A transição do silício para semicondutores de banda larga (nitreto de gálio, carbeto de silício e outros) permite aumentar significativamente as frequências de operação e melhorar a eficiência das soluções. Portanto, uma das áreas promissoras para o uso de chips e transistores de banda larga é a comunicação e os radares. A eletrônica baseada em soluções GaN oferece um aumento de potência e de alcance dos radares, que foi rapidamente aproveitado pelos militares.
Lockheed Martin , que as forças dos EUA receberam as primeiras instalações móveis de radar (RLS) com eletrônica baseada em elementos de nitreto de gálio. A empresa não fez nenhuma novidade. As RLS anti-bateria AN/TPQ-53, que foram aceitas em serviço desde 2010, foram convertidas para a base de componentes GaN. Este é o primeiro e até agora o único radar do mundo baseado em semicondutores de banda larga.
Graças à transição para componentes GaN ativos, a RLS AN/TPQ-53 aumentou o alcance de detecção de posições de artilharia ocultas e obteve a capacidade de rastreamento simultâneo de alvos aéreos. Em particular, a RLS AN/TPQ-53 começou a ser usada contra drones, incluindo pequenas aeronaves. A identificação de posições de artilharia ocultas pode ser realizada tanto em um setor de 90 graus quanto em uma cobertura circular de 360 graus.
Lockheed Martin é o único fornecedor de radares com AAR ativa (rede de antena faseada) para as Forças Armadas dos EUA. A transição para uma base de componentes GaN permite que a empresa busque continuar sua liderança de muitos anos na melhoria e produção de instalações de radar.
Fonte: 3dnews.ru
