سامسنګ د EUV سکینرونو په کارولو سره د سیمیکمډکټر لیتوګرافي کې د خپلې مخکښې ګټې څخه پوره ګټه پورته کوي. لکه څنګه چې TSMC د جون په میاشت کې د 13,5 nm سکینرونو کارولو پیل کولو ته چمتو کوي، د 7 nm پروسې په دویم نسل کې د چپس تولیدولو لپاره یې تطبیقوي، سامسنګ ژور غوطه کوي او د 5 nm ډیزاین معیارونو سره د تخنیکي پروسې د پراختیا بشپړیدو په اړه. سربیره پردې ، د سویلي کوریا لوی شرکت د څو ډیزاین ویفرونو تولید لپاره د 5-nm حلونو تولید لپاره د امرونو منلو پیل اعلان کړ. دا پدې مانا ده چې سامسنګ چمتو دی چې د 5 nm معیارونو سره ډیجیټل چپ ډیزاین ومني او د 5 nm سیلیکون کار کولو پیلوټ بیچونه تولید کړي.
د شرکت سره مرسته کول د EUV سره د 7nm پروسس ټیکنالوژۍ وړاندیز کولو څخه د EUV سره د 5nm حلونو تولید لپاره ګړندي حرکت کول دا حقیقت و چې سامسنګ د ډیزاین عناصرو (IP) ، ډیزاین وسیلو ، او تفتیش وسیلو ترمینځ مداخله ساتلې. د نورو شیانو په مینځ کې ، دا پدې معنی ده چې د شرکت پیرودونکي به د ډیزاین وسیلو پیرود ، ازموینې او چمتو شوي IP بلاکونو کې پیسې خوندي کړي. د ډیزاین، میتودولوژي (DM، ډیزاین میتودولوژي) او د EDA اتوماتیک ډیزاین پلیټ فارمونو لپاره PDKs د تیر کال په څلورم ربع کې د EUV سره د سامسنګ 7-nm معیارونو لپاره د چپس پراختیا برخې په توګه شتون درلود. دا ټول وسایل به د ډیجیټل پروژو پراختیا هم د FinFET ټرانزیسټرونو سره د 5 nm پروسې ټیکنالوژۍ لپاره تضمین کړي.
د EUV سکینرونو په کارولو سره د 7nm پروسې په پرتله، کوم چې شرکت تیر کال، د 5 nm پروسې ټیکنالوژي به د چپ ساحې کارولو موثریت کې 25٪ زیاتوالی چمتو کړي (سیمسنګ د چپ ساحې اندازې 25٪ کمولو په اړه مستقیم بیاناتو څخه ډډه کوي، کوم چې دا د شمیرو د چلولو لپاره خونه پریږدي). همدارنګه، د 5-nm پروسې ته لیږد به یا د چپ مصرف 20٪ کم کړي یا د 10٪ لخوا د حلونو فعالیت زیات کړي. بل بونس به د فوټوماسکونو شمیر کمول وي چې د سیمیکمډکټر تولید لپاره اړین دي.
سامسنګ په Hwaseong کې د S3 پلانټ کې د EUV سکینرونو په کارولو سره محصولات تولیدوي. د دې کال په دویمه نیمایي کې، شرکت به د Fab S3 سره نږدې د نوي تاسیساتو جوړول بشپړ کړي، کوم چې راتلونکی کال به د EUV پروسو په کارولو سره چپس تولید ته چمتو وي.
سرچینه: 3dnews.ru