Как As agências de notícias chinesas Yangtze Memory Technologies (YMTC) prepararam a segunda versão de sua tecnologia proprietária Xtacking para otimizar a produção de memória flash NAND 3D multicamadas. A tecnologia Xtacking, lembramos, foi apresentada no fórum anual Flash Memory Summit em agosto do ano passado e ainda recebeu um prêmio na categoria “A startup mais inovadora na área de memória flash”.
É claro que chamar uma empresa com um orçamento multibilionário de startup é claramente subestimar a empresa, mas, sejamos honestos, a YMTC ainda não produz produtos em grandes quantidades. A empresa passará para o fornecimento comercial em massa de 3D NAND próximo ao final deste ano, quando lançar a produção de memória de 128 Gbit e 64 camadas, que, aliás, será suportada pela mesma tecnologia inovadora Xtacking.
Como segue de relatórios recentes, recentemente no fórum GSA Memory+, o CTO da Yangtze Memory, Tang Jiang, admitiu que a tecnologia Xtacking 2.0 será apresentada em agosto. Infelizmente, o responsável técnico da empresa não divulgou os detalhes do novo empreendimento, por isso teremos que esperar até agosto. Como mostra a prática anterior, a empresa mantém um segredo até o fim e antes do início do Flash Memory Summit 2019, é improvável que aprendamos algo interessante sobre o Xtacking 2.0.
Quanto à tecnologia Xtacking em si, seu objetivo era de três pontos: uma influência decisiva na produção de 3D NAND e produtos baseados nele. São elas a velocidade da interface dos chips de memória flash, o aumento da densidade de gravação e a velocidade de lançamento de novos produtos no mercado. A tecnologia Xtacking permite aumentar a taxa de câmbio com o array de memória em chips 3D NAND de 1–1,4 Gbit/s (interfaces ONFi 4.1 e ToggleDDR) para 3 Gbit/s. À medida que a capacidade dos chips aumenta, os requisitos para a velocidade de câmbio aumentarão, e os chineses esperam ser os primeiros a fazer um avanço nesta área.
Há outro obstáculo para aumentar a densidade de gravação - a presença no chip 3D NAND não apenas de um conjunto de memória, mas também de controle periférico e circuitos de alimentação. Esses circuitos retiram de 20% a 30% da área utilizável dos arrays de memória, e 128% da superfície do chip será retirada dos chips de 50 Gbit. No caso da tecnologia Xtacking, o conjunto de memória é produzido em um chip próprio e os circuitos de controle são produzidos em outro. O cristal é totalmente dedicado às células de memória, e os circuitos de controle no estágio final da montagem do chip são anexados ao cristal com memória.
A fabricação separada e a montagem subsequente também permitem o desenvolvimento mais rápido de chips de memória personalizados e produtos personalizados que são montados como tijolos na combinação certa. Essa abordagem nos permite reduzir o desenvolvimento de chips de memória personalizados em pelo menos 3 meses, de um tempo total de desenvolvimento de 12 a 18 meses. Maior flexibilidade significa maior interesse do cliente, que o jovem fabricante chinês precisa tanto quanto de ar.
Fonte: 3dnews.ru