Os módulos de memória construídos com chips Samsung B-die são, sem dúvida, uma das opções mais populares entre os entusiastas. Contudo, o fabricante sul-coreano considera-os obsoletos e atualmente está interrompendo sua produção, oferecendo em seu lugar outros chips de memória DDR4, que utilizam processos de fabricação mais recentes. Isso significa que o ciclo de vida dos módulos de memória DDR4 não bufferizados da Samsung, baseados nos chips B-die, chegou ao fim, e em breve deixarão de estar disponíveis para venda. Outros fabricantes que utilizam chips Samsung B-die também interromperão o fornecimento de módulos semelhantes.
Os chips Samsung B-die e os módulos de memória baseados neles conquistaram amplo reconhecimento devido à sua versatilidade e potencial de overclock. Eles escalonam muito bem em termos de frequência, respondem positivamente ao aumento da tensão de alimentação e permitem funcionamento em tempos extremamente agressivos. Outra vantagem importante dos módulos baseados em chips Samsung B-die é sua facilidade de uso e ampla compatibilidade com diversos controladores de memória, o que os torna particularmente apreciados por proprietários de sistemas com processadores Ryzen.
Entretanto, para a produção dos chips B-die é utilizado um processo tecnológico relativamente antigo com normas de 20 nm, portanto, o desejo da Samsung de se afastar da fabricação desses dispositivos semicondutores em favor de alternativas mais modernas é compreensível. Recentemente, a empresa anunciou o início da produção de chips DDR4 SDRAM com tecnologia de classe 1z nm (terceira geração), enquanto os chips fabricados com o processo de 1y nm (segunda geração) já estão em produção há mais de um ano e meio. É sobre esses novos chips que o fabricante está incentivando a migração. Os chips B-die receberam oficialmente o status de EOL (End of Life) - fim do ciclo de vida.
Em vez dos lendários chips Samsung B-die, agora outras ofertas ganharão espaço no mercado. As etapas de produção em massa foram alcançadas pelos chips M-die, cuja fabricação utiliza um processo de 1y nm. Além disso, os chips A-die, produzidos com tecnologia ainda mais avançada de 1z nm, também chegaram à fase de produção qualificada. Isso significa que a memória baseada em chips M-die estará disponível em breve, enquanto os módulos construídos com chips A-die estarão acessíveis aos usuários dentro de seis meses.
A principal vantagem dos novos chips de memória com núcleos atualizados, além dos processos tecnológicos modernos e do potencial de frequência potencialmente mais alto, é sua capacidade aumentada. Eles permitem a produção de módulos de memória DDR4 unidimensionais com capacidade de 16 GB e módulos bidimensionais com capacidade de 32 GB, algo que antes era impossível.
Vale lembrar que este verão pode trazer mudanças significativas na gama de módulos de memória DDR4 SDRAM disponíveis no mercado. Além dos novos chips da Samsung, os módulos de memória também devem começar a incorporar chips E-die da Micron e C-die da SK Hynix. É bastante provável que todas essas mudanças resultem em um aumento não apenas na capacidade média, mas também no potencial de frequência dos módulos DDR4 SDRAM.
Fonte: 3dnews.ru
