نن سهار په سیول ، سویلي کوریا کې ، انټیل د "یادونې او ذخیره کولو ورځ 2019" پیښه ترسره کړه چې د حافظې او سالډ ریاست ډرایو بازار کې راتلونکي پلانونو ته وقف شوې. هلته، د شرکت استازو د راتلونکي Optane ماډلونو په اړه خبرې وکړې، د پنځه-bit PLC NAND (پینټا لیول سیل) پراختیا کې پرمختګ او نورو ژمنو ټیکنالوژیو چې دا پالن لري په راتلونکو کلونو کې وده ورکړي. انټیل د اوږدې مودې لپاره په ډیسټاپ کمپیوټرونو کې د غیر بې ثباته RAM معرفي کولو او د دې برخې لپاره د پیژندل شوي SSDs نوي ماډلونو په اړه هم خبرې وکړې.
د روانو پرمختګونو په اړه د Intel د پریزنټشن ترټولو غیر متوقع برخه د PLC NAND په اړه کیسه وه - د فلش حافظې حتی خورا سخت ډول. شرکت ټینګار کوي چې په تیرو دوه کلونو کې ، په نړۍ کې د تولید شوي ډیټا ټولټال مقدار دوه چنده شوی ، نو د څلور بټ QLC NAND پراساس ډرایو نور د دې ستونزې لپاره ښه حل نه بریښي - صنعت ځینې اختیارونو ته اړتیا لري د لوړ سره. د ذخیره کولو کثافت. محصول باید د پینټا لیول سیل (PLC) فلش حافظه وي ، چې هر حجره په یوځل کې پنځه بټونه ذخیره کوي. په دې توګه، د فلش حافظې ډولونه به ډیر ژر د SLC-MLC-TLC-QLC-PLC په څیر ښکاري. نوی PLC NAND به د SLC په پرتله پنځه چنده ډیر ډیټا ذخیره کړي ، مګر البته د ټیټ فعالیت او اعتبار سره ، ځکه چې کنټرولر باید د پنځه بټونو لیکلو او لوستلو لپاره د حجرې چارج 32 مختلف حالتونو ترمینځ توپیر وکړي. .
دا د یادولو وړ ده چې انټیل یوازې د دې په لټه کې نه دی چې حتی ډیر فلش حافظه رامینځته کړي. توشیبا د اګست په میاشت کې د فلش حافظې غونډې په جریان کې د PLC NAND رامینځته کولو پلانونو په اړه هم خبرې وکړې. په هرصورت، د انټیل ټیکنالوژي د پام وړ توپیر لري: شرکت د فلوټینګ ګیټ حافظې حجرې کاروي، پداسې حال کې چې د توشیبا ډیزاین د چارج جال پر بنسټ حجرو شاوخوا جوړ شوي. د معلوماتو د ذخیره کولو کثافت زیاتوالي سره، یو تیر شوی دروازه غوره حل ښکاري، ځکه چې دا په حجرو کې د متقابل نفوذ او چارج جریان کموي او د لږو غلطیو سره د معلوماتو لوستل ممکن کوي. په بل عبارت، د Intel ډیزاین د کثافت زیاتوالي لپاره غوره دی، کوم چې د سوداګریزو موجودو QLC NAND ازموینې پایلو لخوا تایید شوی چې د مختلف ټیکنالوژیو په کارولو سره جوړ شوی. دا ډول ازموینې ښیي چې د تیرې دروازې پراساس د QLC حافظې حجرو کې د معلوماتو تخریب د چارج جال سره د QLC NAND حجرو په پرتله دوه یا درې ځله ورو پیښیږي.
د دې شالید پروړاندې ، هغه معلومات چې مایکرون پریکړه کړې چې د خپل فلش حافظې پراختیا د انټیل سره شریک کړي ، د نورو شیانو په مینځ کې ، د چارج ټریپ حجرو کارولو ته د تیرولو لیوالتیا له امله ، خورا په زړه پوري ښکاري. Intel اصلي ټیکنالوژۍ ته ژمن پاتې کیږي او په سیستماتیک ډول یې په ټولو نویو حلونو کې پلي کوي.
د PLC NAND سربیره، چې لاهم د پراختیا په حال کې دی، انټیل اراده لري چې د نورو، ډیر ارزانه ټیکنالوژیو په کارولو سره په فلش حافظه کې د معلوماتو ذخیره کولو کثافت زیات کړي. په ځانګړې توګه، شرکت د 96-layer QLC 3D NAND لوی تولید ته نږدې لیږد تایید کړ: دا به په نوي مصرف کونکي ډرایو کې وکارول شي .
دا به د 144-پرت QLC 3D NAND په تولید کې ماسټر کولو سره تعقیب شي - دا به راتلونکی کال د تولید ډرایو ته زیان ورسوي. دا په زړه پورې ده چې انټیل تر دې دمه د مونولیتیک کرسټالونو درې ځله سولډرینګ کارولو لپاره کومه اراده رد کړې ، نو پداسې حال کې چې د 96 پرت ډیزاین د دوه 48 پرت کرسټالونو عمودی مجلس پکې شامل دی ، د 144 پرت ټیکنالوژي به ظاهرا د 72 پرت پراساس وي. "نیم جوړ شوي محصولات".
د QLC 3D NAND کرسټالونو کې د پرتونو د شمیر زیاتوالي سره، د انټیل پراختیا کونکي لاهم اراده نلري چې پخپله د کرسټال ظرفیت لوړ کړي. د 96- او 144-پرت ټیکنالوژیو پراساس، ورته terabit کرسټالونه به د لومړي نسل 64-layer QLC 3D NAND په توګه تولید شي. دا د دې پراساس د SSDs چمتو کولو غوښتنې له امله دی چې د منلو وړ فعالیت سره. د 144 پرت حافظه کارولو لپاره لومړی SSDs به د Arbordale + سرور ډرایو وي.
سرچینه: 3dnews.ru