A Samsung Electronics continua a mergulhar na tecnologia de processo da classe de 10 nm. Desta vez, apenas 16 meses após o início da produção em massa de memória DDR4 usando a tecnologia de processo de segunda geração da classe 10 nm (1y-nm), o fabricante sul-coreano concluiu o desenvolvimento de matrizes de memória DDR4 usando a terceira geração da classe 10 nm ( tecnologia de processo 1z-nm). O importante é que o processo da classe 10nm de terceira geração ainda usa scanners de litografia de 193nm e não depende de scanners EUV de baixo desempenho. Isso significa que a transição para a produção em massa de memória usando a mais recente tecnologia de processo 1z-nm será relativamente rápida e sem custos financeiros significativos para reequipar linhas.
A empresa iniciará a produção em massa de chips DDR8 de 4 Gbit usando a tecnologia de processo 1z-nm da classe 10 nm no segundo semestre deste ano. Como tem sido a norma desde a transição para a tecnologia de processo de 20nm, a Samsung não divulga as especificações exatas da tecnologia de processo. Supõe-se que o processo técnico de classe 1x-nm 10 nm da empresa atenda aos padrões de 18 nm, o processo 1y-nm atenda aos padrões de 17 ou 16 nm e o mais recente 1z-nm atenda aos padrões de 16 ou 15 nm, e talvez até 13 nm. De qualquer forma, reduzir novamente a escala do processo técnico aumentou o rendimento dos cristais de um wafer, como admite a Samsung, em 20%. No futuro, isso permitirá à empresa vender novas memórias mais baratas ou com margens melhores até que os concorrentes alcancem resultados semelhantes na produção. No entanto, é um pouco alarmante que a Samsung não tenha conseguido criar um cristal DDR1 de 16 Gbit de 4z-nm. Isto pode sugerir a expectativa de aumento nas taxas de defeitos na produção.
Usando a terceira geração da tecnologia de processo de classe 10nm, a empresa será a primeira a produzir memória de servidor e memória para PCs de última geração. No futuro, a tecnologia de processo da classe 1z-nm 10nm será adaptada para a produção de memórias DDR5, LPDDR5 e GDDR6. Servidores, dispositivos móveis e gráficos poderão aproveitar ao máximo a memória mais rápida e que consome menos memória, o que será facilitado pela transição para padrões de produção mais finos.
Fonte: 3dnews.ru