A única desenvolvedora mundial de microchips de memória magnetorresistiva MRAM, a Everspin Technologies, continua a aprimorar as tecnologias de produção. Hoje, a Everspin e a empresa GlobalFoundries desenvolver em conjunto a tecnologia de produção de chips STT-MRAM com normas de 12 nm e transistores FinFET.
A Everspin possui mais de 650 patentes e aplicações relacionadas à memória MRAM. Essa memória grava dados em uma célula de forma semelhante à gravação de informações em um disco rígido magnético. No caso dos chips, cada célula possui sua própria (condicionalmente) cabeça magnética. A memória STT-MRAM, que substituiu a anterior, baseada no efeito de transferência de momento de spin do elétron, opera com ainda menores consumos de energia, já que utiliza correntes inferiores nos modos de gravação e leitura.
Inicialmente, a memória MRAM era produzida sob encomenda da Everspin pela NXP em sua fábrica nos EUA. Em 2014, a Everspin firmou um contrato de colaboração com a GlobalFoundries. Juntas, elas começaram a desenvolver processos tecnológicos para a produção de MRAM discreta e embutida (STT-MRAM) utilizando processos mais avançados.
Com o passar do tempo, a produção de chips STT-MRAM de 40 nm e 28 nm foi estabelecida na GlobalFoundries (culminando com a novidade - chip discreto STT-MRAM de 1 Gbit), além da preparação do processo tecnológico 22FDX para integração de arrays STT-MRAM em controladores utilizando tecnologia de 22 nm em wafers FD-SOI. O novo contrato entre Everspin e GlobalFoundries levará à transferência da produção de chips STT-MRAM para um processo de 12 nm.
A memória MRAM se aproxima em velocidade da memória SRAM e potencialmente pode substituí-la em controladores para a Internet das Coisas. Além disso, é não volátil e muito mais resistente ao desgaste do que a memória NAND convencional. A transição para normas de 12 nm permitirá aumentar a densidade de gravação da MRAM, que é sua principal desvantagem.
Fonte: 3dnews.ru
