De acordo com fontes da indústria em Taiwan, que Recurso da Internet DigiTimes, fabricante chinês de memória ChangXin Memory Technologies (CXMT) está a todo vapor preparando linhas para produção em massa de memória LPDDR4. Diz-se que ChangXin, também conhecida como Innotron Memory, desenvolveu seu próprio processo de produção de DRAM usando tecnologia de 19 nm.
Para a produção comercial de memória em sua primeira empresa de 300 mm, a ChangXin teve que no primeiro semestre de 2019. Infelizmente, isso ainda não aconteceu. Mas o início da produção de chips DDR8 LPDDR4 de 4 Gbit será acompanhado por uma expansão da capacidade para 20 mil wafers de silício de 300 nm por mês. A capacidade máxima das linhas da empresa ChangXin chega a 125 mil wafers de 300 mm por mês. Mas este também não é o limite. A empresa disse que começará a construir uma segunda fábrica no próximo ano para processar wafers de memória de 300 mm.
Ao mesmo tempo, este fabricante chinês pode enfrentar problemas de outro tipo. Lembremos que a primeira empresa chinesa a iniciar a produção em massa de memória DRAM foi a Fujian Jinhua. EUA com proibição de compra de equipamentos de produção de parceiros americanos. Em Taiwan, eles acreditam que ChangXin enfrentará os mesmos problemas que Fujian. Além disso, recrutou engenheiros qualificados da antiga subsidiária taiwanesa da japonesa Elpida, cujos negócios foram absorvidos pela americana Micron. Os analistas esperam reclamações contra a ChangXin por parte da Micron e sanções se o lado chinês não responder.
Paralelamente, a ChangXin está desenvolvendo um processo técnico para produção de memória com padrões de 17 nm. A conclusão do desenvolvimento está prevista para 2021. Provavelmente, a segunda fábrica da ChangXin começará a trabalhar com a produção de cristais DRAM com esses padrões. A menos, claro, que as sanções dos EUA e as maquinações da Micron se tornem um obstáculo intransponível no seu caminho.
Fonte: 3dnews.ru