Nova técnica de ataque RowHammer na memória DRAM

O Google introduziu o "Half-Double", uma nova técnica de ataque RowHammer que pode alterar o conteúdo de bits individuais de memória dinâmica de acesso aleatório (DRAM). O ataque pode ser reproduzido em alguns chips DRAM modernos, cujos fabricantes reduziram a geometria das células.

Lembre-se de que os ataques da classe RowHammer permitem distorcer o conteúdo de bits de memória individuais lendo ciclicamente dados de células de memória vizinhas. Como a memória DRAM é um conjunto bidimensional de células, cada uma consistindo de um capacitor e um transistor, a realização de leituras contínuas da mesma região de memória resulta em flutuações de tensão e anomalias que causam uma pequena perda de carga nas células vizinhas. Se a intensidade de leitura for alta o suficiente, a célula vizinha poderá perder uma quantidade suficientemente grande de carga e o próximo ciclo de regeneração não terá tempo para restaurar seu estado original, o que levará a uma alteração no valor dos dados armazenados no célula.

Para se proteger contra o RowHammer, os fabricantes de chips implementaram um mecanismo TRR (Target Row Refresh) que protege contra a corrupção de células em linhas adjacentes. O método Half-Double permite contornar essa proteção manipulando para que as distorções não se limitem às linhas adjacentes e se espalhem para outras linhas da memória, embora em menor grau. Os engenheiros do Google mostraram que para linhas sequenciais de memória "A", "B" e "C", é possível atacar a linha "C" com acesso muito pesado à linha "A" e pouca atividade afetando a linha "B". Acessar a linha "B" durante um ataque ativa o vazamento de carga não linear e permite que a linha "B" seja usada como transporte para transferir o efeito Rowhammer da linha "A" para "C".

Nova técnica de ataque RowHammer na memória DRAM

Ao contrário do ataque TRRespass, que manipula falhas em diversas implementações do mecanismo de prevenção de corrupção celular, o ataque Half-Double é baseado nas propriedades físicas do substrato de silício. Half-Double mostra que é provável que os efeitos que levam ao Rowhammer sejam uma propriedade da distância, e não da contiguidade direta das células. À medida que a geometria da célula nos chips modernos diminui, o raio de influência da distorção também aumenta. É possível que o efeito seja observado a uma distância superior a duas linhas.

Nota-se que, em conjunto com a associação JEDEC, foram desenvolvidas diversas propostas analisando possíveis formas de bloquear tais ataques. O método está sendo divulgado porque o Google acredita que a pesquisa expande significativamente nossa compreensão do fenômeno Rowhammer e destaca a importância de pesquisadores, fabricantes de chips e outras partes interessadas trabalharem juntos para desenvolver uma solução de segurança abrangente e de longo prazo.

Fonte: opennet.ru

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