnga i Simona Mina Zi\u0119 z Bell Labs w 1967 roku. P\u00f3\u017aniej, podczas badania defekt\u00f3w w uk\u0142adach scalonych, zauwa\u017cono, \u017ce z powodu \u0142adunku w p\u0142ywaj\u0105cej bramce zmieni\u0142 si\u0119 pr\u00f3g napi\u0119cia, kt\u00f3re otwiera tranzystor. Odkrycie to sk\u0142oni\u0142o Dova Frohmana do rozpocz\u0119cia prac nad pami\u0119ci\u0105 opart\u0105 na tym zjawisku.<\/p><\/blockquote>\n<p>Zmiana progu napi\u0119cia umo\u017cliwia \"programowanie\" tranzystor\u00f3w. Tranzystory z \u0142adunkiem w p\u0142ywaj\u0105cej bramce nie otworz\u0105 si\u0119, gdy na bramk\u0119 na\u0142o\u017cone zostanie napi\u0119cie wy\u017csze od progu napi\u0119cia dla tranzystora bez elektron\u00f3w, ale ni\u017csze od progu napi\u0119cia dla tranzystora z elektronami. Nazwijmy t\u0119 warto\u015b\u0107 <b>napi\u0119ciem odczytu<\/b>.<\/p>\n<h3>Erasable Programmable Read-Only Memory<\/h3>\n<p>\n<noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/ru.wikipedia.org\/wiki\/EPROM\"><img decoding=\"async\" alt=\"Wprowadzenie do SSD. Cz\u0119\u015b\u0107 4. Fizyczna\" src=\"\/wp-content\/uploads\/2020\/03\/bfe650362b93b530401453130147d679.png\" style=\"display:block;margin: 0 auto;\" \/><\/a><\/noindex><br \/>\nW 1971 roku pracownik firmy Intel, Dov Frohman, stworzy\u0142 programowaln\u0105 pami\u0119\u0107 na tranzystorach, nazwan\u0105 <b>Erasable Programmable Read-Only Memory (EPROM)<\/b>. Zapis pami\u0119ci realizowano za pomoc\u0105 specjalnego urz\u0105dzenia \u2013 programatora. Programator podaje na uk\u0142ad wy\u017csze napi\u0119cie ni\u017c to stosowane w uk\u0142adach cyfrowych, tym samym \"zapisuj\u0105c\" elektrony w p\u0142ywaj\u0105cych bramkach tranzystor\u00f3w tam, gdzie to konieczne.<\/p>\n<p><noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/ru.wikipedia.org\/wiki\/EPROM\"><img decoding=\"async\" alt=\"Wprowadzenie do SSD. Cz\u0119\u015b\u0107 4. Fizyczna\" src=\"\/wp-content\/uploads\/2020\/03\/959b0d6bac92dafb1eb4aa46ea03952c.png\" style=\"display:block;margin: 0 auto;\" \/><\/a><\/noindex><br \/>\nW pami\u0119ci EPROM nie przewidywano usuwania \u0142adunku w p\u0142ywaj\u0105cych bramkach tranzystor\u00f3w w spos\u00f3b elektryczny. Zamiast tego proponowano oddzia\u0142ywanie na tranzystory silnym promieniowaniem ultrafioletowym, kt\u00f3rego fotony dostarczaj\u0105 elektronowi energi\u0119 niezb\u0119dn\u0105 do opuszczenia p\u0142ywaj\u0105cej bramki. Aby umo\u017cliwi\u0107 dost\u0119p ultrafioletu do wn\u0119trza uk\u0142adu, na obudow\u0119 dodano szk\u0142o kwarcowe.<\/p>\n<p><noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/newsroom.intel.com\/news\/intel-50-qa-intels-dov-frohman-inventor-eprom\/#gs.wum63d\"><img decoding=\"async\" alt=\"Wprowadzenie do SSD. Cz\u0119\u015b\u0107 4. Fizyczna\" src=\"\/wp-content\/uploads\/2020\/03\/725b3ed07b0a5c5ceb285f6b7e234f08.png\" style=\"display:block;margin: 0 auto;\" \/><\/a><\/noindex><\/p>\n<blockquote><p>Frohman po raz pierwszy zaprezentowa\u0142 sw\u00f3j prototyp EPROM w lutym 1971 roku na konferencji dotycz\u0105cej uk\u0142ad\u00f3w p\u00f3\u0142przewodnikowych w Filadelfii. Gordon Moore wspomina\u0142 demonstracj\u0119: \u201eDov zaprezentowa\u0142 uk\u0142ad bit\u00f3w w kom\u00f3rkach pami\u0119ci EPROM. Gdy na kom\u00f3rki dzia\u0142a\u0142o \u015bwiat\u0142o ultrafioletowe, bity znika\u0142y jeden po drugim, a\u017c znany logo Intel ca\u0142kowicie znikn\u0119\u0142o. \u2026 Bity znika\u0142y, a kiedy ostatni znikn\u0105\u0142, ca\u0142a sala wybuch\u0142a brawami. Artyku\u0142 Dova zosta\u0142 uznany za najlepszy na konferencji.\u201d<i> \u2014 T\u0142umaczenie artyku\u0142u <noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/newsroom.intel.com\/news\/intel-at-50-erasable-programmable-read-only-memory\">newsroom.intel.com<\/a><\/noindex><\/i><\/p><\/blockquote>\n<p>Pami\u0119\u0107 EPROM jest dro\u017csza ni\u017c wcze\u015bniej stosowane \"jednorazowe\" urz\u0105dzenia do przechowywania danych (ROM), jednak mo\u017cliwo\u015b\u0107 ich ponownego programowania pozwala na szybsze debugowanie uk\u0142ad\u00f3w i skr\u00f3cenie czasu opracowywania nowego sprz\u0119tu.<\/p>\n<p>Reprogramowanie ROM za pomoc\u0105 \u015bwiat\u0142a ultrafioletowego by\u0142o znacz\u0105cym prze\u0142omem, jednak pomys\u0142 dotycz\u0105cy elektrycznego ponownego zapisu ju\u017c \"unosi\u0142 si\u0119\" w powietrzu.<\/p>\n<h3>Elektrycznie wymazywalna programowalna pami\u0119\u0107 tylko do odczytu<\/h3>\n<p>\nW 1972 roku trzech Japo\u0144czyk\u00f3w: Yasuo Tarui, Yutaka Hayashi i Kiyoko Nagai zaprezentowa\u0142o pierwsze elektrycznie wymazywalne urz\u0105dzenie pami\u0119ci (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory, EEPROM lub E2PROM). Ich badania sta\u0142y si\u0119 p\u00f3\u017aniej cz\u0119\u015bci\u0105 patent\u00f3w na komercyjne realizacje pami\u0119ci EEPROM.<\/p>\n<p>Ka\u017cda kom\u00f3rka pami\u0119ci EEPROM sk\u0142ada si\u0119 z kilku tranzystor\u00f3w:<\/p>\n<ul>\n<li>tranzystora z p\u0142ywaj\u0105c\u0105 bramk\u0105 do przechowywania bitu;<\/li>\n<li>tranzystora do zarz\u0105dzania trybem odczytu i zapisu.<\/li>\n<\/ul>\n<p>\nTaka konstrukcja znacznie komplikuje uk\u0142ad elektryczny, dlatego pami\u0119\u0107 EEPROM by\u0142a u\u017cywana w przypadkach, gdy niewielka ilo\u015b\u0107 pami\u0119ci nie by\u0142a krytyczna. Do przechowywania du\u017cych ilo\u015bci danych wci\u0105\u017c u\u017cywano EPROM.<\/p>\n<h3>Pami\u0119\u0107 Flash<\/h3>\n<p>\nPami\u0119\u0107 Flash, \u0142\u0105cz\u0105ca najlepsze cechy EPROM i EEPROM, zosta\u0142a opracowana przez japo\u0144skiego profesora Fujio Masuok\u0119, in\u017cyniera firmy Toshiba, w 1980 roku. Pierwsza wersja zosta\u0142a nazwana pami\u0119ci\u0105 Flash typu NOR i, podobnie jak jej poprzednicy, opiera si\u0119 na polowych tranzystorach MOSFET z p\u0142ywaj\u0105c\u0105 bramk\u0105.<\/p>\n<p><img decoding=\"async\" alt=\"Wprowadzenie do SSD. Cz\u0119\u015b\u0107 4. Fizyczna\" src=\"\/wp-content\/uploads\/2020\/03\/afb642e62142301a0430736f88a747a9.png\" style=\"display:block;margin: 0 auto;\" \/><br \/>\nPami\u0119\u0107 Flash typu NOR to dwuwymiarowa matryca tranzystor\u00f3w. Bramki tranzystor\u00f3w s\u0105 pod\u0142\u0105czone do linii s\u0142\u00f3w, a kolektory - do linii bit\u00f3w. Gdy napi\u0119cie jest podawane na lini\u0119 s\u0142\u00f3w, tranzystory zawieraj\u0105ce elektrony, czyli przechowuj\u0105ce \"jeden\", si\u0119 nie otwieraj\u0105, a pr\u0105d nie p\u0142ynie. Na podstawie obecno\u015bci lub braku pr\u0105du na linii bitu mo\u017cna okre\u015bli\u0107 warto\u015b\u0107 bitu.<\/p>\n<p><img decoding=\"async\" alt=\"Wprowadzenie do SSD. Cz\u0119\u015b\u0107 4. Fizyczna\" src=\"\/wp-content\/uploads\/2020\/03\/53a8762b0e7cec9b6ebdf5fb91e9b328.png\" style=\"display:block;margin: 0 auto;\" \/><br \/>\nSiedem lat p\u00f3\u017aniej Fujio Masuoka opracowa\u0142 pami\u0119\u0107 Flash typu NAND. Ten rodzaj pami\u0119ci r\u00f3\u017cni si\u0119 ilo\u015bci\u0105 tranzystor\u00f3w w linii bit\u00f3w. W pami\u0119ci typu NOR ka\u017cdy tranzystor jest bezpo\u015brednio pod\u0142\u0105czony do linii bit\u00f3w, podczas gdy w pami\u0119ci NAND tranzystory s\u0105 po\u0142\u0105czone szeregowo.<\/p>\n<p><img decoding=\"async\" alt=\"Wprowadzenie do SSD. Cz\u0119\u015b\u0107 4. Fizyczna\" src=\"\/wp-content\/uploads\/2020\/03\/14db892a94f6bf36fe3f9dc8f5ad76c3.png\" style=\"display:block;margin: 0 auto;\" \/><br \/>\nOdczyt z pami\u0119ci takiej konfiguracji jest trudniejszy: na odpowiedni\u0105 lini\u0119 s\u0142owa dostarczane jest napi\u0119cie niezb\u0119dne do odczytu, a na wszystkie pozosta\u0142e linie s\u0142owa dostarczane jest napi\u0119cie, kt\u00f3re otwiera tranzystor niezale\u017cnie od poziomu \u0142adunku w nim. Poniewa\u017c wszystkie inne tranzystory s\u0105 gwarantowanie otwarte, to obecno\u015b\u0107 napi\u0119cia na linii bitowej zale\u017cy tylko od jednego tranzystora, na kt\u00f3re podano napi\u0119cie odczytu.<\/p>\n<p>Wynalazek pami\u0119ci Flash typu NAND pozwala znacznie zag\u0119\u015bci\u0107 schemat, umieszczaj\u0105c wi\u0119ksz\u0105 obj\u0119to\u015b\u0107 pami\u0119ci w tych samych rozmiarach. Do 2007 roku obj\u0119to\u015b\u0107 pami\u0119ci zwi\u0119kszano poprzez zmniejszenie procesu technologicznego produkcji chip\u00f3w.<\/p>\n<p>W 2007 roku firma Toshiba zaprezentowa\u0142a now\u0105 wersj\u0119 pami\u0119ci NAND: <b>Vertical NAND (V-NAND)<\/b>, znan\u0105 r\u00f3wnie\u017c jako <b>3D NAND<\/b>. W tej technologii skupiono si\u0119 na umieszczeniu tranzystor\u00f3w w kilku warstwach, co ponownie pozwala na zag\u0119szczenie schematu i zwi\u0119kszenie obj\u0119to\u015bci pami\u0119ci. Niemniej jednak, zag\u0119szczenie schematu nie mo\u017ce nast\u0119powa\u0107 w niesko\u0144czono\u015b\u0107, dlatego badano inne metody zwi\u0119kszenia przechowywanej obj\u0119to\u015bci pami\u0119ci.<\/p>\n<p><img decoding=\"async\" alt=\"Wprowadzenie do SSD. Cz\u0119\u015b\u0107 4. Fizyczna\" src=\"\/wp-content\/uploads\/2020\/03\/11bbf1b13a91ae464c305fac941218ec.png\" style=\"display:block;margin: 0 auto;\" \/><br \/>\nPocz\u0105tkowo ka\u017cdy tranzystor przechowywa\u0142 dwa poziomy \u0142adunku: logiczne zero i logiczn\u0105 jedynk\u0119. Takie podej\u015bcie nazywa si\u0119 <b>Single-Level Cell (SLC)<\/b>. No\u015bniki z t\u0105 technologi\u0105 charakteryzuj\u0105 si\u0119 wysok\u0105 niezawodno\u015bci\u0105 i maksymaln\u0105 liczb\u0105 cykli zapisu.<\/p>\n<p>Z czasem podj\u0119to decyzj\u0119 o zwi\u0119kszeniu obj\u0119to\u015bci no\u015bnik\u00f3w kosztem wytrzyma\u0142o\u015bci. Tak liczba poziom\u00f3w \u0142adunku w kom\u00f3rce wzros\u0142a do czterech, a technologi\u0119 nazwano <b>Multi-Level Cell (MLC)<\/b>. Nast\u0119pnie pojawi\u0142y si\u0119 <b>Triple-Level Cell (TLC)<\/b> i <b>Quad-Level Cell (QLC)<\/b>. W przysz\u0142o\u015bci pojawi si\u0119 nowy poziom \u2014 <b>Penta-Level Cell (PLC)<\/b> z pi\u0119cioma bitami w jednej kom\u00f3rce. Im wi\u0119cej bit\u00f3w jest umieszczonych w jednej kom\u00f3rce, tym wi\u0119ksza obj\u0119to\u015b\u0107 no\u015bnika przy tej samej cenie, ale mniejsza wytrzyma\u0142o\u015b\u0107.<\/p>\n<p>Zag\u0119szczenie schematu poprzez zmniejszenie procesu technologicznego i zwi\u0119kszenie liczby bit\u00f3w w jednym tranzystorze negatywnie wp\u0142ywa na przechowywane dane. Mimo \u017ce w EPROM i EEPROM u\u017cywane s\u0105 te same tranzystory, EPROM i EEPROM mog\u0105 przechowywa\u0107 dane bez zasilania przez dziesi\u0119\u0107 lat, podczas gdy nowoczesna pami\u0119\u0107 Flash mo\u017ce wszystko \"zapomnie\u0107\" ju\u017c po roku.<\/p>\n<blockquote><p>Wykorzystanie pami\u0119ci Flash w przemy\u015ble kosmicznym jest utrudnione, poniewa\u017c promieniowanie ma szkodliwy wp\u0142yw na elektrony w p\u0142ywaj\u0105cych bramkach.<\/p><\/blockquote>\n<p>Wymienione problemy uniemo\u017cliwiaj\u0105 pami\u0119ci flash zdobycie absolutnego prowadzenia w zakresie przechowywania informacji. Mimo \u017ce no\u015bniki oparte na pami\u0119ci flash s\u0105 szeroko rozpowszechnione, prowadzone s\u0105 badania nad innymi rodzajami pami\u0119ci, kt\u00f3re nie maj\u0105 tych wad, w tym nad przechowywaniem informacji w momentach magnetycznych i stanach fazowych.<\/p>\n<h2>Pami\u0119\u0107 magnetorezystywna<\/h2>\n<p>\n<noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/www.youtube.com\/watch?v=lne8r2mIwuA\"><img decoding=\"async\" alt=\"Wprowadzenie do SSD. Cz\u0119\u015b\u0107 4. Fizyczna\" src=\"\/wp-content\/uploads\/2020\/03\/12ad7d4ed598506d78199c56e91a3831.png\" style=\"display:block;margin: 0 auto;\" \/><\/a><\/noindex><br \/>\nKodowanie informacji w momentach magnetycznych pojawi\u0142o si\u0119 w 1955 roku w postaci pami\u0119ci na rdzeniach magnetycznych. Do po\u0142owy lat 70. XX wieku pami\u0119\u0107 ferrytowa by\u0142a g\u0142\u00f3wnym rodzajem pami\u0119ci. Odczyt bitu z takiego typu pami\u0119ci prowadzi\u0142 do rozmagnesowania rdzenia i utraty informacji. W zwi\u0105zku z tym po odczycie bitu nale\u017ca\u0142o go ponownie zapisa\u0107.<\/p>\n<p>W nowoczesnych rozwini\u0119ciach pami\u0119ci magnetorezystywnej zamiast rdzeni u\u017cywane s\u0105 dwie warstwy ferromagnetyka, oddzielone dielektrykiem. Jedna warstwa jest sta\u0142ym magnesem, a druga zmienia kierunek namagnesowania. Odczyt bitu z takiej kom\u00f3rki sprowadza si\u0119 do pomiaru oporu podczas przepuszczania pr\u0105du: je\u015bli warstwy s\u0105 namagnesowane w przeciwnych kierunkach, to op\u00f3r jest wi\u0119kszy, co odpowiada warto\u015bci \u201e1\u201d.<\/p>\n<p>Pami\u0119\u0107 ferrytowa nie wymaga sta\u0142ego \u017ar\u00f3d\u0142a zasilania do utrzymania zapisanych informacji, jednak pole magnetyczne kom\u00f3rki mo\u017ce wp\u0142ywa\u0107 na 's\u0105siada', co nak\u0142ada ograniczenia na g\u0119sto\u015b\u0107 uk\u0142adu.<\/p>\n<blockquote><p>Zgodnie z <noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/www.jedec.org\/sites\/default\/files\/Alvin_Cox%20%5BCompatibility%20Mode%5D_0.pdf\">JEDEC<\/a><\/noindex> Dyski SSD oparte na pami\u0119ci flash musz\u0105 przechowywa\u0107 informacje bez zasilania przez co najmniej trzy miesi\u0105ce w temperaturze otoczenia 40\u00b0C. Opracowany przez Intel <noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/3dnews.ru\/983125\">uk\u0142ad oparty na pami\u0119ci magnetorezystywnej<\/a><\/noindex> obiecuje zachowa\u0107 dane przez dziesi\u0119\u0107 lat w temperaturze 200\u00b0C.<\/p><\/blockquote>\n<p>Mimo trudno\u015bci w rozwoju, pami\u0119\u0107 magnetorezystywna nie degraduje si\u0119 w trakcie u\u017cytkowania i charakteryzuje si\u0119 lepsz\u0105 wydajno\u015bci\u0105 w por\u00f3wnaniu do innych rodzaj\u00f3w pami\u0119ci, co sprawia, \u017ce nie mo\u017cna skre\u015bli\u0107 tego typu pami\u0119ci.<\/p>\n<h2>Pami\u0119\u0107 zmieniaj\u0105ca stan fazowy<\/h2>\n<p>\nTrzeci obiecuj\u0105cy typ pami\u0119ci \u2014 pami\u0119\u0107 oparta na przej\u015bciu fazowym. Ten rodzaj pami\u0119ci wykorzystuje w\u0142a\u015bciwo\u015bci chalcogenk\u00f3w do prze\u0142\u0105czania si\u0119 mi\u0119dzy stanem krystalicznym a amorficznym pod wp\u0142ywem ciep\u0142a.<\/p>\n<blockquote><p><b>Chalcogenki<\/b> \u2014 po\u0142\u0105czenia metali z grupy 16 (6. grupy podgrupy g\u0142\u00f3wnej) okresu uk\u0142adu okresowego Mendelejewa. Na przyk\u0142ad, w dyskach CD-RW, DVD-RW, DVD-RAM i Blu-ray u\u017cywa si\u0119 tellurku germanowego (GeTe) i tellurku antymonu (III) (Sb2Te3).<\/p><\/blockquote>\n<p>Badania nad zastosowaniem przej\u015bcia fazowego do przechowywania informacji by\u0142y prowadzone w <b>latach 60-tych<\/b> XX wieku przez Stanforda Ovshinsky'ego, ale wtedy nie dosz\u0142o do komercyjnej realizacji. W latach 2000 znowu wzros\u0142o zainteresowanie t\u0105 technologi\u0105, Samsung opatentowa\u0142 technologi\u0119 umo\u017cliwiaj\u0105c\u0105 prze\u0142\u0105czanie bitu w czasie 5 ns, a Intel i STMicroelectronics zwi\u0119kszyli liczb\u0119 stan\u00f3w do czterech, tym samym podwajaj\u0105c potencjaln\u0105 pojemno\u015b\u0107.<\/p>\n<p>Podgrzewanie powy\u017cej punktu topnienia powoduje, \u017ce chalcogenid traci struktur\u0119 krystaliczn\u0105 i, ch\u0142odz\u0105c si\u0119, zamienia si\u0119 w form\u0119 amorficzn\u0105, charakteryzuj\u0105c\u0105 si\u0119 wysokim oporem elektrycznym. Natomiast przy ogrzewaniu do temperatury powy\u017cej punktu krystalizacji, ale poni\u017cej punktu topnienia, chalcogenid powraca do stanu krystalicznego o niskim poziomie oporu.<\/p>\n<p>Pami\u0119\u0107 z przej\u015bciem fazowym nie wymaga 'do\u0142adowania' w czasie, a tak\u017ce nie jest wra\u017cliwa na promieniowanie, w przeciwie\u0144stwie do pami\u0119ci opartej na \u0142adunkach elektrycznych. Tego typu pami\u0119\u0107 mo\u017ce przechowywa\u0107 informacje przez 300 lat w temperaturze 85\u00b0C.<\/p>\n<p>Uwa\u017ca si\u0119, \u017ce opracowanie firmy Intel, technologia <b>3D Crosspoint (3D XPoint)<\/b> stosuje w\u0142a\u015bnie przej\u015bcia fazowe do przechowywania informacji. 3D XPoint jest u\u017cywana w pami\u0119ciach Intel&reg; Optane&trade; Memory, dla kt\u00f3rych deklarowana jest wysoka odporno\u015b\u0107 na zu\u017cycie.<\/p>\n<h2>Podsumowanie<\/h2>\n<p>\nFizyczne urz\u0105dzenie dysk\u00f3w p\u00f3\u0142przewodnikowych przesz\u0142o wiele zmian przez ponad p\u00f3\u0142wieczn\u0105 histori\u0119, jednak ka\u017cde z rozwi\u0105za\u0144 ma swoje wady. Pomimo niezaprzeczalnej popularno\u015bci pami\u0119ci Flash, kilka firm, w tym Samsung i Intel, bada mo\u017cliwo\u015bci stworzenia pami\u0119ci na zasadzie moment\u00f3w magnetycznych.<\/p>\n<p>Zmniejszenie zu\u017cycia kom\u00f3rek, ich zag\u0119szczenie oraz zwi\u0119kszenie og\u00f3lnej pojemno\u015bci no\u015bnika \u2014 to kierunki, kt\u00f3re obecnie s\u0105 obiecuj\u0105ce dla dalszego rozwoju dysk\u00f3w p\u00f3\u0142przewodnikowych.<\/p>\n<blockquote><p>Mo\u017cesz ju\u017c teraz przetestowa\u0107 najnowocze\u015bniejsze no\u015bniki NAND i 3D XPoint w naszym <noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"http:\/\/slc.tl\/S-MoX\">Selectel LAB<\/a><\/noindex>.<\/p><\/blockquote>\n<p>Jak my\u015blisz, czy technologia przechowywania informacji na \u0142adunkach elektrycznych zostanie wyparta przez inne, na przyk\u0142ad przez dyski kwarcowe lub pami\u0119\u0107 optyczn\u0105 na nanokrystalach soli?<br \/>\n<br \/>\u0179r\u00f3d\u0142o: <a content=\"nofollow\" rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/habr.com\/ru\/company\/selectel\/blog\/491264\/\">habr.com<\/a> <\/p>","protected":false,"gt_translate_keys":[{"key":"rendered","format":"html"}]},"excerpt":{"rendered":"<p>\u041f\u0440\u043e\u0448\u043b\u044b\u0435 \u0447\u0430\u0441\u0442\u0438 \u0446\u0438\u043a\u043b\u0430 \u00ab\u0412\u0432\u0435\u0434\u0435\u043d\u0438\u0435 \u0432 SSD\u00bb \u043f\u043e\u0432\u0435\u0434\u0430\u043b\u0438 \u0447\u0438\u0442\u0430\u0442\u0435\u043b\u044e \u043f\u0440\u043e \u0438\u0441\u0442\u043e\u0440\u0438\u044e \u043f\u043e\u044f\u0432\u043b\u0435\u043d\u0438\u044f SSD-\u043d\u0430\u043a\u043e\u043f\u0438\u0442\u0435\u043b\u0435\u0439, \u0438\u043d\u0442\u0435\u0440\u0444\u0435\u0439\u0441\u044b \u0432\u0437\u0430\u0438\u043c\u043e\u0434\u0435\u0439\u0441\u0442\u0432\u0438\u044f \u0441 \u043d\u0438\u043c\u0438 \u0438 \u043f\u043e\u043f\u0443\u043b\u044f\u0440\u043d\u044b\u0435 \u0444\u043e\u0440\u043c-\u0444\u0430\u043a\u0442\u043e\u0440\u044b. \u0427\u0435\u0442\u0432\u0451\u0440\u0442\u0430\u044f \u0447\u0430\u0441\u0442\u044c \u0440\u0430\u0441\u0441\u043a\u0430\u0436\u0435\u0442 \u043e \u0445\u0440\u0430\u043d\u0435\u043d\u0438\u0438 \u0434\u0430\u043d\u043d\u044b\u0445 \u0432\u043d\u0443\u0442\u0440\u0438 \u043d\u0430\u043a\u043e\u043f\u0438\u0442\u0435\u043b\u0435\u0439. \u0412 \u043f\u0440\u0435\u0434\u044b\u0434\u0443\u0449\u0438\u0445 \u0441\u0442\u0430\u0442\u044c\u044f\u0445 \u0446\u0438\u043a\u043b\u0430: \u0418\u0441\u0442\u043e\u0440\u0438\u044f \u0441\u043e\u0437\u0434\u0430\u043d\u0438\u044f HDD \u0438 SSD \u0412\u043e\u0437\u043d\u0438\u043a\u043d\u043e\u0432\u0435\u043d\u0438\u0435 \u0438\u043d\u0442\u0435\u0440\u0444\u0435\u0439\u0441\u043e\u0432 \u043d\u0430\u043a\u043e\u043f\u0438\u0442\u0435\u043b\u0435\u0439 \u041e\u0441\u043e\u0431\u0435\u043d\u043d\u043e\u0441\u0442\u0438 \u0444\u043e\u0440\u043c-\u0444\u0430\u043a\u0442\u043e\u0440\u043e\u0432 \u0425\u0440\u0430\u043d\u0435\u043d\u0438\u0435 \u0434\u0430\u043d\u043d\u044b\u0445 \u0432 \u0442\u0432\u0435\u0440\u0434\u043e\u0442\u0435\u043b\u044c\u043d\u044b\u0445 \u043d\u0430\u043a\u043e\u043f\u0438\u0442\u0435\u043b\u044f\u0445 \u043c\u043e\u0436\u043d\u043e \u0440\u0430\u0437\u0434\u0435\u043b\u0438\u0442\u044c \u043d\u0430 \u0434\u0432\u0435 \u043b\u043e\u0433\u0438\u0447\u0435\u0441\u043a\u0438\u0435 \u0447\u0430\u0441\u0442\u0438: \u0445\u0440\u0430\u043d\u0435\u043d\u0438\u0435 \u0438\u043d\u0444\u043e\u0440\u043c\u0430\u0446\u0438\u0438 \u0432 [&hellip;]<\/p>\n","protected":false,"gt_translate_keys":[{"key":"rendered","format":"html"}]},"author":1,"featured_media":73398,"comment_status":"open","ping_status":"open","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"footnotes":""},"categories":[688],"tags":[],"class_list":["post-73397","post","type-post","status-publish","format-standard","has-post-thumbnail","hentry","category-administrirovanie"],"aioseo_notices":[],"aioseo_head":"\n\t\t<!-- All in One SEO 5.0.1.1 - aioseo.com -->\n\t<meta name=\"robots\" content=\"max-image-preview:large\" \/>\n\t<meta name=\"author\" content=\"Yuri Gagarin\"\/>\n\t<link rel=\"canonical\" href=\"https:\/\/prohoster.info\/pl\/blog\/administrirovanie\/vvedenie-v-ssd-chast-4-fizicheskaya\" \/>\n\t<meta name=\"generator\" content=\"All in One SEO (AIOSEO) 5.0.1.1\" \/>\n\t\t<meta property=\"og:locale\" content=\"pl_PL\" \/>\n\t\t<meta property=\"og:site_name\" content=\"ProHoster | \u041a\u0443\u043f\u0438\u0442\u044c \u043d\u0430\u0434\u0435\u0436\u043d\u044b\u0439 \u0445\u043e\u0441\u0442\u0438\u043d\u0433 \u0434\u043b\u044f \u0441\u0430\u0439\u0442\u043e\u0432 \u0441 \u0437\u0430\u0449\u0438\u0442\u043e\u0439 \u043e\u0442 DDoS, VPS VDS \u0441\u0435\u0440\u0432\u0435\u0440\u044b\" \/>\n\t\t<meta property=\"og:type\" content=\"article\" \/>\n\t\t<meta property=\"og:title\" content=\"\ud83e\udd47\u0412\u0432\u0435\u0434\u0435\u043d\u0438\u0435 \u0432 SSD. \u0427\u0430\u0441\u0442\u044c 4. \u0424\u0438\u0437\u0438\u0447\u0435\u0441\u043a\u0430\u044f | ProHoster\" \/>\n\t\t<meta property=\"og:url\" content=\"https:\/\/prohoster.info\/pl\/blog\/administrirovanie\/vvedenie-v-ssd-chast-4-fizicheskaya\" \/>\n\t\t<meta property=\"og:image\" content=\"https:\/\/prohoster.info\/wp-content\/uploads\/2021\/11\/logo-350.jpg\" \/>\n\t\t<meta property=\"og:image:secure_url\" content=\"https:\/\/prohoster.info\/wp-content\/uploads\/2021\/11\/logo-350.jpg\" \/>\n\t\t<meta property=\"og:image:width\" content=\"350\" \/>\n\t\t<meta property=\"og:image:height\" content=\"350\" \/>\n\t\t<meta property=\"article:published_time\" content=\"2020-03-09T05:42:28+00:00\" \/>\n\t\t<meta property=\"article:modified_time\" content=\"2020-03-09T05:42:28+00:00\" \/>\n\t\t<meta property=\"article:publisher\" content=\"https:\/\/www.facebook.com\/prohoster\" \/>\n\t\t<meta property=\"article:author\" content=\"https:\/\/www.facebook.com\/prohoster\" \/>\n\t\t<!-- All in One SEO -->\n\n","aioseo_head_json":{"title":"\ud83e\udd47Wprowadzenie do SSD. Cz\u0119\u015b\u0107 4. Fizyczna | ProHoster","description":"","canonical_url":"https:\/\/prohoster.info\/pl\/blog\/administrirovanie\/vvedenie-v-ssd-chast-4-fizicheskaya","robots":"max-image-preview:large","keywords":"","webmasterTools":{"miscellaneous":""},"schema":null,"og:locale":"pl_PL","og:site_name":"ProHoster | \u041a\u0443\u043f\u0438\u0442\u044c \u043d\u0430\u0434\u0435\u0436\u043d\u044b\u0439 \u0445\u043e\u0441\u0442\u0438\u043d\u0433 \u0434\u043b\u044f \u0441\u0430\u0439\u0442\u043e\u0432 \u0441 \u0437\u0430\u0449\u0438\u0442\u043e\u0439 \u043e\u0442 DDoS, VPS VDS \u0441\u0435\u0440\u0432\u0435\u0440\u044b","og:type":"article","og:title":"\ud83e\udd47\u0412\u0432\u0435\u0434\u0435\u043d\u0438\u0435 \u0432 SSD. \u0427\u0430\u0441\u0442\u044c 4. \u0424\u0438\u0437\u0438\u0447\u0435\u0441\u043a\u0430\u044f | ProHoster","og:url":"https:\/\/prohoster.info\/pl\/blog\/administrirovanie\/vvedenie-v-ssd-chast-4-fizicheskaya","og:image":"https:\/\/prohoster.info\/wp-content\/uploads\/2021\/11\/logo-350.jpg","og:image:secure_url":"https:\/\/prohoster.info\/wp-content\/uploads\/2021\/11\/logo-350.jpg","og:image:width":350,"og:image:height":350,"article:published_time":"2020-03-09T05:42:28+00:00","article:modified_time":"2020-03-09T05:42:28+00:00","article:publisher":"https:\/\/www.facebook.com\/prohoster","article:author":"https:\/\/www.facebook.com\/prohoster"},"aioseo_meta_data":{"post_id":"73397","title":null,"description":null,"keywords":null,"keyphrases":null,"primary_term":null,"canonical_url":null,"og_title":null,"og_description":null,"og_object_type":"default","og_image_type":"default","og_image_url":null,"og_image_width":null,"og_image_height":null,"og_image_custom_url":null,"og_image_custom_fields":null,"og_video":null,"og_custom_url":null,"og_article_section":null,"og_article_tags":null,"twitter_use_og":false,"twitter_card":"default","twitter_image_type":"default","twitter_image_url":null,"twitter_image_custom_url":null,"twitter_image_custom_fields":null,"twitter_title":null,"twitter_description":null,"schema":{"blockGraphs":[],"customGraphs":[],"default":{"data":{"Article":[],"Course":[],"Dataset":[],"FAQPage":[],"Movie":[],"Person":[],"Product":[],"ProductReview":[],"Car":[],"Recipe":[],"Service":[],"SoftwareApplication":[],"WebPage":[]},"graphName":"","isEnabled":true},"graphs":[]},"schema_type":null,"schema_type_options":null,"pillar_content":false,"robots_default":true,"robots_noindex":false,"robots_noarchive":false,"robots_nosnippet":false,"robots_nofollow":false,"robots_noimageindex":false,"robots_noodp":false,"robots_notranslate":false,"robots_max_snippet":null,"robots_max_videopreview":null,"robots_max_imagepreview":"large","priority":null,"frequency":null,"local_seo":null,"seo_analyzer_scan_date":null,"breadcrumb_settings":null,"limit_modified_date":false,"reviewed_by":null,"ai":null,"created":"2021-02-28 18:33:27","updated":"2022-09-27 21:23:30","focus_keyword":null,"additional_keywords":null,"truseo_locale":null},"gt_translate_keys":[{"key":"link","format":"url"}],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/prohoster.info\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/73397","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/prohoster.info\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/prohoster.info\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/prohoster.info\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/prohoster.info\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=73397"}],"version-history":[{"count":0,"href":"https:\/\/prohoster.info\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/73397\/revisions"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/prohoster.info\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/media\/73398"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/prohoster.info\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=73397"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/prohoster.info\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=73397"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/prohoster.info\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=73397"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}