De acordo com fontes da indústria em Taiwan, às quais o site DigiTimes, o fabricante de memória chinês ChangXin Memory Technologies (CXMT) está se preparando a todo vapor para a produção em massa de memória LPDDR4. A ChangXin, conhecida também como Innotron Memory, supostamente desenvolveu seu próprio processo tecnológico de produção de DRAM utilizando normas tecnológicas de 19 nm.
Para o lançamento comercial da memória em sua primeira fábrica de 300 mm, a ChangXin deveria na primeira metade de 2019. Infelizmente, isso ainda não aconteceu. Mas o início da produção de chips de 8 Gb DDR4 LPDDR4 será acompanhado pela expansão da capacidade para 20 mil substratos de silício de 300 mm por mês. A capacidade máxima das linhas na fábrica da ChangXin atinge 125 mil placas de 300 mm por mês. Mas isso também não é o fim. A empresa informou que, no próximo ano, começará a construir uma segunda fábrica para processar substratos de 300 mm com memória.
Ao mesmo tempo, esse fabricante chinês pode enfrentar problemas de outra natureza. Vale lembrar que a primeira empresa chinesa que planejava iniciar a produção em massa de memória DRAM — a Fujian Jinhua — dos EUA com a proibição de comprar equipamentos de produção de parceiros americanos. Em Taiwan, acredita-se que a ChangXin enfrentará os mesmos problemas que a Fujian. Além disso, ela contratou engenheiros qualificados da antiga filial taiwanesa da japonesa Elpida, cujo negócio foi absorvido pela americana Micron. Analistas aguardam processos contra a ChangXin por parte da Micron e sanções, caso a China não reaja.
Paralelamente, a ChangXin está desenvolvendo um processo de produção de memória com normas de 17 nm. A conclusão do desenvolvimento está prevista para 2021. Provavelmente, a segunda fábrica da ChangXin começará suas operações com a produção de chips de DRAM exatamente com essas normas. Se, claro, as sanções dos EUA e as manobras da Micron não se tornarem uma barreira intransponível.
Fonte: 3dnews.ru
