موږ له یو ځل څخه ډیر یادونه کړې چې د بریښنا رسولو "زموږ هرڅه" کیږي. ګرځنده برقیات، بریښنایی وسایط، د شیانو انټرنیټ، د انرژی ذخیره او نور ډیر څه د بریښنا رسولو او ولتاژ بدلولو پروسه په برقیاتو کې لومړی خورا مهم پوستونو ته راوړي. د موادو په کارولو سره د چپس او جلا عناصرو تولید لپاره ټیکنالوژي لکه (GaN). په ورته وخت کې ، هیڅوک به پدې حقیقت سره شخړه ونه کړي چې مدغم شوي حلونه د حلونو د موافقت له پلوه او د ډیزاین او تولید په برخه کې د پیسو سپمولو له پلوه له جلا حلونو څخه غوره دي. په دې وروستیو کې، د PCIM 2019 کنفرانس کې، څیړونکي د بلجیم مرکز Imec څخه په واضح ډول د GaN پر بنسټ د واحد چپ بریښنا رسولو (inverters) په هیڅ ډول ساینسي افسانه نه ده، مګر د نږدې راتلونکي مسله ده.
په SOI (سیلیکون آن انسولټر) ویفرونو کې د سیلیکون ټیکنالوژۍ کې د ګیلیم نایټرایډ په کارولو سره ، د Imec متخصصینو یو واحد چپ نیم پل کنورټر رامینځته کړ. دا د ولتاژ انورټرونو رامینځته کولو لپاره د بریښنا سویچونو (ټرانسسټرونو) سره وصل کولو لپاره له دریو کلاسیک انتخابونو څخه یو دی. عموما، د سرکټ پلي کولو لپاره، د جلا عناصرو سیټ اخیستل کیږي. د یو ځانګړي کمپیکٹیت ترلاسه کولو لپاره ، د عناصرو سیټ هم په یو عام کڅوړه کې ځای په ځای شوی ، کوم چې دا حقیقت نه بدلوي چې سرکټ د انفرادي برخو څخه راټول شوی. بلجیم وکولی شول د نیم پل شاوخوا ټول عناصر په یو واحد کرسټال کې بیا تولید کړي: ټرانزیسټرونه، کپیسیټرونه او مقاومت کونکي. حل دا ممکنه کړې چې د یو شمیر پرازیتي پدیدو په کمولو سره د ولټاژ تبادلې موثریت زیات کړي چې معمولا د تبادلې سرکټونو سره وي.
په کنفرانس کې ښودل شوي پروټوټایپ کې، مدغم شوي GaN-IC چپ د 48-ولټ ان پټ ولټاژ په 1-ولټ تولید ولټاژ کې د 1 MHz د سویچ فریکونسۍ سره بدل کړ. حل ممکن خورا ګران ښکاري ، په ځانګړي توګه د SOI ویفرونو کارولو په پام کې نیولو سره ، مګر څیړونکي ټینګار کوي چې د ادغام لوړه کچه د لګښتونو څخه ډیر څه کوي. د جلا اجزاو څخه د انورټرونو تولید به د تعریف له مخې خورا ګران وي.
سرچینه: 3dnews.ru