A empresa Google apresentou o "Half-Double", uma nova técnica de ataques da classe RowHammer, que permite alterar o conteúdo de bits individuais da memória RAM dinâmica (DRAM). O ataque é reproduzido em alguns chips DRAM modernos, cujos fabricantes conseguiram reduzir a geometria das células.
Lembramos que os ataques da classe RowHammer permitem distorcer o conteúdo de bits individuais da memória por meio da leitura cíclica de dados em células de memória adjacentes. Como a memória DRAM consiste em uma matriz bidimensional de células, cada uma composta por um capacitor e um transistor, a execução de leituras contínuas em uma mesma área de memória leva a flutuações de tensão e anomalias, causando uma leve perda de carga nas células adjacentes. Se a intensidade da leitura for suficientemente alta, a célula adjacente pode perder uma quantidade significativa de carga, e o ciclo de regeneração subsequente não terá tempo de restaurar seu estado original, resultando em uma alteração no valor dos dados armazenados na célula.
Para proteger-se contra o RowHammer, os fabricantes de chips implementaram o mecanismo TRR (Target Row Refresh), que protege contra a distorção das células em linhas adjacentes. O método Half-Double permite contornar essa proteção, manipulando o fato de que as distorções não se limitam às linhas vizinhas e se espalham para outras linhas de memória, embora em menor grau. Engenheiros do Google demonstraram que, para linhas de memória "A", "B" e "C", é possível atacar a linha "C" com um acesso muito intenso à linha "A" e uma pequena atividade envolvendo a linha "B". Acessos à linha "B" durante o ataque ativam um vazamento não linear de cargas e permitem usar a linha "B" como transporte para transmitir o efeito Rowhammer da linha "A" para a linha "C".
Diferente do ataque TRRespass, que manipula falhas em várias implementações do mecanismo de prevenção de distorção das células, o ataque Half-Double baseia-se nas propriedades físicas do substrato de silício. O Half-Double demonstra que os efeitos que provavelmente levam ao Rowhammer são uma propriedade da distância, e não do contato direto das células. À medida que a geometria das células nos chips modernos diminui, aumenta também o raio de influência das distorções. Não se exclui a possibilidade de que o efeito seja observado a uma distância superior a duas linhas.
Nota-se que, em conjunto com a associação JEDEC, foram desenvolvidas várias propostas analisando possíveis maneiras de bloquear tais ataques. As informações sobre o método foram divulgadas, pois o Google acredita que a pesquisa realizada amplia significativamente a compreensão do fenômeno Rowhammer e destaca a importância de unir esforços entre pesquisadores, fabricantes de chips e outras partes interessadas no desenvolvimento de uma solução completa e de longo prazo para proteção.
Fonte: opennet.ru
