Recentemente, na sétima China Electronic Information Expo (CITE2019) em Shenzhen, o primeiro SSD P8260 de unidade de estado sólido, montado exclusivamente com componentes chineses, foi demonstrado no estande do Tsinghua Unigroup. Este é um SSD de nível de servidor no qual o controlador, o buffer DRAM e a matriz 3D NAND são projetados e fabricados na China. Pois bem, a China deu mais um passo e espera seguir este caminho para a independência total da memória da produção estrangeira.
Quem acompanha as notícias sobre o desenvolvimento e produção de memória 3D NAND na China sabe que a produção de chips de memória flash é realizada por uma joint venture com a Tsinghua, Yangtze River Storage Technology (YMTC). As unidades P8260 apresentam os primeiros produtos NAND 32D de 3 Gb de 64 camadas da YMTC. Perto do final do ano, o fabricante começará a produzir chips NAND 128D de 64 Gbit e 3 camadas, o que permitirá que o YMTC se torne comercialmente disponível - enquanto a produção está com prejuízo.
A memória DRAM para o buffer SSD é produzida pela Guoxin Micro, subsidiária da Tsinghua. O tamanho do buffer não é relatado. O controlador foi desenvolvido pela empresa chinesa Beijing Ziguang Storage Technology, também associada ao Tsinghua Unigroup.
O controlador e a unidade P8260 suportam o protocolo NVMe 1.2.1 e a interface PCI Express 3.0 x4. É anunciado suporte para 16 canais de memória, o que promete alta largura de banda, mas dados exatos sobre o desempenho do P8260 também não são relatados. Para trabalhar com o buffer DRAM, o processador possui um controlador de memória de canal duplo integrado com barramento de 40 bits e suporte ECC. São apresentadas duas versões do SSD P8260: com capacidade de 1 e 2 TB nos formatos de placa PCIe e drive U.2.
Além dos drives P8260, a fabricante também apresentou SSDs de consumo das famílias P100 e S100. No entanto, a empresa adquire memória 3D NAND para esses modelos de parceiros. Um desses parceiros, por exemplo, é a Intel.
Fonte: 3dnews.ru