سامسنګ الیکترونیک د 10 nm ټولګي پروسې ټیکنالوژۍ ته دوام ورکوي. دا ځل، د دوهم نسل 16nm ټولګي (4y-nm) پروسې ټیکنالوژۍ په کارولو سره د DDR10 حافظې د ډله ایز تولید له پیل څخه یوازې 1 میاشتې وروسته ، د سویلي کوریا جوړونکي د 4nm ټولګي دریم نسل په کارولو سره د DDR10 حافظې ډیز پراختیا بشپړ کړه (. 1z-nm) د پروسې ټیکنالوژي. هغه څه چې مهم دي دا دي چې د دریم نسل 10nm ټولګي پروسه لاهم د 193nm لیتوګرافي سکینر کاروي او د ټیټ فعالیت EUV سکینرونو باندې تکیه نه کوي. دا پدې مانا ده چې د وروستي 1z-nm پروسې ټیکنالوژۍ په کارولو سره د حافظې ډله ایز تولید ته لیږد به نسبتا ګړندی وي او د لینونو بیا تجهیز کولو لپاره د پام وړ مالي لګښت پرته.
شرکت به د دې کال په دویمه نیمایي کې د 8 nm ټولګي د 4z-nm پروسې ټیکنالوژۍ په کارولو سره د 1-Gbit DDR10 چپس پراخه تولید پیل کړي. لکه څنګه چې د 20nm پروسې ټیکنالوژۍ ته د لیږد راهیسې معمول دی ، سامسنګ د پروسې ټیکنالوژۍ دقیق مشخصات نه افشا کوي. داسې انګیرل کیږي چې د شرکت 1x-nm 10-nm ټولګي تخنیکي پروسه د 18 nm معیارونه پوره کوي، د 1y-nm پروسه 17- یا 16-nm معیارونه پوره کوي، او وروستی 1z-nm 16- یا 15-nm معیارونه پوره کوي، او شاید حتی تر 13 nm پورې. په هر حالت کې، د تخنیکي پروسې د کچې کمولو بیا د یو ویفر څخه د کرسټالونو حاصلات زیات کړي، لکه څنګه چې سیمسنگ اعتراف کوي، 20٪ لخوا. په راتلونکي کې، دا به شرکت ته اجازه ورکړي چې نوې حافظه ارزانه یا په ښه حاشیه وپلوري تر هغه چې سیالي کونکي په تولید کې ورته پایلې ترلاسه کړي. په هرصورت، دا یو څه خطرناک دی چې سیمسنگ د 1z-nm 16 Gbit DDR4 کریسټال جوړولو توان نه درلود. دا کیدای شي په تولید کې د عیب نرخونو د زیاتوالي تمه په ګوته کړي.
د 10nm ټولګي پروسې ټیکنالوژۍ دریم نسل په کارولو سره ، شرکت به لومړی وي چې د لوړ پای کمپیوټرونو لپاره د سرور حافظه او حافظه تولید کړي. په راتلونکي کې، د 1z-nm 10nm ټولګي پروسې ټیکنالوژي به د DDR5، LPDDR5 او GDDR6 حافظې تولید لپاره تطبیق شي. سرورونه، ګرځنده وسیلې او ګرافیک به وکولی شي د ګړندي او لږ حافظې وږې حافظې څخه پوره ګټه پورته کړي ، کوم چې به د تولید پتلي معیارونو ته د لیږد له لارې اسانه شي.
سرچینه: 3dnews.ru